专利汇可以提供一种多参数特高频传感器性能综合评价方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种多参数特高频 传感器 性能综合评价方法,包括采用GTEM小室对待测特高频传感器进行等效高度测试和灵敏度测试;采用网络分析仪对待测特高频传感器进行 驻波 比测试;采用GIS作为测试模型对待测特高频传感器进行故障模型 信噪比 测试。与 现有技术 相比,本发明提供的一种多参数特高频传感器性能综合评价方法,从等效高度、驻波比、灵敏度和故障模型信噪比四个方面综合评价特高频传感器的性能。,下面是一种多参数特高频传感器性能综合评价方法专利的具体信息内容。
1.一种多参数特高频传感器性能综合评价方法,其特征在于,所述方法包括:
采用GTEM小室对待测特高频传感器进行等效高度测试和灵敏度测试;
采用网络分析仪对所述待测特高频传感器进行驻波比测试;
采用GIS作为测试模型对所述待测特高频传感器进行故障模型信噪比测试。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述等效高度测试包括:
步骤11:将参考探针天线置于所述GTEM小室的测试区域的中心,调节脉冲源输出第一脉冲波形,通过示波器记录所述参考探针天线的输出波形和傅里叶分解后的频域-幅值曲线;
步骤12:将待测特高频传感器置于所述GTEM小室的测试区域内,调节脉冲源输出所述第一脉冲波形,通过示波器记录待测特高频传感器的输出波形和傅里叶分解后的频域-幅值曲线;
步骤13:比较所述待测特高频传感器的频域-幅值曲线和所述参考探针天线的频域幅值曲线,得到所述待测特高频传感器的频域-等效高度曲线;
步骤14:获取所述频域-等效高度曲线中300MHz~1500MHz内等效高度的最小值Hmin、最大值Hmax和平均值Have;
步骤15:确定等效高度的频带,所述频带为频域-等效高度曲线中等效高度大于
0.707×Hmax的区域的频率范围。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述灵敏度测试包括:
步骤21:将待测特高频传感器置于所述GTEM小室的测试区域内,调节脉冲源输出第一脉冲波形,通过示波器记录待测特高频传感器的输出波形;
步骤22:逐步降低所述第一脉冲波形的幅值,直至脉冲源输出为0;通过示波器记录同一幅值下待测特高频传感器的任意两组输出波形;采用互相关函数计算所述两组输出波形的互相关系数;
步骤23:依据不同的第一脉冲波形的幅值及其互相关系数,构建幅值-互相关系数曲线;
步骤24:依据所述幅值-互相关系数曲线确定待测特高频传感器的最小可识别电压;
待测特高频传感器的灵敏度为对所述最小可识别电压进行积分计算后得到的在该最小可识别电压下测试区域的电场。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述步骤24中最小可识别电压为幅值-互相关系数曲线中与数值大于0.3且最接近0.3的相互关系数对应的电压。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述驻波比测试包括:
将所述待测特高频传感器接入网络分析仪,在待测特高频传感器的接收面上敷设吸波材料;通过所述网络分析仪对待测特高频传感器进行驻波比测试,得到驻波比曲线;记录所述驻波比曲线的最大值、平均值,以及大于预置驻波比值的频率范围。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述故障模型信噪比测试包括:
步骤31:在所述GIS内部放置尖板放电故障模型;
步骤32:向所述GIS腔体内注入SF6气体;
步骤33:采用脉冲电流法测试GIS中接地线上的放电量;
步骤34:将所述待测特高频传感器放置在所述GIS的盆式绝缘子上,通过示波器记录待测特高频传感器的输出波形;
步骤35:向所述GIS施加电压,采集所述接地线的放电量:
若放电量小于放电量下限值,则继续向GIS施加电压;
若放电量大于放电量上限值,则停止向GIS施加电压;
步骤36:依据测特高频传感器的输出波形,计算测特高频传感器的信噪比;
步骤37:将所述GIS的电压将至为0,抽出SF6气体后,将所述尖板放电故障模型替换为悬浮电位放电模型或者悬浮颗粒放电模型或者电晕放电模型,重复执行步骤32-步骤36。
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