专利汇可以提供柔性氧化锌镁薄膜晶体管及其制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及柔性器件领域,为设计并制备一种基于MgZnO基的顶栅结构晶体管,采用 磁控溅射 的低温工艺,在较为简便的工艺中设计并制备顶部驱动的柔性 薄膜 晶体管,能够极大丰富晶体管作为 电路 元器件的用处,使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能。为此,本发明采取的技术方案是:柔性 氧 化锌镁 薄膜晶体管 及其制造方法,利用磁控溅射低温技术,在PET柔性衬底上通过磁控溅射制备栅极,并通过 阳极 氧化 法制备栅绝缘层,再通过磁控溅射制备出MgZnO薄膜,紧接着对MgZnO薄膜进行热 退火 处理,随后在MgZnO有源层上 镀 源、漏 电极 。本发明主要应用于柔性器件设计制造场合。,下面是柔性氧化锌镁薄膜晶体管及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种柔性氧化锌镁薄膜晶体管及其制造方法,其特征是,利用磁控溅射低温技术,在PET柔性衬底上通过磁控溅射制备栅极,并通过阳极氧化法制备栅绝缘层,再通过磁控溅射制备出MgZnO薄膜,紧接着对MgZnO薄膜进行热退火处理,随后在MgZnO有源层上镀源、漏电极。
2.如权利要求1所述的柔性氧化锌镁薄膜晶体管及其制造方法,其特征是,具体制造步骤细化如下:
a.选用PET作为衬底,依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗,最后将衬底吹干,放入磁控溅射腔内准备进行真空沉积;
b.在PET衬底上通过磁控溅射的方法沉积铝薄膜,通过湿法刻蚀形成栅极;
c.在酒石酸铵和乙二醇构成的电解液中采用阳极氧化在栅极表面形成一层氧化铝栅绝缘层,其中阳极氧化时间为1.2小时;
d.选用陶瓷靶作为靶材,靶材由ZnO/MgO混合烧结而成,其中Mg和Zn的摩尔比为0.08;
e.将衬底和靶材固定到对应位置,进行溅射;
f.在氮气氛围内进行热退火,冷却至室温后将样品取出;
g.在MgZnO表面涂上AZ5214光刻胶,并使用匀胶机,将光刻胶甩均匀,随后使用光刻机以及制作好的掩膜版进行光刻形成特定的源漏电极图案;
h.通过真空电子束蒸镀的方式在薄膜表面沉积一层100nm的金,作为金属源漏电极;
I.在丙酮溶液中将光刻胶去除掉之后,氧化物薄膜晶体管制备完成。
3.一种基于柔性衬底的柔性氧化锌镁薄膜晶体管,其特征是,包括:由上至下依次设置的柔性衬底,衬底包括聚对苯二甲酸乙二醇PET塑料基板和基于环氧SU8树脂的光刻胶粘合层,用来支撑柔性薄膜晶体管,柔性氧化物薄膜晶体管制作在PET塑料基板上,在PET塑料上表面有一层SU8材料层,作为PET基板与薄膜晶体管之间的粘合层。衬底上面是一层铝薄膜和通过阳极氧化法氧化而成的氧化铝栅绝缘层,氧化铝上方是一层通过磁控溅射镀成的MgZnO薄膜,薄膜上方是镀金制成的源漏电极。
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