一种钌共掺二热敏薄膜材料及其制备方法

申请号 CN201710803109.2 申请日 2017-09-08 公开(公告)号 CN107686973B 公开(公告)日 2019-07-16
申请人 电子科技大学; 发明人 顾德恩; 徐世洋; 周鑫; 郑宏航; 蒋亚东;
摘要 一种 钛 钌共掺二 氧 化 钒 热敏 薄膜 材料及其制备方法,可用于非制冷红外探测器和 电子 薄膜技术领域。其中,二氧化钒热敏薄膜材料以钛和钌作为 掺杂剂 制备,包括基 片层 和钛钌共掺二氧化钒薄膜层;钛钌共掺二氧化钒薄膜层中,钛、钌和钒的 原子 百分比分别为4.0‑7.0%、0.5‑1.5%、25.0‑30.0%,其余为氧元素。本 发明 还提供以钛钌钒 合金 靶为源材料采用反应溅射方法,或以钛靶、钌靶和钒靶为溅射源采用共反应溅射方法制备二氧化钒热敏薄膜材料的方法。本发明制得的二氧化钒薄膜为单斜多晶结构,呈现无 相变 特征,具有较低室温 电阻 率 ,并具有比未掺杂二氧化钒和常用VOX热敏薄膜更高的电阻 温度 系数;其制备工艺易于通过现有溅射设备或对现有设备适当改进后实现,且与器件MEMS工艺兼容。
权利要求

1.一种钌共掺二热敏薄膜材料,其特征在于,
所述钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料是以钛和钌作为共掺杂剂制备,具体地,所述钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料包括基片层和钛钌共掺二氧化钒薄膜层,所述钛钌共掺二氧化钒薄膜层沉积在所述基片层上,所述钛钌共掺二氧化钒薄膜层包括钛、钌、钒、氧四种元素;其中,钛、钌和钒的原子百分比分别为4.0-7.0%、0.5-1.5%、25.0-30.0%,其余为氧元素。
2.根据权利要求1所述的一种钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料,其特征在于,所述的基片层为高纯石英片、带SiO2薄膜的Si片、带SiNX薄膜的Si片中的一种。
3.如权利要求1所述的一种钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料的制备方法,其特征在于,是以钛和钌两种元素作为共掺杂剂制备钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料的方法,具体是以钛钌钒合金靶为源材料采用反应溅射方法制备无相变、低电阻率、高电阻温度系数的二氧化钒热敏薄膜材料,或以钛靶、钌靶和钒靶为溅射源采用共反应溅射方法制备无相变、低电阻率、高电阻温度系数二氧化钒热敏薄膜。
4.根据权利要求3所述的一种钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料的制备方法,其特征在于,
所述以钛钌钒合金靶为源材料采用反应溅射方法制备无相变、低电阻率、高电阻温度系数的二氧化钒热敏薄膜材料的制备方法,具体包括以下步骤:
①将基片在真空环境下100-150℃预热40-100分钟;
②采用纯氩气氛,在0.5-1.5 Pa的工作气压下,对钛钌钒合金靶进行预溅射5-15分钟;
③接着,采用氧/氩流量比为1:15-1:30的气氛,在1.5-2.5Pa的工作气压下,在步骤①所预热的基片上,溅射钛钌钒合金靶,沉积钛钌共掺氧化钒薄膜,沉积时间视具体的沉积速率和所需沉积的薄膜厚度而定;
④对步骤③所沉积的钛钌共掺氧化钒薄膜进行富氧气氛退火,氧/氩流量比2:1-1:0,真空室气压1.0-3.0Pa,退火温度350-400℃,退火时间30-90分钟;退火后即得所述钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料。
5.根据权利要求4所述的一种钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料的制备方法,其特征在于,
所述钛钌钒合金靶中钛、钌的原子百分比分别为6.0-9.0 %、1.0-3.0%,其余为钒元素。
6.根据权利要求3所述的一种钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料的制备方法,其特征在于,
以钛靶、钌靶和钒靶为溅射源采用共反应溅射方法制备无相变、低电阻率、高电阻温度系数二氧化钒热敏薄膜材料的制备方法,具体包括以下步骤:
