技术领域
[0001] 本
发明涉及
半导体制造领域，尤其涉及一种银蒸发料的表面处理方法。
背景技术
[0002]
物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)是一种在
真空条件下，采用
低电压、大
电流的
电弧放电技术，利用气体放电使靶材或蒸发料蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用
电场的
加速作用，使被蒸发物质以及反应物沉积在
基板上。目前，PVD技术已成为
半导体芯片制造业、
太阳能行业、LCD(Liquid Crystal Display，
液晶显示器)制造业等多种行业的核心技术。
[0003] PVD技术主要包括溅射技术和蒸发
镀膜技术。其中，在真空环境中，将蒸发料加热、蒸发，并镀到基板上的技术称为蒸发镀膜技术。目前，由于蒸发镀膜技术具有应用范围广、污染程度小、沉积速率高、所形成
薄膜纯度高且
质量好、可精确控制薄膜厚度等优点，越来越被业内的技术人员所青睐。
[0004] 半导体集成
电路用的银蒸发料是
晶圆背金技术不可或缺的原料，但是，
现有技术银蒸发料的制备成本较高。
发明内容
[0005] 本发明解决的问题是提供一种银蒸发料的表面处理方法，降低银蒸发料的制备成本。
[0006] 为解决上述问题，本发明提供一种银蒸发料的表面处理方法，包括：提供银蒸发料；对所述银蒸发料进行离心
研磨操作；在所述离心研磨操作后，对所述银蒸发料进行清洗操作；在所述清洗操作后，对所述银蒸发料进行干燥处理。
[0007] 可选的，对所述银蒸发料进行离心研磨操作的步骤包括：提供离心研磨机，所述离心研磨机包括研磨桶；将所述银蒸发料置于所述研磨桶中；向所述研磨桶中加入研磨液；向置有所述银蒸发料和研磨液的研磨桶中加入
水；加入水后，将所述研磨桶装入研磨机内，对所述银蒸发料进行离心研磨。
[0008] 可选的，所述银蒸发料的体积占所述研磨桶的容积的比例小于或等于2/3。
[0009] 可选的，所述银蒸发料的体积占所述研磨桶的容积的比例为1/3至2/3。
[0010] 可选的，所述研磨液为含有椰油二
乙醇酰胺的
洗涤剂。
[0011] 可选的，所述研磨液为洗手液。
[0012] 可选的，所述研磨液的体积为10毫升至20毫升。
[0013] 可选的，对所述银蒸发料进行离心研磨的步骤中，所述研磨桶的转速为150转/分钟至180转/分钟，研磨时间为10分钟至15分钟。
[0014] 可选的，向置有所述银蒸发料和研磨液的研磨桶中加入水后，水面至所述研磨桶顶部的距离为1厘米至2厘米。
[0015] 可选的，对所述银蒸发料进行离心研磨操作之前，还包括步骤：将所述银蒸发料浸入
清洗剂和水的混合溶液中，对所述银蒸发料进行预清洗操作。
[0016] 可选的，所述预清洗操作所采用的清洗剂为洗洁精或洗手液，所述清洗剂的体积为10毫升至20毫升，水的体积为4升至5升，
超声波清洗时间为5分钟至10分钟。
[0017] 可选的，对所述银蒸发料进行离心研磨操作之后，对所述银蒸发料进行清洗操作之前，还包括步骤：对所述银蒸发料进行筛滤处理；在所述筛滤处理后，采用气枪吹干所述银蒸发料。
[0018] 可选的，对所述银蒸发料进行清洗操作的步骤包括：将所述银蒸发料放入清洗溶液中，并采用所述清洗溶液对所述银蒸发料进行
超声波清洗。
[0019] 可选的，所述清洗操作的参数包括：所采用的清洗溶液为异丙醇溶液或无水酒精，清洗时间为5分钟至15分钟。
[0020] 可选的，采用真空干燥的方式对所述银蒸发料进行干燥处理。
[0021] 可选的，在所述真空干燥的步骤中，真空度小于或等于10-2Pa。
