技术领域
[0001] 本
发明涉及
半导体技术领域，尤其是一种LED灯珠制备方法。
背景技术
[0002] 目前，倒装蓝
宝石芯片已广泛应用在LED封装上，一般都是采用点胶工艺、
喷涂工艺，也有小数企业采用贴
荧光膜工艺。但是采用贴荧光膜片工艺的都会在芯片上点透明
硅胶后，再将膜片贴上去，这有可能造成膜片位偏等问题。
发明内容
[0003] 为了克服以上不足，本发明提供了一种LED灯珠制备方法，有效的解决了
现有技术中在倒装LED芯片表面贴荧光膜时可能会出现的膜片偏位等问题。
[0004] 一种LED灯珠制备方法，包括：
[0005] 在
支撑膜表面涂覆预设厚度的荧光粉层并进行
烘烤得到荧光膜；
[0006] 将荧光膜贴于UV膜表面；
[0007] 将倒装LED芯片均匀排列于荧光膜表面；
[0009] 在LED芯片之间对硅胶进行切割，得到单颗带荧光膜的LED芯片；
[0010] 将带有荧光膜的LED芯片固定于
支架表面；
[0011] 将白胶流入LED芯片之间并固化；
[0012] 根据需求对支架及LED芯片间的白胶进行切割，在荧光膜表面压制透镜得到LED灯珠。
[0013] 进一步优选地，在支撑膜表面涂覆预设厚度的荧光粉层并进行烘烤得到荧光膜，进一步包括：所述荧光膜具备粘性。
[0014] 进一步优选地，将倒装LED芯片均匀排列于荧光膜表面，进一步包括：
[0015] LED芯片之间的距离为50～400μm。
[0016] 进一步优选地，在步骤将白胶流入LED芯片之间并固化之后，还包括：在荧光膜表面制备硅胶层；
[0017] 在步骤根据需求对支架及LED芯片间的白胶进行切割，得到LED灯珠中，具体为：根据需求对支架、LED芯片间的白胶及硅胶层进行切割，在硅胶层表面压制透镜得到LED灯珠。
[0018] 在本发明提供的LED灯珠制备方法中，预先制备具备粘性的荧光膜，并将倒装LED芯片均匀排列于荧光膜表面，在LED芯片之间点入硅胶后固化，以此将荧光膜固化在倒装LED芯片表面(LED芯片发光侧表面)，无需在LED芯片表面点硅胶就能实现荧光膜的固化，有效避免了可能出现的膜片位偏等技术问题，提高了倒装LED芯片中心照度的同时，提高了LED灯珠的
亮度，改善出光
颜色的均一性。
附图说明
[0019] 图1为本发明中LED灯珠制备方法一种实施方式流程示意图；
[0020] 图2为本发明中一实例中制备得到的LED灯珠结构示意图；
[0021] 图3为本发明中LED灯珠制备方法另一种实施方式流程示意图；
[0022] 图4为本发明中另一实例中制备得到的LED灯珠结构示意图。
[0023] 1-支架，2-倒装LED芯片，3-硅胶，4-白胶，5-荧光膜，6-透镜，7-硅胶层。
具体实施方式
[0024] 为了更清楚地说明本发明
实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
[0025] 如图1所示为本发明提供的LED灯珠制备方法一种实施方式流程示意图，从图中可以看出，在该制备方法中包括：
[0026] S1在支撑膜表面涂覆预设厚度的荧光粉层并进行烘烤得到荧光膜5；
[0027] S2将荧光膜5贴于UV膜表面；
[0028] S3将倒装LED芯片2均匀排列于荧光膜5表面；
[0029] S4将硅胶3点入LED芯片2之间并固化；
[0030] S5在LED芯片2之间对硅胶3进行切割，得到单颗带荧光膜5的LED芯片2；
[0031] S6将带有荧光膜5的LED芯片2固定于支架1表面；
[0032] S7将白胶4流入LED芯片2之间并固化；
[0033] S8根据需求对支架1及LED芯片2间的白胶4进行切割，在荧光膜5表面压制透镜6得到LED灯珠，如图2所示。
[0034] 对上述实施方式进行改进得到本实施方式，在本实施方式中，如图2所示，LED灯珠制备方法中包括：
[0035] S1在支撑膜表面涂覆预设厚度的荧光粉层并进行烘烤得到荧光膜5；
[0036] S2将荧光膜5贴于UV膜表面；
[0037] S3将倒装LED芯片2均匀排列于荧光膜5表面；
[0038] S4将硅胶3点入LED芯片2之间并固化；
[0039] S5在LED芯片2之间对硅胶3进行切割，得到单颗带荧光膜5的LED芯片2；
[0040] S6将带有荧光膜5的LED芯片2固定于支架1表面；
[0041] S7将白胶4流入LED芯片2之间并固化；
[0042] S9在荧光膜5表面制备硅胶层7
[0043] S8根据需求对支架1、LED芯片2间的白胶4及硅胶层7进行切割，在硅胶层7表面压制透镜6得到LED灯珠，如图4所示(透镜未示出)。
