一种金线莲组培苗的培育方法
专利汇可以提供一种金线莲组培苗的培育方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种金线莲组培苗的培育方法，包括以下步骤：取材、 种子 的诱导萌发、 幼苗 培养和移栽炼苗。本发明主要是通过一次性诱导培养基接种金线莲茎段或茎尖，并根据 植物 的生长特性，通过培养 温度 、光照强度、光照周期的控制培养组培苗，培养得到健壮老练的高品质金线莲组培苗。只需要一个培养基即可完成对组培苗的诱导、壮苗和生根过程，可大幅降低人 力 及物料成本；在诱导的时间内，采用纯暗培养的方法来培养，能有效提升生长速度，进一步缩减了生产成本；改良了培养基的配方，不添加生化 激素 ，避免了激素对组培苗的基因影响，并通过增加 钾 肥和 硅 肥，使得特别在壮苗阶段，瓶苗生长的粗壮度、整齐度得到提高，提升种苗的市场竞争力。，下面是一种金线莲组培苗的培育方法专利的具体信息内容。
1.一种金线莲组培苗的培育方法，其特征在于：依次包括以下步骤：
（1）取材：选择野生生长健壮的金线莲茎段或茎尖为种源外植体经脱毒后获得的继代次数在3-6次的无菌母苗作为组培母苗，将准备的组培母苗去叶，切成每段含有一个茎节的茎段或茎尖，每个组培瓶内接种25-30个茎段或茎尖；
（2）茎段的诱导萌发：将步骤（1）获得的金线莲茎段或茎尖接种于诱导培养基中进行诱导培养，在组培室内进行培养；
设置培养条件为：诱导15～20天，进行暗培养，温度设置为24～26℃，湿度60％，培养结束获得茎段幼苗；
（3）幼苗培养：将步骤（2）培养获得的茎段幼苗进行光照培养，待发育成小苗，并由小苗培养生长至3-4cm，得到组培苗；
设置培养条件为：进行光照与暗培养交替培养，培养温度为20～25℃，光照强度为
1000-1500lux，避免直射，光照时间为8～12h/天；
（4）移栽炼苗：在组培苗在培养室生长三月至四月后，选取具有叶4-5张、发根3-5条的组培苗分离出组培瓶，清洗培养基进行移栽，移栽至遮阴棚的基质中栽培炼苗；
设置培养条件为：遮光率85％，温度设置为10～30℃，湿度为60-80%；在自然阳光下炼苗一至三个月获得强壮的组培苗。
2.根据权利要求1所述的一种金线莲组培苗的培育方法，其特征在于：所述培养基配方设置为：MS+花宝一号0.2～0.4g/L+蔗糖25～35g/L+活性炭1～2g/L+香蕉100～120g/L，pH为6.1～6.5。
3.根据权利要求1所述的一种金线莲组培苗的培育方法，其特征在于：所述培养基内还设添加有：钾肥0.2～0.4g/L和硅肥0.2～0.3g/L。
一种金线莲组培苗的培育方法
技术领域
背景技术
发明内容
（2）茎段的诱导萌发：将步骤（1）获得的金线莲茎段或茎尖接种于诱导培养基中进行诱导培养，在组培室内进行培养；
设置培养条件为：诱导15～20天，进行暗培养，温度设置为24～26℃，湿度60％，培养结束获得茎段幼苗；
（3）幼苗培养：将步骤（2）培养获得的茎段幼苗进行光照培养，待发育成小苗，并由小苗培养生长至3-4cm，得到组培苗；
设置培养条件为：进行光照与暗培养交替培养，培养温度为20～25℃，光照强度为
1000-1500lux，避免直射，光照时间为8～12h/天；
（4）移栽炼苗：在组培苗在培养室生长三月至四月后，选取具有叶4-5张、发根3-5条的组培苗分离出组培瓶，清洗培养基进行移栽，移栽至遮阴棚的基质中栽培炼苗；
设置培养条件为：遮光率85％，温度设置为10～30℃，湿度为60-80%；在自然阳光下炼苗一至三个月获得强壮的组培苗。
2)、在金线莲茎段或茎尖诱导的时间内，采用纯暗培养的方法来培养，能有效提升生长速度，并且瓶苗的生长成齐率和叶片色泽更佳，在保证优良的前提下大幅降低了用电量，进一步缩减了生产成本；
3)、改良了培养基的配方，不添加生化激素，避免了激素对组培苗的基因影响，并通过增加钾肥和硅肥，使得特别在壮苗阶段，瓶苗生长的粗壮度、整齐度得到提高，提升种苗的市场竞争力。
具体实施方式
（1）取材：选择野生生长健壮的金线莲茎段或茎尖为种源外植体经脱毒后获得的继代次数在4次的无菌母苗作为组培母苗，将准备的组培母苗去叶，切成每段含有一个茎节的茎段或茎尖，每个组培瓶内接种24个茎段或茎尖；
（2）茎段的诱导萌发：将步骤（1）获得的金线莲茎段或茎尖接种于诱导培养基中进行诱导培养，在组培室内进行培养；
设置培养条件为：诱导20天，进行暗培养，温度设置为24～26℃，湿度60％，培养结束获得茎段幼苗；
设置的培养基配方设置为：MS+花宝一号0.3g/L+蔗糖30g/L+活性炭1.5g/L+香蕉120g/L，pH为6.3。
（4）移栽炼苗：在组培苗在培养室生长三月至四月后，选取具有叶4-5张、发根3-5条的组培苗分离出组培瓶，清洗培养基进行移栽，移栽至遮阴棚的基质中栽培炼苗；
设置培养条件为：遮光率85％，温度设置为24℃，湿度为80%；在自然阳光下炼苗一至三个月获得强壮的组培苗。
（1）取材：选择野生生长健壮的金线莲茎段或茎尖为种源外植体经脱毒后获得的继代次数在4次的无菌母苗作为组培母苗，将准备的组培母苗去叶，切成每段含有一个茎节的茎段或茎尖，每个组培瓶内接种24个茎段或茎尖；
（2）茎段的诱导萌发：将步骤（1）获得的金线莲茎段或茎尖接种于诱导培养基中进行诱导培养，在组培室内进行培养；
设置培养条件为：诱导19天，进行暗培养，温度设置为24～26℃，湿度60％，培养结束获得茎段幼苗；
设置的培养基配方设置为：MS+花宝一号0.3g/L+蔗糖30g/L+活性炭2g/L+香蕉120g/L，并添加有钾肥0.3g/L和硅肥0.2g/L，pH为6.3。
（4）移栽炼苗：在组培苗在培养室生长三月至四月后，选取具有叶4-5张、发根3-5条的组培苗分离出组培瓶，清洗培养基进行移栽，移栽至遮阴棚的基质中栽培炼苗；
设置培养条件为：遮光率85％，温度设置为25℃，湿度为75%；在自然阳光下炼苗一至三个月获得强壮的组培苗。
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