①将基片在真空环境下100-150℃预热40-100分钟;
②采用纯氩气氛,在0.5-1.5 Pa的工作气压下,对钛靶、钌靶和钒靶依次进行预溅射5-
15分钟;
③接着,采用氧/氩流量比为1:20-1:35的气氛,在1.0-2.0Pa的工作气压下,对钛靶、钌靶和钒靶同时进行反应溅射,以在步骤①所预热的基片上沉积钛钌共掺氧化钒薄膜,沉积时间视具体的沉积速率和所需沉积的薄膜厚度而定;
④对步骤③所沉积的钛钌共掺氧化钒薄膜进行富氧气氛退火,氧/氩流量比5:1-1:0,真空室气压1.5-3.0Pa,退火温度350-400℃,退火时间30-90分钟;退火后即得所述钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料。
7.根据权利要求4-6任意一项所述的一种钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料的制备方法,其特征在于,
所述的基片层为高纯石英片、带SiO2薄膜的Si片、带SiNX薄膜的Si片中的一种。
8.根据权利要求6所述的一种钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料的制备方法,其特征在于,
所述钛靶、钌靶和钒靶的纯度均大于或等于99.0%。

说明书全文

一种钌共掺二热敏薄膜材料及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及红外探测器和电子薄膜技术领域,具体涉及一种二氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法,尤其涉及一种无相变、低电阻率、高电阻温度系数的二氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法。

背景技术

[0002] 非制冷红外焦平面阵列探测器因其无需制冷器、具有体积小、重量轻、灵敏度高等优点,而在森林防火、安防、电巡检、医疗等领域具有广泛的应用。为了提高器件的探测距离、降低制造成本,非制冷红红外焦平面阵列的像元有逐渐减小的趋势,已经从最初的45um逐步降低至目前的12um(R.A.Wood,et al.,IEEE,1992,132-135;A.Rogalski,et al.,2016,Rep.Prog.Phys.,79,046501)。但是,减小像元尺寸将导致器件的噪声等效温差(NETD)增大(A.Rogalski,et al.,2016,Rep.Prog.Phys.,79,046501)。而NETD越大,器件的灵敏度越低。另一方面,器件所用热敏薄膜的电阻温度系数(|TCR|)越高(半导体材料的TCR一般为负,本文所涉及TCR大小时,若无特殊说明,均是指TCR的绝对值|TCR|),器件的NETD越小,器件的灵敏度越大。因此,采用高TCR的热敏薄膜有助于研制高灵敏的小像元非制冷红外焦平面阵列探测器。由于混合价氧化钒(VOX)具有:(a)高TCR、(b)低噪声、(c)适当的室温电阻率(0.5-5Ω·cm)、(d)良好的微机电系统(以下简称“MEMS”)工艺兼容性和(e)集成电路工艺兼容性等优点,而被广泛用作非制冷焦平面阵列的热敏材料。这种混合价氧化钒薄膜一般具有2.0-2.5%/℃的TCR(R.A.Wood,et al.,IEEE,1992,132-135;S.H.Black,et al.,Proc.of SPIE,2011,8012,80121A;)。VOX薄膜一般为非晶结构,在高温环境下,这种非晶结构有晶化的倾向,一旦发生晶化行为,薄膜的电学参数将发生显著的变化。因此,VOX薄膜的这种非晶特征制约了后续MEMS工艺的其他工序的工艺窗口。
[0003] 为了进一步提高器件的灵敏度,具有单斜相结构的VO2薄膜也被尝试用作非制冷红外焦平面阵列的热敏材料。相对于VOX薄膜,具有单斜相结构的VO2薄膜不但具有相对稳定的晶体结构,而且具有更高的TCR,尤其是在半导体-金属相变时,相变区间TCR可高达16%/K以上。但是单斜相结构的VO2薄膜用于非制冷焦平面阵列的热敏材料上也面临三个问题:第一,单斜相结构的VO2薄膜相变时的热滞洄现象意味着高的热滞噪声,热滞噪声会显著增加器件的噪声,降低其信噪比。第二,非制冷焦平面阵列器件制造中热敏薄膜工艺之后的多步后续工艺(介质层PECVD工艺、去胶工艺、释放工艺等)的温度都远大于VO2薄膜相变温度(约68℃),这意味着在器件制造中VO2薄膜将经历多次相变过程,而这种相变伴随着其体积的变化。多次的体积变化将不可避免降低非制冷焦平面阵列单元桥面膜层的可靠性。第三,VO2薄膜具有较高的室温电阻率(>10Ω·cm),这不但制约了像元结构的设计,也限制了器件的工作参数选择。因此,具有单斜相结构的VO2薄膜作为热敏薄膜在高性能非制冷红外焦平面阵列器件研制难以获得真正的应用。
