Ic testing contact
专利汇可以提供Ic testing contact专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To provide contact structure, in which little noise voltage is generated, by short-circuiting a contact part in one end of a plate spring part, which constitutes a contact and is formed into a U-shape, to a terminal part by a lump of a fine line having a spring effect. CONSTITUTION:A contact is formed of phosphor bronze, for example. The length of a U-shaped part constituting the contact is 10mm, for example, while the thickness of a plate spring part 3 is 0.5mm. In order to provide a lump of a fine line 9, an Au-plated fine line with a diameter of 50mum is folded multiple times so as to be formed into a cylinder with a diameter of 0.5mm and a length of 1mm, and the lump of a fine line 9 is fitted and fixed between the contact part 2, in which a groove with a diameter of 0.5mm is previously arranged, and a terminal part 4. The inductance of the lump of the fine line 9 is 0.63nH. In this way, the noise voltage can be reduced to 50mV or less, while abrasion is avoidable as no slide part is provided in the contact and the contact with good durability can be made avaitable in practical use.，下面是Ic testing contact专利的具体信息内容。
試験用コンタクト。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ＩＣの電気的試験に使用するコンタクトの構造に関する。 大量の情報を迅速に処理する必要から情報処理装置の主体を構成する半導体装置は単位素子の小形化による大容量化が進められてＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されており、ＵＬＳＩが開発されつゝある。 また、この大容量化と共に信号の高速化も行なわれており、そのため、集積回路の電気的試験に使用するＩＣソケットを構成するコンタクトも必要条件が厳しくなってきている。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のコンタクト１の構成図であって、燐青銅やベリニウム銅など弾性をもつ金属材料を用いて、ＩＣのリード端子が当接される接触部２と板バネ部３と端子部４が構成されており、四方向に50本づつのリード端子を備えたフラットパッケージ型ＩＣを試験するＩＣソケットの場合は、リード端子と同じピッチでコンタクト１が四方向に50本づつ埋め込まれて構成されると共に、コンタクト１の端子部４はリード線を通じてコネクタに接続されており、ＩＣ試験機に回路接続できるよう構成されている。
【０００３】こゝで、かゝるＩＣソケットを構成するコンタクトの必要条件として、 スプリング作用をもっていること、 発生するノイズ電圧値が少ないこと、
低インピーダンスであること、などを挙げることができる。
【０００４】すなわち、フラットパッケージ型ＩＣ（以下略してＩＣ）の試験に当たってはリード端子を確実にコンタクトの接触部に接触させるために、ＩＣ素子に一定の加圧を行なうことから、コンタクトはスプリング効果を有していることが必要であり、そのため図３に示すように板バネ構造をとっているが、それによりインダクタンス（Ｌ）が大となり、信号電流の通過に際してかなりの大きさのノイズ電圧（Ｖ n ) が発生すると云う問題がある。
【０００５】いま、理解を容易にするためにノイズ電圧（Ｖ n ) の大きさを数式で表すと、 Ｖ n ＝Ｌ・di/dt ・・・・・・・・・・・（１） となり、こゝで板バネ部の長さは10 mm 程度で実測値は約10 nＨ, また、電流変化 di/dt ＝200mＡ／３ nＳ程度が一般的な値であり、この値を（１）式に代入するとＶ n ＝666mＶとなる。 このノイズ電圧はＩＣの電気的特性の測定に当たって電流が流れる電源用端子，グランド用端子，信号用端子に発生するために電気的特性の正確な評価を行なうことができず、製品の歩留りにも影響している。
【０００６】こゝで、Ｖ nを減少させるにはＬの値を減らせばよいことから、図４に示すように各種の構造が提案されている。 すなわち、同図（Ａ，特開平4-144083)
