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一种多孔导电玻璃

阅读：1041发布：2020-05-16

专利汇可以提供一种多孔导电玻璃专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种多孔导电玻璃，涉及太阳能光电材料技术领域。所述玻璃经过配料、熔制、成形、退火及制孔工序，经去离子水冲洗烘干后，制得多孔导电玻璃，所述配料工序按照下述重量份将原料混合均匀，其中SiO225～43；Al2O32～10；Na2O6～17；ZnO10～30；CaO8～30；硅藻土10～30；所述制孔过程采用磁控溅射法，所用制孔剂为盐酸，所用盐酸浓度为2～10mol/L盐酸。制得的导电玻璃透光率为90％以上，其电阻平均值为12～20Ω，孔径范围为20～50nm，孔的分布密度范围为40～100孔/um2。该方法配比简单，原料易得，制备简单，符合实际生产要求。，下面是一种多孔导电玻璃专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种多孔导电玻璃，其特征在于，所述玻璃按照下述重量份组成：
2.根据权利要求1所述玻璃，其特征在于，所述导电玻璃透光率为90％以上，其电阻平均值为12～20Ω，孔径范围为20～50nm，孔的分布密度范围为40～100孔/um2。
3.根据权利要求1所述玻璃，其特征在于，所述玻璃的制备方法经过配料、熔制、成形、退火及制孔工序，经去离子水冲洗烘干后，获得多孔导电玻璃，
所述配料工序按照下述重量份将原料混合均匀：
所述熔制将上述原料经过1200～1600℃溶制，形成无气泡的玻璃液；
所述制孔过程采用磁控溅射法，所用制孔剂为盐酸，所用盐酸浓度为2～10mol/L盐酸。
4.根据权利要求1所述玻璃，其特征在于，所述配料为将原料置于球磨机中，于300～
360r/min的速度球磨2～4h，经干燥后过20～100目筛。
5.根据权利要求1所述玻璃，其特征在于，所述熔制过程为将所述原料置于仪器中以60～80℃/min的速度升温至800～1400℃，保温0.5h～2h，停止加热后随炉冷却。
6.根据权利要求1所述玻璃，其特征在于，所述成型过程采用浮法生产，厚度控制在0.5～4mm，宽度可达0.1～2m。

说明书全文

一种多孔导电玻璃

技术领域

[0001] 本发明涉及太阳能光电材料技术领域，具体涉及一种多孔导电玻璃。

背景技术

[0002] 导电玻璃，是一种电阻小、能导电的玻璃。导电玻璃分为体积导电玻璃和表面导电层玻璃两种。体积导电玻璃的成分中含有碱性氧化物、氧化硅、钛的氧化物。表面导电层玻璃是在透明的玻璃表面上蒸镀一层金属薄膜(如金、铂等，厚度小于10毫微米)，或在加热的玻璃表面上喷涂金属氧化物导电薄膜(如锡、铟等)等制成。由于同时具备导电性和透光性好以及表面积大的优点，多孔导电玻璃被广泛应用于显示器、传感器、太阳能电池等领域。

[0003] 多孔导电玻璃由于其透光性好是近些年来的研究热点。现有多孔导电玻璃的主要制备方法可分为颗粒堆积成孔、模板造孔、腐蚀成孔等三类。后期腐蚀成孔法的代表性方法是电化学腐蚀法，该方法在电化学沉积导电膜的同时，腐蚀刚沉积的膜，从而形成多孔结构。通过调节电压、反应时间、电解质等，该法所制备的孔径可达250nm，但大多数孔相互贯通，孔的形状和尺寸都不均匀。因此，如何制备出具有相互独立不贯通、分布均匀、尺寸和分布密度大范围可调的多孔导电玻璃，是目前应用所迫切需要解决的问题。

发明内容

[0004] 根据现有技术的不足，本发明提供一种多孔导电玻璃，所述玻璃经过配料、熔制、成形、退火及制孔工序，经去离子水冲洗烘干后，获得多孔导电玻璃。

[0005] 一种多孔导电玻璃，所述玻璃按照下述重量份组成：

[0006]

[0007] 优选地，所述导电玻璃透光率为90％以上，其电阻平均值为12～20Ω，孔径范围为20～50nm，孔的分布密度范围为40～100孔/um2。

[0008] 优选地，所述玻璃的制备方法经过配料、熔制、成形、退火及制孔工序，经去离子水冲洗烘干后，获得多孔导电玻璃，

[0009] 所述配料工序按照下述重量份将原料混合均匀：

[0010]

[0011] 所述熔制将上述原料经过1200～1600℃溶制，形成无气泡的玻璃液；

[0012] 所述制孔过程采用磁控溅射法，所用制孔剂为盐酸，所用盐酸浓度为2～10mol/L盐酸。

[0013] 优选地，所述配料为将原料置于球磨机中，于300～360r/min的速度球磨2～4h，经干燥后过20～100目筛。

[0014] 优选地，所述熔制过程为将所述原料置于仪器中以60～80℃/min的速度升温至800～1400℃，保温0.5h～2h，停止加热后随炉冷却。

[0015] 优选地，所述成型过程采用浮法生产，厚度控制在0.5～4mm，宽度可达0.1～2m。

[0016] 本发明的有益效果为：一种多孔导电玻璃，所述玻璃经过配料、熔制、成形、退火及制孔工序，经去离子水冲洗烘干后，制得多孔导电玻璃，所述配料工序按照下述重量份将原料混合均匀，其中SiO225～43；Al2O32～10；Na2O6～17；ZnO10～30；CaO8～30；硅藻土10～30；所述制孔过程采用磁控溅射法，所用制孔剂为盐酸，所用盐酸浓度为2～10mol/L盐酸。
制得的导电玻璃透光率为90％以上，其电阻平均值为12～20Ω，孔径范围为20～50nm，孔的分布密度范围为40～100孔/um2。该方法配比简单，原料易得，制备简单，符合实际生产要求。