[0022] 可选的，在所述真空干燥的步骤中，干燥
温度为60℃至80℃，干燥时间为1H至1.5H。
[0023] 与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
[0024] 对银蒸发料进行离心研磨操作，以去除所述银蒸发料表面的
氧化层，达到表面
抛光的效果，相比采用
酸洗操作以去除氧化层的方案，本发明可以避免酸洗溶液消耗所述银蒸发料的问题，从而在提高所述银蒸发料的表面光
亮度和光滑度、提高所述银蒸发料纯度的同时，降低所述银蒸发料的消耗量，进而降低所述银蒸发料的制备成本；此外，实现了无酸表面处理，进而有利于改善生产环境。
[0025] 可选方案中，在所述表面处理后，使所述银蒸发料的纯度可以达到4N(99.99％)及以上，相应可以提高所述银蒸发料的质量和性能，使镀膜质量得到提高。
[0026] 可选方案中，对所述银蒸发料进行离心研磨操作之前，还包括步骤：将所述银蒸发料浸入清洗剂和水的混合溶液中，对所述银蒸发料进行预清洗操作；所述预清洗操作用于去除所述银蒸发料表面的灰尘、油污或异物等，从而为后续离心研磨操作提供良好的工艺
基础。
附图说明
[0027] 图1是本发明银蒸发料的表面处理方法一
实施例的流程示意图；
[0028] 图2是图1所示实施例中步骤S1所对应的银蒸发料的立体图；
[0029] 图3是图1所示实施例中步骤S2所对应的结构示意图。
具体实施方式
[0030] 由背景技术可知，银蒸发料的制备成本较高。分析银蒸发料的制备成本较高的原因在于：
[0031] 为了去除银蒸发料表面的氧化层，提高所述银蒸发料纯度，银蒸发料的表面处理方法主要包括依次进行的酸洗操作、清洗操作和干燥处理。但是，所述酸洗操作所采用的酸洗溶液容易消耗银材料，从而造成所述银蒸发料的损耗，相应增加了所述银蒸发料的制备成本；且酸的使用，不利于生产环境的改善。
[0032] 为了解决所述技术问题，本发明对银蒸发料进行离心研磨操作，以去除所述银蒸发料表面的氧化层，达到表面抛光的效果，相比采用酸洗操作以去除氧化层的方案，可以避免酸洗溶液消耗所述银蒸发料的问题，从而降低所述银蒸发料的消耗量，进而降低所述银蒸发料的制备成本；此外，实现了无酸表面处理，进而有利于改善生产环境。
[0033] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0034] 参考图1，示出了本发明银蒸发料的表面处理方法一实施例的流程示意图，本实施例表面处理方法包括以下基本步骤：
[0035] 步骤S1：提供银蒸发料；
[0036] 步骤S2：对所述银蒸发料进行离心研磨操作；
[0037] 步骤S3：在所述离心研磨操作后，对所述银蒸发料进行清洗操作；
[0038] 步骤S4：在所述清洗操作后，对所述银蒸发料进行干燥处理。
[0039] 下面将结合附图对本发明的具体实施例做进一步描述。
[0040] 参考图1，结合参考图2，图2是图1所示实施例中步骤S1所对应的银蒸发料的立体图，执行步骤S1，提供银蒸发料100。
[0041] 所述银蒸发料100用于作为蒸发镀膜技术的原料。
[0042] 所述银蒸发料100的形状可根据应用环境以及工艺要求而定。本实施例中，所述银蒸发料100的形状为长方体。
[0043] 在一个具体的实施例中，所述银蒸发料100的规格为10毫米×10毫米×2毫米±2毫米。但本发明对所述银蒸发料100的尺寸不做限定。
[0044] 在其他实施例中，所述银蒸发料的形状还可以是正方体、圆柱体或其他任意规则形状或不规则形状。例如，所述银蒸发料是直径为6毫米、长度为6毫米的圆柱体。
