光纤及光纤传输路径

申请号 CN201580040536.9 申请日 2015-08-27 公开(公告)号 CN106662704B 公开(公告)日 2019-07-12
申请人 住友电气工业株式会社; 发明人 川口雄挥; 山本义典; 平野正晃;
摘要 本 实施例 涉及一种具有W型折射率分布或沟槽型折射率分布的光纤,其中,微弯损耗在实际使用的 波长 范围内得到减小。光纤设置有:中心芯部;内包层,其包围中心芯部;以及外包层,其包围内包层。内包层具有比至少中心芯部的折射率低的折射率,而外包层具有比中心芯部的折射率低但比内包层的折射率高的折射率。微弯损耗的波长相关性具有最大值,并且微弯损耗为最大值的10%时的最短波长λth长于1560nm。
权利要求

1.一种光纤,包括:
中心芯部;
内包层,其包围所述中心芯部,并具有比所述中心芯部的折射率低的折射率;以及外包层,其包围所述内包层,并具有比所述中心芯部的所述折射率低但比所述内包层的所述折射率高的折射率,
其中,所述中心芯部、所述内包层和所述外包层构造为使得所述光纤的微弯损耗的波长相关性具有局部最大值,并且所述微弯损耗变为所述局部最大值的10%时的最短波长λth长于1560nm。
2.根据权利要求1所述的光纤,还包括:
基部,其位于所述中心芯部与所述内包层之间,并具有比所述中心芯部的所述折射率低但比所述内包层的所述折射率高的折射率。
3.根据权利要求1或2所述的光纤,
其中,所述光纤具有1710nm以上的光缆截止波长。
4.根据权利要求1或2所述的光纤,
其中,所述局部最大值为0.6dB/km以下。
5.根据权利要求1或2所述的光纤,
其中,所述光纤在波长为1550nm时具有110μm2以上且165μm2以下的有效横截面积。
6.根据权利要求1或2所述的光纤,
其中,所述中心芯部的直径为12.0μm以上且16.0μm以下,
所述内包层与所述中心芯部之间的相对折射率差为0.30%以上且0.55%以下,所述内包层的外径与所述中心芯部的所述直径的比率为2.5倍以上且5.5倍以下,并且所述内包层与所述外包层之间的相对折射率差为0.01%以上且0.20%以下。
7.根据权利要求6所述的光纤,
其中,所述中心芯部包括环部以及被所述环部包围的凹陷部,所述凹陷部存在于所述中心芯部的中心并具有比所述环部的折射率低的折射率。
8.根据权利要求7所述的光纤,
其中,所述环部的外径与所述凹陷部的直径的比率为2.0倍以上且4.0倍以下,并且所述环部与所述凹陷部之间的相对折射率差为0.02%以上且0.20%以下。
9.一种光纤传输线路,包括:
一个或多个传输线路元件,每个所述传输线路元件具有与根据权利要求1至8中任一项所述的光纤的结构相同的结构,
其中,所述传输线路元件传输实际使用的波段中的任意波长的信号光。
10.根据权利要求9所述的光纤传输线路,
其中,所述实际使用的波段为在1520nm至1625nm的范围内的一个或多个连续波段。
11.根据权利要求10所述的光纤传输线路,
其中,所述信号光的波长短于λth。

说明书全文

光纤及光纤传输路径

技术领域

[0001] 本发明涉及一种光纤及光纤传输线路。

背景技术

[0002] 在光通信系统中,光纤传输线路用作传输信号光的光传输线路。另外,在光通信系统中的信号光传输(尤其是数字相干传输)中,需要提高光信噪比(OSNR)。因此,需要减小构造为光纤传输线路至少一部分的光纤的传输损耗和非线性。为了减小光纤的非线性,有效的是增大光纤的有效横截面积。例如,已知一种有效横截面积增大至110μm2以上的光纤。
[0003] 然而,在有效横截面积得到增大的光纤中,将传播光(基模光)限制在芯部处的限制变弱。在该情况下,微弯损耗趋于增大。结果,OSNR可能下降。微弯损耗是因芯部的传播基模与包层模耦合导致光泄漏进而增大传输损耗的现象,并且已知微弯损耗是由因对光纤施加横向压而发生的随机微弯造成的。
[0004] 非专利文献1描述了微弯损耗。根据非专利文献1的描述,在具有阶梯型折射率分布的单模光纤中,微弯损耗关于波长呈指数增大。另外,根据非专利文献1的描述,在具有沟槽型折射率分布的光纤中,在基模因随机微弯而与高次模耦合而成为泄漏模的情况中,微弯损耗关于波长为相对恒定的,具有沟槽型折射率分布的光纤具有从中心起依次布置的芯部、第一包层、第二包层和第三包层。芯部的折射率高于第一包层和第三包层的折射率,并且第二包层的折射率低于第一包层和第三包层的折射率。
[0005] 引用列表
[0006] 非专利文献
[0007] 非专利文献1:Pierre Sillard(皮埃尔西亚尔)等人的“Micro-Bend Losses of Trench-Assisted  Single-Mode  Fibers(沟槽辅助型单模光纤的微弯损耗)”ECOC2010We.8.F.3

