专利汇可以提供全光纤明亮压缩态光场产生装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种全光纤明亮压缩态光场产生装置,所述装置包括低噪声单频 激光器 、10:90 耦合器 、第一 块 周期极化非线性晶体 波导 、倍频光传输光纤、基频光滤除器、第二块周期极化非线性晶体波导、0.1:99.9耦合器、 相位 控制器 和光学参量 放大器 。本发明利用反向注入 种子 光的方法在波导中制备了全光纤明亮压缩态,彻底避免了光学参量 振荡器 带来的模式匹配、模式 锁 定等问题;其结构紧凑,体积小;控制装置简单可靠,光路无需匹配调节;抗干扰能 力 强;全光纤的系统结构有利于后端应用系统的匹配。本发明可以广泛应用于光场产生装置领域。,下面是全光纤明亮压缩态光场产生装置专利的具体信息内容。
1.一种全光纤明亮压缩态光场产生装置,其特征在于:包括低噪声单频激光器、10:90耦合器、第一块周期极化非线性晶体波导、倍频光传输光纤、基频光滤除器、第二块周期极化非线性晶体波导、0.1:99.9耦合器、相位控制器和光学参量放大器;
其中,低噪声单频激光器的输出端与10:90耦合器的输入端连接;10:90耦合器的输出端小端与相位控制器的输入端连接,10:90耦合器的输出端大端与第一块周期极化非线性晶体波导的输入端连接;第一块周期极化非线性晶体波导的输出端经由倍频光传输光纤与基频光滤除器的输入端相连;基频光滤除器的输出端与第二块周期极化非线性晶体波导的输入端相连;第二块周期极化非线性晶体波导的输出端与0.1:99.9耦合器的输入端相连,构成光学参量放大器;相位控制器的输出端与0.1:99.9耦合器的输出端小端相连以将种子光反向注入到光学参量放大器内;0.1:99.9耦合器的输出端作为最终输出端口。
2.根据权利要求1所述的一种全光纤明亮压缩态光场产生装置,其特征在于:所述低噪声单频激光器为连续单频光纤激光器或单频半导体激光器,所述低噪声单频激光器的输出功率大于1W;所述低噪声单频激光器的输出波长为1.0μm、1.5μm或2.0μm波段。
3.根据权利要求1所述的一种全光纤明亮压缩态光场产生装置,其特征在于:所述低噪声单频激光器的强度噪声在大于500kHz的频带范围内达到量子噪声极限。
4.根据权利要求1所述的一种全光纤明亮压缩态光场产生装置,其特征在于:所述第一块周期极化非线性晶体波导和第二块周期极化非线性晶体波导所用晶体材料为周期极化铌酸锂晶体或者周期极化磷酸钛氧钾,波导结构为在晶体表面刻蚀的脊型波导;所述晶体材料的极化周期对应于基频光的二次谐波过程,所述第一块周期极化非线性晶体波导和第二块周期极化非线性晶体波导均内带有温度控制模块。
5.根据权利要求1所述的一种全光纤明亮压缩态光场产生装置,其特征在于:还包括若干单模光纤;所述第一块周期极化非线性晶体波导和第二块周期极化非线性晶体波导的模场与装置中所用的单模光纤模场直径均小于10μm;所述第一块周期极化非线性晶体波导和第二块周期极化非线性晶体波导的输入端和输出端均由微透镜直接与光纤耦合,所用光纤类型分别为基频光和倍频光所对应的单模保偏光纤。
6.根据权利要求1所述的一种全光纤明亮压缩态光场产生装置,其特征在于:所述第二块周期极化非线性晶体波导的入射端镀有基频光高反膜,所述基频光高反膜的反射率R>
99.9%。
7.根据权利要求1所述的一种全光纤明亮压缩态光场产生装置,其特征在于:所述第二块周期极化非线性晶体波导的出射端镀有倍频光高反膜,所述倍频光高反膜的反射率R>
99.9%。
8.根据权利要求1-7任一项所述的一种全光纤明亮压缩态光场产生装置,其特征在于:
所述0.1:99.9耦合器插入损耗小于0.3dB,所述0.1:99.9耦合器的两臂分光比误差不超过±0.5%。
9.根据权利要求1-7任一项所述的一种全光纤明亮压缩态光场产生装置,其特征在于:
所述基频光滤除器对基频光的滤波深度大于60dB,对倍频光的损耗小于1dB。
10.根据权利要求1-7任一项所述的一种全光纤明亮压缩态光场产生装置,其特征在于:所述倍频光传输光纤支持倍频光的单模保偏传输,所述倍频光传输光纤的模场直径小于所述的第一块周期极化非线性晶体波导和第二块周期极化非线性晶体波导的模场直径。
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