[0004] 因而,为了满足研制高灵敏、小像元非制冷红外焦平面阵列探测器对热敏薄膜的需要,开发出具有无相变、低电阻率、高电阻温度系数的晶化二氧化钒热敏薄膜材料具有重要的意义。发明内容:
[0005] 本发明要解决的技术问题是:提供一种具有单斜相晶体结构、无相变、低电阻率、高电阻温度系数等特点的新型二氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法。该制备方法与非制冷红外焦平面阵列探测器的MEMS工艺兼容,适于该类器件的批量研制。
[0006] 为解决本发明的技术问题,本发明所采用的技术方案如下:
[0007] 一种钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料,所述二氧化钒热敏薄膜材料是以钛和钌作为共掺杂剂制备。
[0008] 进一步地,
[0009] 所述钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料包括基片层和钛钌共掺二氧化钒薄膜层,所述钛钌共掺二氧化钒薄膜层沉积在所述基片层上,所述钛钌共掺二氧化钒薄膜层包括钛、钌、钒、氧四种元素,其中,钛、钌和钒的原子百分比分别为4.0-7.0%、0.5-1.5%、25.0-30.0%,其余为氧元素。
[0010] 优选地,
[0011] 所述的基片层为高纯石英片、带SiO2薄膜的Si片、带SiNX薄膜的Si片、K9玻璃基片中的一种。
[0012] 本发明还提供上述钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料的两种制备方法,这两种制备方法均是以钛和钌两种元素作为共掺杂剂制备无相变、低电阻率、高电阻温度系数二氧化钒热敏薄膜材料的制备方法:
[0013] 技术方案一的制备方法为:
[0014] 以钛钌钒合金靶为源材料,采用反应溅射方法制备无相变、低电阻率、高电阻温度系数二氧化钒热敏薄膜材料,
[0015] 具体包括以下步骤:
[0016] ①基片在真空环境下100-150℃预热40-100分钟;
[0017] ②采用纯氩气氛,在0.5-1.5Pa的工作气压下,对钛钌钒合金靶进行预射5-15分钟;
[0018] ③接着,采用氧/氩流量比为1:15-1:30的气氛,在1.5-2.5Pa的工作气压下,在步骤①所预热的基片上,溅射钛钌钒合金靶,沉积钛钌共掺氧化钒薄膜,沉积时间视具体的沉积速率和所需沉积的薄膜厚度而定;
[0019] ④对步骤③所沉积的钛钌共掺氧化钒薄膜进行富氧气氛退火,氧/氩流量比2:1-1:0,真空室气压1.0-3.0Pa,退火温度350-400℃,退火时间30-90分钟;退火后即得所述二氧化钒热敏薄膜材料。
[0020] 优选地,
[0021] 所述钛钌钒合金靶中钛、钌的原子百分比分别为6.0-9.0%、1.0-3.0%,其余为钒元素。
[0022] 技术方案二的制备方法为:
[0023] 以钛靶、钌靶和钒靶为溅射源采用共反应溅射方法制备无相变、低电阻率、高电阻温度系数二氧化钒热敏薄膜材料,
[0024] 具体包括以下步骤:
[0025] ①将基片在真空环境下100-150℃预热40-100分钟;
[0026] ②采用纯氩气氛,在0.5-1.5Pa的工作气压下,对钛靶、钌靶和钒靶依次进行预溅射5-15分钟;
[0027] ③接着,采用氧/氩流量比为1:20-1:35的气氛,在1.0-2.0Pa的工作气压下,对钛靶、钌靶和钒靶同时进行反应溅射,以在步骤①所预热的基片上沉积钛钌共掺氧化钒薄膜,沉积时间视具体的沉积速率和所需沉积的薄膜厚度而定;
[0028] ④对步骤③所沉积的钛钌共掺氧化钒薄膜进行富氧气氛退火,氧/氩流量比5:1-1:0,真空室气压1.5-3.0Pa,退火温度350-400℃,退火时间30-90分钟,退火后即得所述二氧化钒热敏薄膜材料。
[0029] 优选地,
[0030] 所述的基片层为高纯石英片、带SiO2薄膜的Si片、带SiNX薄膜的Si片、K9玻璃基片中的一种。
