一种显示基板及其制备方法、显示装置
阅读：714发布：2021-12-02
专利汇可以提供一种显示基板及其制备方法、显示装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种显示 基板 及其制备方法、显示装置。所述显示基板的制备方法包括：形成 阳极 ；在所述阳极上形成驱动结构层；翻转上述包括阳极和驱动结构层的结构，在所述阳极上形成发光结构层。本 实施例 提供的方案，由于驱动结构层在阳极上方完成，做完驱动结构层再翻转，漏 电极 与阳极连接处是一个小孔，漏电极与阳极连接的地方可以用于显示，因此提高了空间利用率，进一步提高了显示 开口率 及 分辨率 。，下面是一种显示基板及其制备方法、显示装置专利的具体信息内容。
1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
形成阳极；
在所述阳极上形成驱动结构层；
翻转上述包括阳极和驱动结构层的结构，在所述阳极上形成发光结构层。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成阳极包括：
在第一玻璃载板上形成第一牺牲层，在所述第一牺牲层上形成阳极。
3.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成阳极包括：
在第一玻璃载板上形成第一牺牲层，在所述第一牺牲层上形成像素界定层，在所述像素界定层上形成所述阳极。
4.根据权利要求3所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述像素界定层上形成所述阳极前，还包括：对所述像素界定层的开口区域进行曝光处理；
翻转上述包括阳极和驱动结构层的结构后，还包括：对所述像素界定层进行灰化，形成暴露出所述阳极的开口区域。
5.根据权利要求2、3或4所述的显示基板的制备方法，其特征在于，翻转上述包括阳极和驱动结构层的结构前，还包括：
在所述驱动结构层上压合依次设置有基底、第二牺牲层和第二玻璃载板的盖板，去除所述第一玻璃载板。
6.根据权利要求1至4任一所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述阳极上形成驱动结构层包括：
形成覆盖所述阳极的平坦化层；
在所述平坦化层上形成驱动结构层。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述平坦化层使用聚酰亚胺或者有机硅氧烷材料制成。
8.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述平坦化层的厚度大于或等于2微米。
9.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述平坦化层上形成驱动结构层包括：
在所述平坦化层上形成绝缘层，在所述绝缘层上形成有源层；
在所述有源层上形成第一绝缘层以及设置在所述第一绝缘层上的栅电极；
形成覆盖所述栅电极的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别与所述有源层连接，所述漏电极与所述阳极连接。
10.根据权利要求1至4任一所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在形成所述阳极时，通过一次构图工艺同时形成对位标记。
11.一种显示基板，其特征在于，包括：在基底上依次设置驱动结构层、阳极和发光结构层，其中：所述驱动结构层包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极设置在所述有源层远离所述阳极的一侧，所述源电极和漏电极设置在所述栅电极远离所述阳极的一侧。
12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括对位标记，且所述对位标记与所述阳极同层设置。
13.根据权利要求11或12所述的显示基板，其特征在于，所述阳极和所述驱动结构层之间设置有平坦化层，所述平坦化层使用聚酰亚胺或者有机硅氧烷材料制成，所述平坦化层的厚度大于或等于2微米。
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11至13任一所述的显示基板。
一种显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
[0001] 本发明涉及显示技术，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