は、リード端子がコンタクトの接触部２に接触して押圧される毎に接触部２が端子部４の上をスライドしてバネ弾性を保持する構造であり、接触部２と端子部４とが直接に接触していることから、インダクタンス（Ｌ）を減らすことができる。 然し、接触部２がスライドする構造であるために加圧により位置ずれが生じ、接触圧力がバラツク原因となり、また、微細ピッチのソケット構造が作り難いと云う問題がある。
【０００７】また、同図（Ｂ，特開平3-17979)はＵ字型をした板バネ部３の中に剛性をもち、くの字形をしたバイパス片６を設け、接触片２が加圧されるとバイパス片６は支点７を中心として同図の左端は降下し、右端は上昇する結果として接触部２の復帰を促す構造であるが、
バイパス片６と板バネ部３との接触部が加圧によりスライドする構造であり、摩耗により耐久性が低下する恐れがあり、また、バイパス片６として細い板バネを使用することから高周波特性の向上への寄与が少ないと云う問題がある。
【０００８】また、同図（Ｃ，特開平1-154479) はコンタクトの接触部２が降下して端子部４に接触すると共に接触部２がスライドする構造であるが、この構造では接触圧の調整が困難であり、リード端子は接触により圧力が急上昇する結果、リード曲がりが生じ易いと云う問題がある。 このように各種の構造が提案されているが、何れも信頼性に問題がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ＩＣソケットを構成するコンタクトはＩＣの集積度の向上と共に小形化し、ピッチ間隔も縮小しているが、信号の周波数も高周波化しており、電気的試験を行なうに当たってはコンタクトで発生するノイズ電圧がＩＣの電気的特性の正確な測定を妨げている。 そこで、ノイズ電圧の発生の少ないコンタクト構造を実用化することが課題である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題はＩＣのリード端子を当接し、試験器より信号電流を通電して電気的試験を行なうのに使用するコンタクトのそれぞれが、Ｕ
字型をした板バネの開放端を細線を幾重にも重ねて構成されスプリング効果をもつ細線塊により短絡してＩＣ試験用コンタクトを構成することにより達成することができる。
【００１１】
【作用】本発明はコンタクトを構成するＵ字形をした板バネ部の一端にある接触部と端子部とをスプリング効果をもつ細線塊により短絡することにより、従来の問題を解決するものである。 すなわち、従来のコンタクトは板バネ部によるインダクタンスを減らすために、接触部と端子部或いは新たに設けたバイパス片をスライドさせる構造をとっているが、本発明はスプリング効果をもつ細線塊により常に両者を接続しておくものである。
【００１２】第１図は本発明に係るコンタクトの構成を示すもので、同図（Ａ）は正面図、同図（Ｂ）は斜視図、また、同図（Ｃ）は細線塊９の構成を示す斜視図であるが、問題は細線塊９がスプリング効果をもち、また、低インピーダンスであることが必要である。
【００１３】発明者はこれを直径が20〜100 μm のモリブデン(Mo)細線を不規則に幾重にも積み重ねた細線塊を用いることで成功した。 こゝでMoは抵抗率が5.0 ×10 -6
Ω・cmと高いのでMo細線は予め金(Au)メッキか銀(Ag)メッキを施して低抵抗化しておく必要がある。 なお、発明者等の実験によると細線塊を構成する金属としてMoのように剛性の優れた金属ほどスプリング効果に優れていた。
【００１４】次に、図２は細線塊９の固定方法を示すもので、同図（Ａ）は板バネ部３の端部にあり、対向する接触部２と端子部４に溝10を設けて嵌合させ、位置ずれを防ぐ構造、また、同図（Ｂ）は上下を絞った細線塊９
を用い、接触部２と端子部４に設けた擂鉢状の穴に入れ込んだ構造、また、同図（Ｃ）は接触部２と端子部４に突起11を設け、上下部に設けた細線塊９の窪みに嵌合させた構造である。
【００１５】このように細線塊９で、板バネ部３の接触部２と端子部４とを短絡させると、インダクタンス（Ｌ）の値が約１ nＨとなるので、ノイズ電圧（Ｖ n )
の大きさは先の（１）式より66.6 mＶと従来に較べて約１／10に減少するので、ＩＣの電気的特性を正確に測定することができる。
【００１６】
【実施例】図１に示すコンタクトを燐青銅により形成した。 こゝで、コンタクトを構成するＵ字部の長さは10 m
m で、板バネ部３の厚さは0.5 mm である。 また、細線塊９としてはAuメッキを施した直径50μm の細線を幾重にも折り曲げて直径0.5 mm で長さが１ mm の円柱状に加工したものを用い、直径0.5 mm の溝が予め設けてある接触部２と端子部４に嵌合させて固定した。 なお、この細線塊９のインダクタンス（Ｌ）は0.63 nＨであり、
これにより、ノイズ電圧（Ｖ n ) の大きさを50 mＶ以下に減らすことができ、また、コンタクトにスライド部がないために摩耗がなく耐久性に優れたコンタクトを実用化することができた。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係るコンタクトを使用したＩＣ
ソケットの使用によりＩＣの電気的特性を正確に測定することが可能となった。
【図１】 本発明に係るコンタクトの構成図である。
【図２】 細線塊の固定方法を示す正面図である。
【図３】 従来のコンタクトの構成を示す正面図である。
【図４】 従来の各種コンタクトの構成を示す正面図である。
１ コンタクト ２ 接触部 ３ 板バネ部 ４ 端子部 ９ 細線塊 10 溝 11 突起
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