[0031] 优选地,
[0032] 所述钛靶、钌靶和钒靶的纯度均大于或等于99.0%。
[0033] 本发明具有以下有益效果:
[0034] 1、单斜相晶体结构:经过X射线衍射(XRD)分析证实,依据本发明方法所制备的钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料为单斜相结构,避免了常用非晶VOX薄膜带来的工艺限制问题。
[0035] 2、无相变:相比未掺杂的二氧化钒薄膜,依据本发明方法所制备的钛钌共掺二氧化钒薄膜的电阻率-温度特性曲线没有相变特征,能避免未掺杂二氧化钒薄膜相变特征对作为热敏薄膜的不利影响。
[0036] 3、低电阻率:依据本发明方法所制备的钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料具有较低的室温电阻率(1.0-3.5Ω·cm),不到未掺杂二氧化钒薄膜的1/3,接近于VOX薄膜的室温电阻率,这有利于更灵活的像元结构设计和器件工作参数选择。
[0037] 4、高TCR:依据本发明方法所制备的钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料具有高的TCR(>3.2%/℃),其TCR不但高于未掺杂二氧化钒薄膜的TCR,而且显著高于常用VOX热敏薄膜的TCR(2.0-2.5%/℃),这有利于提高非制冷红外焦平面阵列探测器的灵敏度。
[0038] 5、本发明提供的钛钌共掺二氧化钒薄膜材料制备方法为反应溅射法或共反应溅射法,易于通过现有的溅射设备或对现有设备适当改进后实现,且与器件MEMS工艺兼容。
[0039] 附图内容:
[0040] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0041] 图1.1-1、图1.2-1、图1.3-1、图1.4-1和图2.1-1、图2.2-1、图2.3-1分别是实施例1.1、实施例1.2、实施例1.3、实施例1.4和实施例2.1、实施例2.2、实施例2.3制备得到的二氧化钒热敏薄膜样品VO-11、VTRO-12、VTRO-13、VTRO-14、VTRO-21、VTRO-22、VTRO-23的电阻率温度特性曲线图;
[0042] 图1.1-2、图1.2-2、图1.3-2、图1.4-2和图2.1-2、图2.2-2、图2.3-2分别是实施例1.1、实施例1.2、实施例1.3、实施例1.4和实施例2.1、实施例2.2、实施例2.3制备得到的二氧化钒热敏薄膜样品VO-11、VTRO-12、VTRO-13、VTRO-14、VTRO-21、VTRO-22、VTRO-23的XRD图谱。

具体实施方式

[0043] 以下面结合附图以及具体实施例对本发明作进一步描述:
[0044] 对比例:
[0045] 实施例1.1(对比实施例):
[0046] 将带有250nmSiNX薄膜的Si片在溅射腔室的真空环境下100℃预热40分钟;再对纯钒靶(99.9%)作为溅射源,采用纯氩气氛,在0.6Pa的工作气压下,对纯钒靶预溅射5分钟;接着,采用氧/氩流量比为1:20的气氛,在1.5Pa的工作气压下,在预热后的基片(带有
250nmSiNX薄膜的Si片)上进行氧化钒薄膜溅射沉积50分钟;然后再以10:1的氧/氩流量比富氧气氛下,在1.5Pa的真空室气压下,进行380℃、60分钟的富氧气氛退火。退火完成后,降温至85℃以下,取出样品,得到未掺杂二氧化钒薄膜(记为VO-11),该样品作为对比样品,以用于比较本发明技术效果。
[0047] 对制备的未掺杂二氧化钒薄膜样品VO-11测试其电阻率(ρ)随温度(T)的变化曲线,如图1.1-1所示,其30℃时的电阻率如表1.1所示;再利用所测试的ρ-T数据,根据公式以及计算出电阻温度系数|TCR|,30℃时的|TCR|如表1.1所示。
[0048] 表1.1 实施例1.1所制备未掺杂二氧化钒薄膜性能参数
[0049]样品 |TCR|(%/℃) 电阻率(Ω·cm)
VO-11 2.8 12.0
[0050] 此外,对制备的未掺杂二氧化钒薄膜样品VO-11进行XRD测试,如图1.1-2所示,未掺杂二氧化钒薄膜VO-11有明显的单斜相VO2衍射峰存在,即薄膜为具有单斜相结构的多晶VO2薄膜。未掺杂二氧化钒薄膜VO-11中各元素的百分含量通过能谱分析(energy-dispersive spectrometry:EDS),分别为:钒34.2%,氧65.8%。