[0002] 现阶段柔性有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)显示面板已经进入高速发展的阶段，柔性显示的技术以聚酰亚胺(PI)材料为基础带来了很多工艺上的难题，但研究专家们都一一解决，例如将柔性基底从玻璃基板上剥离下来的方法，也就是激光剥离(Laser Lift Off，简称LLO)技术，目前已经较成熟，以此技术为基础，柔性OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)的背板整体制作工艺除了将柔性基底先制作在玻璃上以外，剩余的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)及最终的OLED发光单元的形成都与刚性显示背板差别不大，这种常规的制作过程对于OLED来讲还有一些不够精进的技术问题。
发明内容
[0003] 本发明至少一实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。
[0004] 为了达到本发明目的，本发明至少一实施例提供了一种显示基板的制备方法，包括：
[0006] 在所述阳极上形成驱动结构层；
[0007] 翻转上述包括阳极和驱动结构层的结构，在所述阳极上形成发光结构层。
[0008] 在一实施例中，所述形成阳极包括：
[0009] 在第一玻璃载板上形成第一牺牲层，在所述第一牺牲层上形成阳极。
[0010] 在一实施例中，所述形成阳极包括：
[0012] 在一实施例中，在所述像素界定层上形成所述阳极前，还包括：对所述像素界定层的开口区域进行曝光处理；
[0013] 翻转上述包括阳极和驱动结构层的结构后，还包括：对所述像素界定层进行灰化，形成暴露出所述阳极的开口区域。
[0014] 在一实施例中，翻转上述包括阳极和驱动结构层的结构前，还包括：
[0015] 在所述驱动结构层上压合依次设置有基底、第二牺牲层和第二玻璃载板的盖板，去除所述第一玻璃载板。
[0016] 在一实施例中，在所述阳极上形成驱动结构层包括：
[0017] 形成覆盖所述阳极的平坦化层；
[0018] 在所述平坦化层上形成驱动结构层。
[0020] 在一实施例中，所述平坦化层的厚度大于或等于2微米。
[0021] 在一实施例中，在所述平坦化层上形成驱动结构层包括：
[0022] 在所述平坦化层上形成绝缘层，在所述绝缘层上形成有源层；
[0024] 形成覆盖所述栅电极的第二绝缘层；
[0025] 在所述第二绝缘层上形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别与所述有源层连接，所述漏电极与所述阳极连接。
[0026] 在一实施例中，在形成所述阳极时，通过一次构图工艺同时形成对位标记。
[0027] 本发明至少一实施例提供一种显示基板，包括：在基底上依次设置驱动结构层、阳极和发光结构层，其中：所述驱动结构层包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极设置在所述有源层远离所述阳极的一侧，所述源电极和漏电极设置在所述栅电极远离所述阳极的一侧。
[0028] 在一实施例中，所述显示基板还包括对位标记，且所述对位标记与所述阳极同层设置。
[0029] 在一实施例中，所述阳极和所述驱动结构层之间设置有平坦化层，所述平坦化层使用聚酰亚胺或者有机硅氧烷材料制成，所述平坦化层的厚度大于或等于2微米。
[0030] 本发明至少一实施例提供一种显示装置，包括上述显示基板。
[0031] 与相关技术相比，本发明一实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：形成阳极；在所述阳极上形成驱动结构层；翻转上述包括阳极和驱动结构层的结构，在所述阳极上形成发光结构层。本实施例提供的方案，由于驱动结构层在阳极上方完成，做完驱动结构层再翻转，与常规方案中阳极与漏电极连接的地方是一个大孔，本实施例提供的方案，漏电极与阳极连接处是一个小孔，大孔在阳极下面的层中，因此，漏电极与阳极连接的地方可以用于显示，因此提高了空间利用率，进一步提高了显示开口率及分辨率。
附图说明
[0033] 附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
[0034] 图1a为相关技术中提供的显示基板示意图；
[0035] 图1b为图1a中显示基板的像素开口区域俯视图；
[0036] 图2为本发明一实施例提供的显示基板制备方法流程图；
[0037] 图3为本发明一实施例提供的形成阳极图案和对位标记图案后的示意图；
[0038] 图4为本发明一实施例提供的形成平坦化层、阻挡层、缓冲层后的示意图；
[0039] 图5为本发明一实施例提供的形成有源层、栅电极后的示意图；
[0040] 图6为本发明一实施例提供的形成第二绝缘层后的示意图；
[0041] 图7为本发明一实施例提供的形成源电极和漏电极后的示意图；
[0042] 图8为本发明一实施例提供的形成第三绝缘层后的示意图；
[0043] 图9为本发明一实施例提供的压合盖板玻璃后的示意图；
[0044] 图10为本发明一实施例提供的形成去除第一玻璃载板后的示意图；
