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窒化物半導体結晶及びその作製方法

阅读:2发布:2021-08-10

专利汇可以提供窒化物半導体結晶及びその作製方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且 低温で高品質な窒化物半導体結晶を作製する。 原料であるIII族元素および/またはその化合物と、窒素元素および/またはその化合物と、Sb元素および/またはその化合物とを 基板 (105)上に供給することで少なくとも一層以上の窒化物半導体膜(104)を気相成長させて作製した窒化物半導体結晶であって、少なくとも一層以上の窒化物半導体結晶膜(104)は、その成長過程における窒素元素に対するSb元素の供給比が0.004以上である。,下面是窒化物半導体結晶及びその作製方法专利的具体信息内容。

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