具体实施方式

[0017] 下述非限制性实施例可以使本领域的普通技术人员更全面地理解本发明，但不以任何方式限制本发明。

[0018] 下述实施例中所述试验方法，如无特殊说明，均为常规方法；所述试剂和材料，如无特殊说明，均可从商业途径获得。

[0019] 实施例1

[0020] 一种多孔导电玻璃，所述玻璃经过配料、熔制、成形、退火及制孔工序，经去离子水冲洗烘干后，制得多孔导电玻璃，所述配料工序按照下述重量份将原料混合均匀，其中SiO2 25份；Al2O3 10份；Na2O 17份；ZnO 10份；CaO 28份；硅藻土10份。将原料置于球磨机中，于
300r/min的速度球磨2h，经干燥后过60目筛。置于坩埚窑仪器中以80℃/min的速度升温至
1200℃，保温1h，停止加热后随炉冷却。成型过程采用浮法生产，制得玻璃厚度为4mm。所述制孔过程采用磁控溅射法，所用制孔剂为盐酸，所用盐酸浓度为2mol/L盐酸。制得的导电玻璃透光率为90％，其电阻平均值为20Ω，孔径范围为20～30nm，孔的分布密度范围为40孔/um2。

[0021] 实施例2

[0022] 一种多孔导电玻璃，所述玻璃经过配料、熔制、成形、退火及制孔工序，经去离子水冲洗烘干后，制得多孔导电玻璃，所述配料工序按照下述重量份将原料混合均匀，其中SiO2 30份；Al2O3 10份；Na2O 10份；ZnO 10份；CaO 20份；硅藻土20份；将原料置于球磨机中，于
300r/min的速度球磨2h，经干燥后过60目筛。置于坩埚窑仪器中以80℃/min的速度升温至
1200℃，保温1h，停止加热后随炉冷却。成型过程采用浮法生产，制得玻璃厚度为4mm。所述制孔过程采用磁控溅射法，所用制孔剂为盐酸，所用盐酸浓度为3mol/L盐酸。制得的导电玻璃透光率为91％，其电阻平均值为19Ω，孔径范围为20～30nm，孔的分布密度范围为40孔/
2
um。

[0023] 实施例3

[0024] 一种多孔导电玻璃，所述玻璃经过配料、熔制、成形、退火及制孔工序，经去离子水冲洗烘干后，制得多孔导电玻璃，所述配料工序按照下述重量份将原料混合均匀，其中SiO2 40份；Al2O3 5份；Na2O 15份；ZnO 10份；CaO 15份；硅藻土15份；将原料置于球磨机中，于
300r/min的速度球磨2h，经干燥后过60目筛。置于坩埚窑仪器中以60℃/min的速度升温至
1200℃，保温1h，停止加热后随炉冷却。成型过程采用浮法生产，制得玻璃厚度为4mm。所述制孔过程采用磁控溅射法，所用制孔剂为盐酸，所用盐酸浓度为4mol/L盐酸。制得的导电玻璃透光率为92％，其电阻平均值为18Ω，孔径范围为20～30nm，孔的分布密度范围为50孔/um2。

[0025] 实施例4

[0026] 一种多孔导电玻璃，所述玻璃经过配料、熔制、成形、退火及制孔工序，经去离子水冲洗烘干后，制得多孔导电玻璃，所述配料工序按照下述重量份将原料混合均匀，其中SiO2 43份；Al2O3 10份；Na2O 7份；ZnO 10份；CaO 10份；硅藻土20份；将原料置于球磨机中，于
300r/min的速度球磨2h，经干燥后过60目筛。置于坩埚窑仪器中以80℃/min的速度升温至
1200℃，保温1h，停止加热后随炉冷却。成型过程采用浮法生产，制得玻璃厚度为4mm。所述制孔过程采用磁控溅射法，所用制孔剂为盐酸，所用盐酸浓度为6mol/L盐酸。制得的导电玻璃透光率为92％，其电阻平均值为18Ω，孔径范围为20～30nm，孔的分布密度范围为60孔/um2。

[0027] 实施例5

[0028] 一种多孔导电玻璃，所述玻璃经过配料、熔制、成形、退火及制孔工序，经去离子水冲洗烘干后，制得多孔导电玻璃，所述配料工序按照下述重量份将原料混合均匀，其中SiO2 38份；Al2O3 10份；Na2O 14份；ZnO 20份；CaO 8份；硅藻土10份；所述制孔过程采用磁控溅射法，所用制孔剂为盐酸，所用盐酸浓度为10mol/L盐酸。制得的导电玻璃透光率为95％以上，其电阻平均值为19Ω，孔径范围为40～50nm，孔的分布密度范围为80孔/um2。

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