[0045] 图11为本发明一实施例提供的形成封装层后的示意图；
[0046] 图12为本发明一实施例提供的显示基板示意图；
[0047] 图13为图12中显示基板的像素开口区域俯视图。
[0048] 附图标记说明:
[0049]
具体实施方式
[0050] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
[0051] 在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
[0052] 除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0053] 如图1a所示，目前在大尺寸AMOLED显示面板制作工艺中，采用顶栅结构的氧化物TFT背板结合柔性制作工艺包括：
[0054] 首先，要在玻璃载板1上制作牺牲层(De-bonding layer，简称DBL)2再在带有牺牲层的玻璃上涂覆PI薄膜3，此牺牲层2在后续工艺中即可通过LLO技术将PI薄膜与玻璃载板1分离，其中的原理是DBL层材料遇到光照的情况下，会分解的较彻底，这样PI薄膜3便无法与玻璃载板1继续粘连，便可轻松分离开来，然后在PI薄膜3上沉积阻挡(Barrier)层4，Barrier层4材料可选择SiNx(硅的氮化物)及SiOx(硅的氧化物)等无机薄膜，具有很好的阻挡性，防止PI层材料对后续TFT器件的影响，随后制作遮光层5(通常为金属)，通常顶栅型的氧化物TFT易受到光照的影响，导致性能出现劣化，并且在LLO工艺步骤时也可以防止TFT性能被影响到，同时，遮光层5作为首层会在基底制作对位Mark(标记)图形6，用来后续的图形化对位。随后沉积缓冲(Buffer)层11、有源层12、第一绝缘层13、栅极14、第二绝缘层16、源电极19、漏电极20、第三绝缘层21等顶栅TFT所必要的膜层，并图形化，直至完成到平坦化层(Resin)22，在Resin22制作时需要打孔让随后制作的阳极通过Resin孔及PVX孔连接到TFT的漏电极20，可以实现对阳极31(也称反射阳极)进行电信号的传递，最后制作像素界定层(PDL)32，露出待发光区域的阳极，至此，背板就制作完成，此完成工艺制作的背板存在如下几个问题：
[0055] 阳极31制作在最上方，其下方的技术走线及TFT的图形导致段差较大，需要平坦化层22的特殊平坦化材料来进行平坦，材料成本，制作工艺及制作窗口都存在一定问题，平坦化的程度及要求是否能够满足存在一定的技术难度。
[0056] 空间利用率即顶发射的开口率及分辨率受限，如图1a及图1b所示，阳极31与TFT的漏电极20相连接的地方是一个大孔，这个大孔需要PDL层32界定开不能用于显示的面积，因为孔的地方段差较大，无法满足蒸渡或打印OLED器件的需求，严重影响OLED器件的寿命及效率等参数，因此孔的面积处不能用于显示就限制了空间利用率也就限制了开口率及分辨率。
[0057] 当通过工艺整合及某些产品的需求，TFT特性去掉遮光金属层后能够控制到不受光照影响的情况下，可以完全去掉遮光金属，但此工艺步骤由于需要制作对位标记6，无法真正去掉此工艺步骤，只是可以实现显示Panel(面板)内部不制作遮光金属图形，但此步骤由于Mark的必要性，无法去除掉。
[0058] 本发明一实施例中，通过在大尺寸柔性屏的PI层对侧制作用于阳极的图形，再将玻璃翻转去除掉下层玻璃将OLED器件及封装等制作在上方的方案，能够解决上述常规工艺带来的技术问题。
[0059] 如图2所示，本发明一实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：
[0060] 步骤201，形成阳极；
[0061] 步骤202，在所述阳极上形成驱动结构层；
[0062] 步骤203，翻转上述包括阳极和驱动结构层的结构，在所述阳极上形成发光结构层。
[0063] 本实施例提供的方案，由于驱动结构层在阳极上方完成，做完驱动结构层再翻转，与常规方案中阳极与漏电极连接的地方是一个大孔，本实施例提供的方案，漏电极与阳极连接处是一个小孔，大孔在阳极下面的层中，因此，漏电极与阳极连接的地方可以用于显示，从而提高了空间利用率，进一步提高了显示开口率及分辨率。
[0064] 在一实施例中，所述形成阳极包括：
[0065] 在第一玻璃载板上形成第一牺牲层，在所述第一牺牲层上形成阳极。
[0066] 在另一实施例中，所述形成阳极包括：
[0067] 在第一玻璃载板上形成第一牺牲层，在所述第一牺牲层上形成像素界定层，在所述像素界定层上形成所述阳极。
[0068] 在一实施例中，在所述像素界定层上形成所述阳极前，还包括：对所述像素界定层的开口区域进行曝光处理；即仅曝光，仍保留开口区域位置的像素界定层；
[0069] 翻转上述包括阳极和驱动结构层的结构后，还包括：对所述像素界定层进行灰化，形成暴露出所述阳极的开口区域。
[0070] 在一实施例中，在形成所述阳极时，通过一次构图工艺同时形成对位标记。该方案可以去掉制作遮光金属的步骤，减少了一个Mark，降低了制备成本。