[0051] 技术方案一:
[0052] 实施例1.2:
[0053] 将带有250nmSiNX薄膜的Si片在溅射腔室的真空环境下120℃预热60分钟;再对含钛6.0%,钌1.0%(原子百分比)的钛钌钒合金靶,采用纯氩气氛,在0.5Pa的工作气压下,对钛钌钒合金靶预溅射15分钟;接着,采用氧/氩流量比为1:30的气氛,在2.5Pa的工作气压下,溅射钛钌钒合金靶,在预热后的基片(带有250nmSiNX薄膜的Si片)上沉积钛钌共掺氧化钒薄膜50分钟;然后再以1:0的氧/氩流量比富氧气氛下,在1.0Pa的真空室气压下,进行350℃、90分钟的富氧气氛退火。退火完成后,降温至85℃以下,取出样品,得到钛钌共掺二氧化钒薄膜(记为VTRO-12)。
[0054] 对本实施例制备的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-12测试其电阻率(ρ)随温度(T)的变化曲线,如图1.2-1所示,其30℃时的电阻率如表1.2所示;再利用所测试的ρ-T数据,根据公式 计算出电阻温度系数|TCR|,30℃时的|TCR|如表1.2所示。
[0055] 表1.2 实施例1.2所制备钛钌共掺二氧化钒薄膜性能参数
[0056]样品 |TCR|(%/℃) 电阻率(Ω·cm)
VTRO-12 3.3 3.0
[0057] 结果表明:相对于未掺杂二氧化钒薄膜样品(VO-11),本实施例得到的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品(VTRO-12)半导体-金属相变被抑制,呈现无相变特征,电阻温度系数显著提高,电阻率显著降低。
[0058] 此外,对本实施例制备的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-12进行XRD测试,如图1.2-2所示,钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-12有明显的单斜相VO2衍射峰存在,即薄膜仍然保持了单斜相结构的多晶VO2特征。钛钌共掺二氧化钒薄膜VTRO-12中各元素的百分含量通过EDS分析,分别为:钛5.8%,钌0.5%,钒27.1%,氧66.6%。
[0059] 实施例1.3:
[0060] 将带有250nmSiO2薄膜的Si片在溅射腔室的真空环境下100℃预热100分钟;再对含钛7.5%,钌2.0%(原子百分比)的钛钌钒合金靶,采用纯氩气氛,在1.0Pa的工作气压下,对钛钌钒合金靶预溅射10分钟;接着,采用氧/氩流量比为1:25的气氛,在2.0Pa的工作气压下,溅射钛钌钒合金靶,在预热后的基片上沉积钛钌共掺氧化钒薄膜50分钟;然后再以2:1的氧/氩流量比富氧气氛下,在3.0Pa的真空室气压下,进行350℃、90分钟的富氧气氛退火。退火完成后,降温至85℃以下,取出样品,得到钛钌共掺二氧化钒薄膜(记为VTRO-13)。
[0061] 对本实施例制备的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-13测试其电阻率(ρ)随温度(T)的变化曲线,如图1.3-1所示,其30℃时的电阻率如表1.3所示;再利用所测试的ρ-T数据,根据公式 计算出电阻温度系数|TCR|,30℃时的|TCR|如表1.3所示。
[0062] 表1.3 实施例1.3所制备钛钌共掺二氧化钒薄膜性能参数
[0063]样品 |TCR|(%/℃) 电阻率(Ω·cm)
VTRO-13 3.5 2.9
[0064] 结果表明:相对于未掺杂二氧化钒薄膜样品(VO-11),钛钌共掺二氧化钒薄膜样品(VTRO-13)半导体-金属相变被抑制,呈无相变特征,电阻温度系数显著提高,电阻率显著降低。
[0065] 此外,对本实施例制备的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-1进行XRD测试,如图1.3-2所示,钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-13有明显的单斜相VO2衍射峰存在,即薄膜仍然保持了单斜相结构的多晶VO2特征。钛钌共掺二氧化钒薄膜VTRO-13中各元素的百分含量通过EDS分析,分别为:钛6.1%,钌0.6%,钒29.2%,氧64.1%。