[0045] 本实施例中，以所述银蒸发料100的尺寸为10毫米×10毫米×2毫米为例，将银锭通过下料和压延等工序制成2±0.2毫米厚的银板，随后对所述银板进行表面抛光，去除所述银板表面的氧化层以及表面附着物，在所述表面抛光后，将所述银板以
冲压落料的方式，制成规格为10毫米×10毫米的方片，以作为所述银蒸发料100。
[0046] 对制成所述银蒸发料100的工艺与现有技术相同，本实施例在此不再说明。
[0047] 其中，所述银蒸发料100通过冲压落料的方式所获得，因此所述银蒸发料100的数量为多个，在后续工艺过程中，为了提高工艺效率，对多个所述银蒸发料100进行表面处理。
[0048] 需要说明的是，后续步骤包括对所述银蒸发料100(如图2所示)进行离心研磨操作，为了为后续的离心研磨操作做好准备，对所述银蒸发料100进行离心研磨操作之前，还包括步骤：将所述银蒸发料100浸入清洗剂和水的混合溶液中，对所述银蒸发料100进行预清洗操作。
[0049] 所述预清洗操作用于去除所述银蒸发料100表面的灰尘、油污或异物等，从而为后续离心研磨操作提供良好的工艺基础。
[0050] 具体地，将所述清洗剂和水搅匀后，将所述银蒸发料100浸入清洗剂和水的混合溶液中进行浸泡。
[0051] 相应的，所述清洗剂为具有
去污能
力的洗涤剂。
[0052] 本实施例中，所述预清洗操作所采用的清洗剂为洗洁精或洗手液。但所述清洗剂不仅限于这两种洗涤剂，只要保证具有去污能力即可。
[0053] 其中，在保证所述预清洗操作具有较佳的清洗效果的同时，能够尽可能多地同时对多个所述银蒸发料100进行清洗，以提高清洗效率，所述清洗剂的体积为10毫升至20毫升，水的体积为4升至5升。
[0054] 其中，所述清洗剂和水的体积根据所述银蒸发料100的数量而定。
[0055] 所述预清洗操作的清洗时间不宜过短，也不宜过长。如果所述清洗时间过短，则容易导致清洗效果不佳；如果所述清洗时间过长，在达到较佳清洗效果的情况下，反而浪费工艺时间。为此，本实施例中，清洗时间为5分钟至10分钟。
[0056] 继续参考图1，结合参考图3，图3是图1所示实施例中步骤S2所对应的结构示意图，执行步骤S2，对所述银蒸发料100进行离心研磨操作。
[0057] 所述离心研磨操作用于对所述银蒸发料100起到表面抛光的作用，从而去除所述银蒸发料100表面的氧化层、降低所述银蒸发料100的表面粗糙度、提高所述银蒸发料100的表面
光亮度和光滑度，且可以减少所述银蒸发料100的表面微孔，以降低所述银蒸发料100与空气的
接触面积，进而提高所述银蒸发料100的抗氧化能力。
[0058] 具体地，对所述银蒸发料100进行离心研磨操作的步骤包括：提供离心研磨机(图未示)，所述离心研磨机包括研磨桶200；将所述银蒸发料100置于所述研磨桶200中；向所述研磨桶200中加入研磨液(图未示)；向置有所述银蒸发料100和研磨液的研磨桶200中加入水300；加入水300后，将所述研磨桶200装入研磨机内，对所述银蒸发料100进行离心研磨。
[0059] 所述离心研磨操作利用离心运动的原理，在所述银蒸发料100、水和研磨液之间、以及所述银蒸发料100之间的相互
挤压作用下发生磨削运动，且具有较高的研磨速度，使所述银蒸发料100在离心转动下达到高速研磨抛光的作用，从而去除所述银蒸发料100表面的毛刺和氧化层，并起到抛光的作用，进而提高所述银蒸发料100的表面光洁度。
[0060] 所述离心研磨机与现有技术相同，对所述离心研磨机的具体描述，本实施例在此不再赘述。
[0061] 需要说明的是，通常所述研磨桶200中还置有陶瓷研
磨料，所述陶瓷研磨料的材料为氧化