[0071] 在一实施例中，在所述阳极上形成驱动结构层包括：
[0072] 形成覆盖所述阳极的平坦化层；
[0073] 在所述平坦化层上形成驱动结构层。
[0074] 在一实施例中，所述平坦化层使用聚酰亚胺或者有机硅氧烷材料制成。
[0075] 在一实施例中，所述平坦化层的厚度大于等于2微米。
[0076] 在一实施例中，翻转上述包括阳极和驱动结构层的结构前，还包括：
[0077] 在所述驱动结构层上压合依次设置有基底、第二牺牲层和第二玻璃载板的盖板，去除所述第一玻璃载板。需要说明的是，在其他实施例中，可以在驱动结构层上形成基底，然后形成第二牺牲层，再压合第二玻璃载板。
[0078] 在一实施例中，在所述平坦化层上形成驱动结构层包括：
[0079] 在所述平坦化层上形成绝缘层，在所述绝缘层上形成有源层；所述绝缘层比如阻挡层和缓冲层，或者，只包括其中之一。
[0080] 在所述有源层上形成第一绝缘层以及设置在所述第一绝缘层上的栅电极；
[0081] 形成覆盖所述栅电极的第二绝缘层；
[0082] 在所述第二绝缘层上形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别与所述有源层连接，所述漏电极与所述阳极连接。
[0083] 下面通过本实施例显示基板的制备过程进一步说明本发明实施例的技术方案。其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光、显影等处理，本实施例中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。
[0084] 图3～12为本实施例显示基板制备过程的示意图。显示基板的制备过程包括：
[0085] (1)形成阳极图案和对位标记图案；
[0086] 首先在第一玻璃载板1上制作第一牺牲层(DBL)2，随后沉积导电薄膜，通过构图工艺对导电薄膜进行构图，形成阳极31图案和对位Mark 6图案；如图3所示，导电薄膜可以采用反射率高的金属，比如氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/ITO ITO，或者钼(Mo)/铝钕(AlNd)/ITO等。对位标记6用于阵列(Array)工艺的后续膜层制作，由于阳极31与对位Mark 6同层形成图形，因此与常规工艺相比减少了Array工艺制程的一层Shield工艺制作。同时还实现了利用阳极31的图形遮挡避免LLO工艺中的光照对TFT特性的影响。
[0087] 需要说明的是，在另一实施例中，也可以不形成对位标记。
[0088] (2)形成平坦化层、阻挡层和缓冲层；
[0089] 在形成上述结构的基础上，涂覆或沉积平坦化层薄膜，形成平坦化层7；
[0090] 其中，所述平坦化层薄膜为PI或者SOG(Silicon Organic Glass，有机硅氧烷材料)。在一实施例中，所述平坦化层7厚度大于等于2um，有利于防止阳极31影响TFT特性。
[0091] 随后，沉积绝缘薄膜，形成阻挡(Barrier)层，其中，所述阻挡层用于来阻挡PI或SOG材料对上方TFT有源层的影响，Barrier层材料与常规工艺一样采用SiOx或者SiNx薄膜。
[0092] 随后，沉积缓冲薄膜，形成缓冲(Buffer)层，其中，缓冲薄膜比如采用SiOx或者SiNx薄膜。如图4所示。图4中将缓冲层和阻挡层以一层进行示意，即阻挡层+缓冲层8。
[0093] 需要说明的是，在另一实施例中，也可以只形成阻挡层，不形成缓冲层，或者，阻挡层和缓冲层通过一次形成。
[0094] (3)形成有源层、栅电极图案。
[0095] 形成有源层、栅电极图案包括：
[0096] a、在形成上述结构的基础上，沉积一层有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成设置在阻挡层+缓冲层8上的有源层12图案；
[0097] b、随后，依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成设置在有源层12上的第一绝缘层13、设置在第一绝缘层13上的栅电极14，如图5所示。第一绝缘层也称之为栅绝缘层(GI)。
[0098] (4)形成开设有过孔的第二绝缘层图案。
[0099] 形成开设有过孔的第二绝缘层图案包括：在形成上述结构的基础上，沉积第二绝缘薄膜，通过构图工艺对第二绝缘薄膜进行构图，在显示区域形成开设有第一过孔、第二过孔、第三过孔的第二绝缘层16图案，第一过孔中的第二绝缘层16、平坦化层7和阻挡层+缓冲层8被刻蚀掉，暴露出阳极31，第二过孔和第三过孔中的第二绝缘层16被刻蚀掉，暴露出有源层12，如图6所示。第二绝缘层16又称为层间介质层(ILD)。
[0100] 需要说明的是，在另一实施例中，也可以在形成平坦化层7时，形成带有过孔的平坦化层7，暴露出所述阳极31。后续形成第一过孔时，刻蚀掉第二绝缘层16、阻挡层+缓冲层8即可。