[0066] 实施例1.4:
[0067] 将石英基片在溅射腔室的真空环境下150℃预热40分钟;再对含钛9.0%,钌3.0%(原子百分比)的钛钌钒合金靶,采用纯氩气氛,在1.5Pa的工作气压下,对钛钌钒合金靶预溅射5分钟;接着,采用氧/氩流量比为1:15的气氛,在1.5Pa的工作气压下,溅射钛钌钒合金靶,在预热后的基片上沉积钛钌共掺氧化钒薄膜50分钟;然后再以5:1的氧/氩流量比富氧气氛下,在2.0Pa的真空室气压下,进行400℃、30分钟的富氧气氛退火。退火完成后,降温至85℃以下,取出样品,得到钛钌共掺二氧化钒薄膜(记为VTRO-14)。
[0068] 对本实施例制备的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-14测试其电阻率(ρ)随温度(T)的变化曲线,如图1.4-1所示,其30℃时的电阻率如表1.3所示;再利用所测试的ρ-T数据,根据公式 计算出电阻温度系数|TCR|,30℃时的|TCR|如表1.4所示。
[0069] 表1.4 实施例1.4所制备钛钌共掺二氧化钒薄膜性能参数
[0070]样品 |TCR|(%/℃) 电阻率(Ω·cm)
VTRO-14 3.5 1.4
[0071] 结果表明:相对于未掺杂二氧化钒薄膜样品(VO-11),本实施例制得的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品(VTRO-14)半导体-金属相变被抑制,呈无相变特征,电阻温度系数显著提高,电阻率显著降低。
[0072] 此外,对本实施例制备的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-14进行XRD测试,如图1.4-2所示,钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-14有明显的单斜相VO2衍射峰存在,即薄膜仍然保持了单斜相结构的多晶VO2特征。钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-14中各元素的百分含量通过EDS分析,分别为:钛6.3%,钌0.9%,钒29.5%,氧63.3%。
[0073] 技术方案二
[0074] 实施例2.1:
[0075] 将带有300nm SiO2薄膜的Si片在溅射腔室的真空环境下100℃预热100分钟;采用纯氩气氛,在0.5Pa的工作气压下,再分别对纯度99.5%钒靶、纯度99.5%钌靶、纯度99.5%钛靶依次预溅射15分钟;接着,采用氧/氩流量比为1:20的气氛,在1.0Pa的工作气压下,在预热后的基片上,溅射沉积钛钌共掺氧化钒薄膜50分钟;然后再以5:1的氧/氩流量比富氧气氛下,在1.5Pa的真空室气压下,进行350℃、90分钟的富氧气氛退火。退火完成后,降温至85℃以下,取出样品,得到钛钌共掺二氧化钒薄膜样品(记为VTRO-21)。
[0076] 对本实施例制备的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-21测试其电阻率(ρ)随温度(T)的变化曲线,如图2.1-1所示,其30℃时的电阻率如表2.1所示;再利用所测试的ρ-T数据,根据公式 计算出电阻温度系数|TCR|,30℃时的|TCR|如表2.1所示。
[0077] 表2.1 实施例2.1所制备钛钌共掺二氧化钒薄膜性能参数
[0078]
[0079]
[0080] 结果表明:相对于未掺杂二氧化钒薄膜(VO-11),本实施例制备的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品(VTRO-21)半导体-金属相变被抑制,呈无相变特征,电阻温度系数显著提高,电阻率显著降低。
[0081] 此外,对本实施例制备的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-21进行XRD测试,如图2.1-2所示,钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-21有明显的单斜相VO2衍射峰存在,即薄膜仍然保持了单斜相结构的多晶VO2特征。钛钌共掺二氧化钒薄膜VTRO-21中各元素的百分含量通过EDS分析,分别为:钛5.9%,钌0.5%,钒28.7%,氧64.9%。
[0082] 实施例2.2:
[0083] 将石英基片在溅射腔室的真空环境下135℃预热60分钟;采用纯氩气氛,在1.0Pa的工作气压下,再分别对纯度99.9%钒靶、纯度99.9%钌靶、纯度99.9%钛靶依次预溅射10分钟;接着,采用氧/氩流量比为1:25的气氛,在2.0Pa的工作气压下,在预热后的基片上,溅射沉积钛钌共掺氧化钒薄膜50分钟;然后再以10:1的氧/氩流量比富氧气氛下,在2.0Pa的真空室气压下,进行380℃、60分钟的富氧气氛退火。退火完成后,降温至85℃以下,取出样品,得到钛钌共掺二氧化钒薄膜(记为VTRO-22)。
[0084] 对本实施例制备的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-22测试其电阻率(ρ)随温度(T)的变化曲线,如图2.2-1所示,其30℃时的电阻率如表2.2所示;再利用所测试的ρ-T数据,根据公式 计算出电阻温度系数|TCR|,30℃时的|TCR|如表2.2所示。
[0085] 表2.2 实施例2.2所制备钛钌共掺二氧化钒薄膜性能参数
[0086]样品 |TCR|(%/℃) 电阻率(Ω·cm)
VTRO-22 3.3 3.4
[0087] 结果表明:相对于未掺杂二氧化钒薄膜(VO-11),本实施例制得的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品(VTRO-22)半导体-金属相变被抑制,呈无相变特征,电阻温度系数显著提高,电阻率显著降低。
[0088] 此外,对本实施例制备的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-22进行XRD测试,如图2.2-2所示,钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-22有明显的单斜相VO2衍射峰存在,即薄膜仍然保持了单斜相结构的多晶VO2特征。钛钌共掺二氧化钒薄膜VTRO-22中各元素的百分含量通过EDS分析,分别为:钛6.0%,钌0.7%,钒27.9%,氧65.4%。
[0089] 实施例2.3:
[0090] 将K9玻璃基片在溅射腔室的真空环境下150℃预热40分钟;采用纯氩气氛,在1.5Pa的工作气压下,再分别对纯度99.1%钒靶、纯度99.3%钌靶、纯度99.7%钛靶依次预溅射5分钟;接着,采用氧/氩流量比为1:35的气氛,在1.5Pa的工作气压下,在预热后的基片(K9玻璃基片)上,溅射沉积钛钌共掺氧化钒薄膜50分钟;然后再以1:0的氧/氩流量比富氧气氛下,在3.0Pa的真空室气压下,进行400℃、30分钟的富氧气氛退火。退火完成后,降温至
85℃以下,取出样品,得到钛钌共掺二氧化钒薄膜(记为VTRO-23)。
[0091] 对本实施例制备的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-23测试其电阻率(ρ)随温度(T)的变化曲线,如图2.3-1所示,其30℃时的电阻率如表2.3所示;再利用所测试的ρ-T数据,根据公式 计算出电阻温度系数|TCR|,30℃时的|TCR|如表2.3所示。
[0092] 表2.3 实施例2.3所制备钛钌共掺二氧化钒薄膜性能参数
[0093]样品 |TCR|(%/℃) 电阻率(Ω·cm)
VTRO-23 3.4 1.9
[0094] 结果表明:相对于未掺杂二氧化钒薄膜样品(VO-11),本实施例制得的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品(VTRO-23)的半导体-金属相变被抑制,呈无相变特征,电阻温度系数显著提高,电阻率显著降低。
[0095] 此外,对本实施例制备的钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-23进行XRD测试,如图2.3-2所示,钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-23有明显的单斜相VO2衍射峰存在,即薄膜仍然保持了单斜相结构的多晶VO2特征。钛钌共掺二氧化钒薄膜样品VTRO-23中各元素的百分含量通过EDS分析,分别为:钛6.2%,钌0.8%,钒29.1%,氧63.9%。
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