铝，采用所述陶瓷研磨料进行所述离心研磨操作时，容易引入铝杂质，因此本实施例中，在不采用所述陶瓷研磨料的情况下，进行所述离心研磨操作。
[0062] 本实施例中，将所述银蒸发料100置于所述研磨桶200中后，所述银蒸发料100的体积占所述研磨桶200的容积的比例小于或等于2/3。如果所述银蒸发料100的体积占所述研磨桶200的容积的比例大于2/3，相应会造成水的比例过小，从而容易导致所述离心研磨操作难以正常进行，进而降低所述离心研磨操作的表面抛光效果。
[0063] 所述银蒸发料100的体积占所述研磨桶200的容积的比例越小，则所述研磨桶200的利用率越低，相应的，研磨效率也越低。为此，本实施例中，在保证所述离心研磨操作的工艺效果的同时，尽量提高所述研磨桶200的利用率，所述银蒸发料100的体积占所述研磨桶200的容积的比例为1/3至2/3。
[0064] 所述研磨液的作用包括：分散所述银蒸发料100表面的氧化层，从而使所述氧化层易于从所述银蒸发料100表面研磨去除，以提高研磨效率；在所述银蒸发料100之间起到润滑作用，从而在所述离心研磨操作后，使所述银蒸发料100得到光洁的表面；抑制脱落后的氧化层、脏污等重新附着在所述银蒸发料100表面；此外，在所述离心研磨操作的过程中，所述研磨液与水一起搅动，有利于缓解所述银蒸发料100之间的相互撞击。
[0065] 所述研磨液为具有去污能力的有机溶液，从而可以在去除所述银蒸发料100表面的氧化层、提高所述银蒸发料100的表面光亮度和光滑度的同时，较好地去除所述银蒸发料100表面的脏污。
[0066] 本实施例中，所述研磨液为含有椰油二乙醇酰胺的洗涤剂，所述椰油二乙醇酰胺为非离子
表面活性剂，所述椰油二乙醇酰胺的去污能力较强，因此可以提高所述研磨液抑制脏污重新附着在所述银蒸发料100表面的能力。
[0067] 其中，为了避免对所述银蒸发料100的质量产生不良影响，所述研磨液不与所述银蒸发料100发生反应。本实施例中，所述研磨液为洗手液。例如，所述洗手液可以选用工人洗手液。
[0068] 所述研磨液的体积不宜过小，也不宜过大。如果所述研磨液的体积过小，则容易导致所述离心研磨操作的表面抛光效果下降；如果所述研磨液的体积过大，则在达到较佳的表面抛光效果的情况下，造成所述研磨液的浪费。为此，本实施例中，所述研磨液的体积为10毫升至20毫升。
[0069] 本实施例中，向置有所述银蒸发料100和研磨液的研磨桶200中加入水300，相比先加入水的方案，有利于控制所加入水300的体积，避免水300发生溢出的问题。
[0070] 水在所述离心研磨操作中具有缓冲和清洗的作用，水的添加量多，缓冲作用大，所述银蒸发料100的
变形度越小，且有利于降低所述银蒸发料100的表面粗糙度。本实施例中，向置有所述银蒸发料100和研磨液的研磨桶200中加入水300后，水面至所述研磨桶200顶部的距离(未标示)为1厘米至2厘米。在其他实施例中，也可以将所述研磨桶内装满水，即水面与所述研磨桶的顶部齐平。
[0071] 所述离心研磨操作利用离心运动的原理以达到抛光的作用，因此所述研磨桶200的转速越大，所述离心研磨操作的表面抛光效果越好；但是，所述研磨桶200的转速不宜过大，银材料的硬度较低，如果所述研磨桶200的转速过大，所述银蒸发料100的棱
角容易因撞击而产生卷边，且杂质容易在所述卷边所围成的区域内发生堆积，从而降低所述银蒸发料100的质量。为此，本实施例中，在所述离心研磨的步骤中，所述研磨桶200的转速为150转/分钟至180转/分钟。