[0101] (5)形成源电极和漏电极图案。形成源电极和漏电极图案包括：在形成上述结构的基础上，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，形成源电极19图案和漏电极20图案，源电极19通过第三过孔与有源层12连接，漏电极20通过第一过孔与阳极31连接，漏电极20通过第二过孔与有源层12连接。如图7所示。
[0102] (6)形成第三绝缘层图案
[0104] (7)将盖板玻璃压合到上述结构上。
[0105] 具体的，包括：将带有第二基底9、第二牺牲层10的第二玻璃载板17压合到上述结构上，如图9所示。
[0106] 在一实施例中，所示第二基底9比如使用PI薄膜制成。第二基底9作为该显示基板的柔性基底。
[0107] (8)将第一玻璃载板1利用LLO技术去除掉，如图10所示，同时第一牺牲层2也相应的去除掉。
[0109] (10)最后，剥离第二玻璃载板17，完成显示基板的制备，如图12所示。
[0110] 本实施例提供的显示基板，由于所有TFT膜层结构都在阳极上方完成，做完TFT再进行玻璃的翻转，与常规方案相比，漏电极与阳极的接触大孔在阳极下方，因此提高了空间利用率，进一步提高了显示开口率及分辨率。与常规工艺相比较的俯视示意图如图13所示。与图1b所示的像素开口区域相比，本实施例提供的显示基板的开口区域大于图1b中的像素开口区域，即本实施例提供的方案，提高了显示开口率及分辨率。
[0111] 另外，由于TFT膜层在阳极背面先形成，因此段差不在靠近阳极一侧，所以给打印OLED器件对平坦化的高要求提供了技术窗口，避免因平坦化层工艺的制作难度，导致打印顶发射OLED不容易实现的问题。
[0112] 另外，阳极用作遮光金属，且对位标记与阳极同层形成，去除了一步Mark，降低了制作成本。
[0113] 在另一实施例中，制作完第一牺牲层2后，制作像素界定层32，随后在像素界定层32上在制作阳极31，此时像素界定层32可以采用半曝光的方式将要露出来阳极31的区域进行半曝光，减小此区域的像素界定层厚度，最后在翻转之后，可以在阵列(Array)制程仅进行一步灰化把半曝光区域的像素界定层处理掉露出阳极就可以执行后续工序。需要说明的是，在其他实施例中，也可以采取其他方法，比如不进行半曝光，在翻转后对像素界定层32进行刻蚀暴露出阳极31。
[0114] 需要说明的是，本实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。
[0115] 本发明一实施例提供一种显示基板，包括：在基底上依次设置的驱动结构层、阳极和发光结构层，其中：所述驱动结构层包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极设置在所述有源层远离所述阳极的一侧，所述源电极和漏电极设置在所述栅电极远离所述阳极的一侧。
[0116] 在一实施例中，所述显示基板还包括对位标记，且所述对位标记与所述阳极同层设置。
[0117] 在一实施例中，所述阳极和所述驱动结构层之间设置有平坦化层，所述平坦化层使用聚酰亚胺或者有机硅氧烷材料制成。
[0118] 在一实施例中，所述平坦化层的厚度大于等于2微米。
[0119] 图12为本发明一实施例提供的显示基板。如图12所示，该显示基板包括：第二基底9、驱动结构层、阳极31、发光结构层。其中，驱动结构层包括第三绝缘层21、源电极19、漏电极20、第二绝缘层16、栅电极14、第一绝缘层13、有源层12、阻挡层+缓冲层8，阳极31和驱动结构层之间有平坦化层7，发光结构层包括有机发光层及阴极33、封装层34。阳极31和发光结构层之间包括像素界定层32。与阳极31同层设置有对位标记6。
[0120] 上述显示基板可以使用前述显示基板的制备方法制备，也可以使用其他方法制备。
[0121] 本实施例提供的显示基板，与常规方案相比，漏电极与阳极的接触大孔在阳极下方，因此提高了空间利用率，进一步提高了显示开口率及分辨率。另外，无需单独制作遮光金属层和对位标记，降低了制作成本。另外，阳极用作遮光金属，且对位标记与阳极同层形成，去除了一步Mark，降低了制作成本。
[0122] 基于本发明实施例的技术构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0123] 有以下几点需要说明：
[0124] (1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
[0125] (2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
[0126] (3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
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