一种碳化硅外延生长设备的进气装置
专利汇可以提供一种碳化硅外延生长设备的进气装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种 碳 化 硅 外延 生长 设备的进气装置，包括进气装置主体，进气装置主体的前部设置有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气管穿过所述冷却腔；还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的 冷却液 入口管和冷却液出口管，以及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。该进气装置可抑制反应气体的预反应。，下面是一种碳化硅外延生长设备的进气装置专利的具体信息内容。
1.一种碳化硅外延生长设备的进气装置，其特征在于，包括进气装置主体，进气装置主体的前部设置有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气管穿过所述冷却腔；
还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的冷却液入口管和冷却液出口管，以及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；
所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。
2.根据权利要求1所述的碳化硅外延生长设备的进气装置，其特征在于，所述混合腔内设置有一块隔板，隔板把混合腔分隔为前后两个区域，隔板上均匀排布有多个连通孔。
3.根据权利要求2所述的碳化硅外延生长设备的进气装置，其特征在于，所述隔板上正对所述进气管的位置设置有撞击锥。
4.根据权利要求1所述的碳化硅外延生长设备的进气装置，其特征在于，所述出气管呈矩阵分布。
5.根据权利要求1所述的碳化硅外延生长设备的进气装置，其特征在于，所述进气装置主体的上部和下部的吹扫管均沿宽度方向直线排布。
6.根据权利要求1所述的碳化硅外延生长设备的进气装置，其特征在于，所述进气装置主体包括主体部、前封盖和后封盖，所述混合腔由主体部与前封盖围成，所述冷却腔由主体部与后封盖围成。
7.根据权利要求6所述的碳化硅外延生长设备的进气装置，其特征在于，所述主体部与前封盖之间、主体部与后封盖之间均设置有密封垫层。
8.根据权利要求1所述的碳化硅外延生长设备的进气装置，其特征在于，所述进气装置主体滑动穿设在碳化硅外延生长设备的机壳上，其前后位置可调。
9.根据权利要求8所述的碳化硅外延生长设备的进气装置，其特征在于，还包括两根设置在机壳前侧并沿前后方向延伸的滑轨，所述进气装置主体底部的前侧分别通过滑块与两根滑轨滑动连接，滑块通过锁定螺丝锁定在滑轨上。
10.根据权利要求9所述的碳化硅外延生长设备的进气装置，其特征在于，每根滑轨固定在一个支架上；每个支架包括一根与滑轨平行的枕梁，以及连接在枕梁底部的三角支撑板；枕梁和三角支撑板均与机壳固连，滑轨固定在枕梁上。
一种碳化硅外延生长设备的进气装置
技术领域
背景技术
外延工艺，具体是把衬底放在反应室内加热，并通入含硅反应气体进行高温反应，使含硅反
应气体还原或热分解，所产生的硅原子在衬底硅表面上外延生长。
7'，反应室2'的左侧设置有进气装置5'，右侧设置有排气装置6'。工作时，从进气装置5'向
反应室2'送入反应气体（载气氢气、碳源、硅源以及掺杂气体等）进行反应，反应后的尾气由
排气装置6'排出。
气、碳源、硅源以及掺杂气体等从进气管5.2'输入，这些气体会在混合腔5.1'中混合后从各
出气管5.3'中均有地送入反应室2'中，同时，从吹扫管5.4'输送吹扫气，在气流的上下侧形
成吹扫气层。
预反应，从而形成预反应颗粒，这些预反应颗粒会沉降到衬底片90上造成外延层的缺陷；此
外，预反应消耗了部分反应气体，使反应气体不能得到有效利用。
发明内容
有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气
管穿过所述冷却腔；
还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的冷却液入口管和冷却液出口管，以
及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；
所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。
化硅外延生长设备的过渡区域， 使出气管的出口与衬底片之间的距离小，且通过冷却腔中
的冷却液可对出气管中的反应气体进行冷却，避免其在出气管中发生预反应，因此，可抑制
预反应的发生，大大地减少预反应颗粒的产生，从而保证外延层的质量，并使反应气体得到
有效利用。
附图说明
具体实施方式
考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于
描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在
本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是
为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，
本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他
工艺的应用和/或其他材料的使用。
进气管4、后侧设置有多根出气管5，出气管5穿过冷却腔3；
还包括插接在进气装置主体1前部并与冷却腔3连通的冷却液入口管6和冷却液出口管
7，以及多根穿设在进气装置主体1上、下部的吹扫管8；
进气装置主体1的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域S。
2中混合均匀后从各出气管5均匀流出，冷却液对出气管5进行冷却；
由于进气装置主体1的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域S， 使出气管5的出口
与衬底片90之间的距离小，且通过冷却腔3中的冷却液可对出气管5中的反应气体进行冷
却，避免其在出气管5中发生预反应，因此，可抑制预反应的发生，大大地减少预反应颗粒的
产生，从而保证外延层的质量，并使反应气体得到有效利用。
达后侧区域的过程中，可更充分地混合，从而使各种气体混合得更加均匀。
行了一次混合，再在穿过连通孔时进行二次混合，混合得更均匀。
该结构，易于加工，把主体部1.1、前封盖1.2和后封盖1.3分别加工后再装配到一起即可。
和后封盖1.3上对应地设置有供吹扫管8穿过的穿孔（图3中示出了主体部1.1上的穿孔a）；
主体部1.1和前封盖1.2上对应地开设有供冷却液入口管6和冷却液出口管7穿过的穿孔。
进一步的，主体部1.1与前封盖1.2之间、主体部1.1与后封盖1.3之间均设置有密封垫
层1.4，如图2所示。
托盘4'可装载的衬底片90数量的不同，托盘4'的直径也不同，此处，对于不同尺寸的托盘
4'，可适应性地调节进气装置主体1的前后距离，以保证部阻碍托盘4'的设置。
连接，滑块11通过锁定螺丝11.1锁定在滑轨10上。滑轨10可对进气装置主体1起支撑作用和
导向作用，避免进气装置主体1发生倾斜而与机壳1'刮擦；而使用锁定螺丝11.1进行锁定，
方便进行位置调节。
壳1'固连，滑轨10固定在枕梁12.1上。该支架12的结构简单且结构强度较大，能够可靠地支
撑进气装置主体1。
饰，其方案与本发明实质上相同。
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