[0072] 相应的，所述离心研磨的研磨时间越长，所述离心研磨操作的表面抛光效果越好；但是，如果磨时间过长，在达到较佳的表面抛光效果的情况下，反而浪费工艺时间，造成制备成本的浪费。为此，本实施例中，在所述离心研磨的步骤中，研磨时间为10分钟至15分钟。
[0073] 需要说明的是，对所述银蒸发100进行离心研磨操作之后，还包括步骤：对所述银蒸发料100进行筛滤处理；在所述筛滤处理后，采用气枪吹干所述银蒸发料100。
[0074] 具体地，先通过筛滤处理以滤掉所述银蒸发料100表面的水分，再吹干所述银蒸发料100，以便后续将所述银蒸发料100送至无尘室进行清洗干燥
包装。
[0075] 本实施例中，在目视所述银蒸发料100表面无水分的情况下，停止采用所述气枪的动作，从而提高后续的干燥效率。
[0076] 继续参考图1，执行步骤S3，在所述离心研磨操作后，对所述银蒸发料100(如图2所示)进行清洗操作。
[0077] 具体地，为了提高所述清洗操作的效果，对所述银蒸发料100进行清洗操作的步骤包括：将所述银蒸发料100放入清洗溶液中，并采用所述清洗溶液对所述银蒸发料100进行超声波清洗。
[0078] 本实施例中，所述清洗操作用于去除所述银蒸发料100表面的残留研磨液，同时起到脱
水处理的作用，去除所述银蒸发料100表面的残留水分。
[0079] 因此，本实施例中，所述清洗操作所采用的清洗溶液为异丙醇(IPA)溶液。在其他实施例中，所述清洗溶液还可以为无水酒精。
[0080] 需要说明的是，所述清洗操作的清洗时间不宜过短，也不宜过长。如果清洗时间过短，则清洗效果和脱水效果较差；如果清洗时间过长，在达到较佳清洗效果和脱水效果的情况下，反而浪费工艺时间。为此，本实施例中，所述清洗操作的清洗时间为5分钟至15分钟。
[0081] 继续参考图1，执行步骤S4，在所述清洗操作后，对所述银蒸发料100(如图2所示)进行干燥处理。
[0082] 通过对所述银蒸发料100进行干燥处理，以改善所述银蒸发料100再次发生氧化的问题。
[0083] 本实施例中，为了达到较佳的防氧化效果，采用真空干燥的方式对所述银蒸发料100进行干燥处理，且真空度越高，防止所述银蒸发料100再次发生氧化的效果越好。
[0084] 本实施例中，在所述真空干燥的步骤中，真空度小于或等于10-2Pa。当所述真空度大于10-2Pa时，容易增加所述银蒸发料100发生氧化的可能性。
[0085] 需要说明的是，在所述真空干燥的步骤中，干燥温度不宜过低，否则容易造成真空干燥效率的下降；但是当所述干燥温度过高时，容易增加工艺
风险，还容易对真空干燥设备的性能
稳定性产生不良影响。为此，本实施例中，所述真空干燥的干燥温度为60℃至80℃。
[0086] 还需要说明的是，在所述真空干燥的步骤中，干燥时间不宜过短，也不宜过长。如果所述干燥时间过短，在干燥温度一定的情况下，容易导致干燥处理不充分，从而增加所述银蒸发料100发生氧化的可能性；如果所述干燥时间过长，在达到较佳干燥效果的情况下，反而浪费工艺时间和
能源。为此，本实施例中，所述真空干燥的干燥时间为1H(小时)至1.5H。
[0087] 本实施例中，在所述干燥处理后，将所述银蒸发料100进行真空膜包装或瓶装。
[0088] 其中，为了防止所述银蒸发料100再次发生氧化，在所述干燥处理后，防止所述银蒸发料100长期暴露在潮湿环境中。其中，只要保证所述银蒸发料100处于正常室内湿度环境下即可。例如：本实施例中，使所述银蒸发料100处于无尘室环境中，控制所述无尘室的湿度为30％至50％。
[0089] 虽然本发明己披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与
修改，因此本发明的保护范围应当以
权利要求所限定的范围为准。