[0044] 具体来说，在上述实施方式步骤S1中，按照一定
质量比(硅胶:荧光粉＝1:1～2)将荧光粉和硅胶混合后使用
脱泡机均匀混合，在支撑膜表面均匀涂覆预设厚度(如50～150μm)，在
温度80～90℃条件下烘烤15～30min，烘烤后，荧光膜5仍然具备一定的粘性，便于在后续步骤中能够黏住倒装LED芯片2。在步骤S2中，将荧光膜5贴于耐高温的UV膜上，且荧光膜5下表面与UV膜之间无空气存在；之后，在步骤S3中，将倒装LED芯片2均匀排列于荧光膜5表面，LED芯片2之间的距离为50～400μm。在步骤S4中，LED芯片2之间硅胶3的厚度小于LED芯片2的厚度，保证硅胶3不会溢出至LED芯片2上，之后放入
烤箱中将荧光膜5片和白胶4固化。在步骤S6中，固定支架1可以为陶瓷
底板、EMC、SMC、PCT、PPA等。在步骤S7中，白胶4不能溢到荧光膜5的上方，即白胶4的厚度小于LED芯片2+荧光膜5的厚度。在步骤S9中，荧光膜5上压制的硅胶层7可以由硅胶3制备而成或由掺有
钛白粉的硅胶3制备而成，厚度在30～150μm。
[0045] 实施例一
[0046] 1：按照一定质量比(硅胶:黄色荧光粉:红色荧光粉＝1:1.067:0.033)将荧光粉与硅胶混合，并用脱泡机进行均匀混合后，在支撑膜上均匀涂覆一层厚度65μm，在温度80℃的条件下烘烤30min；
[0047] 2：将荧光膜贴在耐高温的UV膜上；
[0048] 3：将倒装LED芯片(尺寸为28mil)等距离固定粘结在荧光膜上，LED芯片之间的距离50μm；之后将硅胶点在LED芯片之间的间距里，放入烤箱将荧光膜和硅胶固化；
[0049] 4：按照LED芯片之间的中心
位置(即距离LED芯片25μm处)，用刀片切开成单个的带有荧光膜的LED芯片；
[0050] 5：将切割好的LED芯片翻到蓝膜上，并扩开，以便好固晶。
[0051] 6：将带有荧光膜的LED芯片固在陶瓷底板上，单颗尺寸为2.0x1.6mm；
[0052] 7：将混合好并均匀搅拌后的白胶流在LED芯片四周并固化；
[0053] 8：在硅胶里掺入钛白粉，钛白粉含量1％，在模具里，在荧光膜表面压一层厚度为100μm的硅胶层。
[0054] 9：按照光电参数要求，将整个支架进行切割，得到LED灯珠。
[0055] 实施例二
[0056] 1：按照一定质量比(硅胶:黄色荧光粉＝1:1.2)的荧光粉与硅胶混合，并用脱泡机均匀混合后，在支撑膜上均匀涂覆一层厚度55μm，在温度80℃的条件下烘烤30min；
[0057] 2：将荧光膜贴在耐高温的UV膜上；
[0058] 3：将LED芯片(尺寸为57mil)等距离固在荧光膜上，LED芯片之间的距离200μm；之后将硅胶点在LED芯片之间的间距里，放入烤箱将荧光膜和硅胶固化；
[0059] 4：按照LED芯片之间的中心位置(即距离LED芯片100μm处)，用刀片切开成单个的带有荧光膜的LED芯片；
[0060] 5：将切割好的LED芯片翻到蓝膜上，并扩开，以便好固晶。
[0061] 6：将带有荧光膜的LED芯片固在陶瓷底板，单颗尺寸2.5x2.5mm；
[0062] 7：将混合好并均匀搅拌后的白胶流在LED芯片四周并固化；
[0063] 8：按照光电参数要求，将整个支架进行切割，得到LED灯珠。
[0064] 实施例三
[0065] 1：按照一定质量比(硅胶:黄色荧光粉＝1:1.15)的荧光粉与硅胶混合，并用脱泡机均匀混合后，在支撑膜上均匀涂覆一层厚度55μm，在温度80℃的条件下烘烤30min；
[0066] 2：将荧光膜贴在耐高温的UV膜上；
[0067] 3：将LED芯片(尺寸为30mil)等距离固在荧光膜上，LED芯片之间的距离150μm；之后将硅胶点在LED芯片之间的间距里，放入烤箱将荧光膜和硅胶固化；
[0068] 4：按照LED芯片之间的中心位置(即距离LED芯片75μm处)，用刀片切开成单个的带有荧光膜的LED芯片；
[0069] 5：将切割好的LED芯片翻到蓝膜上，并扩开，以便好固晶；
[0070] 6：将带有荧光膜的LED芯片固在EMC支架上，单颗尺寸3.0x3.0mm；
[0071] 7：将混合好并均匀搅拌后的白胶流在支架里并烘烤固化；
[0072] 8：按照光电参数要求，将整个支架进行切割，得到LED灯珠。
[0073] 应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