发明内容

[0008] 技术问题
[0009] 本发明的发明人已研究了基于现有技术的光纤,并因此发现以下问题。即,W型折射率分布和沟槽型折射率分布被认为是能够增大有效横截面积的光纤的折射率分布。通过利用中心芯部、内包层和外包层构成光纤的各区域来得到W型折射率分布,其中,内包层包围中心芯部并具有比中心芯部的折射率低的折射率;外包层包围内包层并具有比中心芯部的折射率低但比内包层的折射率高的折射率。非专利文献1未描述能够增大有效横截面积的光纤的微弯损耗的波长相关性。
[0010] 已完成本发明来解决上述问题,并且本发明的目的在于提供一种光纤以及包括该光纤的光纤传输线路,该光纤具有W型折射率分布或沟槽型折射率分布并使微弯损耗在实际使用的波段中得到减小。
[0011] 解决问题的技术方案
[0012] 根据本实施例的光纤具有W型折射率分布或沟槽型折射率分布,并包括中心芯部和包围中心芯部的包层区域。包层区域具有凹陷型折射率分布并至少包括:内包层,其包围中心芯部,并具有比中心芯部的折射率低的折射率;以及外包层,其包围内包层,并具有比中心芯部的折射率低但比内包层的折射率高的折射率。具体而言,中心芯部、内包层和外包层构造为使得光纤的微弯的波长相关性具有局部最大值,并且微弯损耗变为局部最大值的10%时的最短波长λth长于1560nm。
[0013] 本发明的有益效果
[0014] 根据本实施例,得到了如下光纤:该光纤具有W型折射率分布或沟槽型折射率分布,并使得微弯损耗在实际使用的波段中得到减小。附图说明
[0015] 图1示出了根据本实施例的光纤的折射率分布(W型折射率分布)。
[0016] 图2中的(a)和(b)是示出了耦合系数C01-CL、C01-11、C11-CL和Ctotal中的每一者的波长相关性的实例的曲线图。
[0017] 图3是示出了光纤的微弯损耗的波长相关性的实例的曲线图。
[0018] 图4是示出了波长λth与光缆截止波长λcc的关系的视图。
[0019] 图5是示出了根据本实施例的样品1至10中的每一个样品的配置和各个特性的表格。
[0020] 图6示出了根据本实施例的第一变型例的光纤的折射率分布(沟槽型折射率分布)。
[0021] 图7示出了根据本实施例的第二变型例的光纤的折射率分布(W型折射率分布的变型)。
[0022] 图8是示出了根据本实施例的样品11至20中的每一个样品的配置和各个特性的表格。
[0023] 图9是示出了包括根据本实施例的光纤作为光传输线路的光通信系统1的视图。

具体实施方式

[0024] [本发明的实施例的描述]
[0025] 首先,将单独列举并描述本发明的各个方面。
[0026] (1)根据本实施例的光纤具有W型折射率分布或沟槽型折射率分布。折射率分布由中心芯部和包围中心芯部的包层区域构成,包层区域具有凹陷型折射率分布。根据本实施例的一个方面,当光纤具有W型折射率分布时,包层区域包括:内包层,其具有比中心芯部的折射率低的折射率;以及外包层,其包围内包层,并具有比中心芯部的折射率低但比内包层的折射率高的折射率。另外,根据本实施例的一个方面,当光纤具有沟槽型折射率分布时,包层区域除了包括内包层和外包层之外还可以包括基部,基部设置在中心芯部与内包层之间。基部具有比中心芯部的折射率低但比内包层的折射率高的折射率。即使当光纤具有W型折射率分布和沟槽型折射率分布中的任一折射率分布时,光纤的微弯损耗的波长相关性具有局部最大值,并且微弯损耗变为局部最大值的10%时的最短波长λth长于1560nm。
[0027] (2)根据本实施例的一个方面,ITU-T G.650.1中定义的光缆截止波长优选地为1710nm以上。根据本实施例的一个方面,微弯损耗的局部最大值优选地为0.6dB/km以下。根据本实施例的一个方面,在波长为1550nm时的有效横截面积优选地为110μm2以上且165μm2以下。
[0028] (3)根据本实施例的一个方面,中心芯部的直径2a优选地为12.0μm以上且16.0μm以下,内包层与中心芯部之间的相对折射率差优选地为0.30%以上且0.55%以下,内包层的外径2b与中心芯部的直径2a的比率b/a优选地为2.5倍以上且5.5倍以下,并且内包层与外包层之间的相对折射率差优选地为0.01%以上且0.20%以下。在本说明书中,具有折射2 2 2
率na的区域与具有折射率nb的区域之间的相对折射率差由如下表达式定义:|na-nb|/2na×100(%)。
[0029] (4)根据本实施例的一个方面,中心芯部优选地包括环部以及被环部包围的凹陷部,该凹陷部存在于中心芯部的中心,并具有比环部的折射率低的折射率。另外,根据本实施例的一个方面,中心芯部的直径(与环部的外径相匹配)2a与凹陷部的直径2d的比率a/d优选地为2.0倍以上且4.0倍以下,并且环部与凹陷部之间的相对折射率差优选地为0.02%以上且0.20%以下。
[0030] (5)根据本实施例的一个方面,在包括一个或多个传输线路元件的光纤传输线路中,每个传输线路元件均具有与根据各方面的光纤的结构相同的结构,优选地传输线路元件传输实际使用的波段中的任意波长的信号光。根据本实施例的一个方面,实际使用的波段优选地为在1520nm至1625nm的范围内的一个或多个连续波段。根据本实施例的一个方面,信号光的波长优选地短于波长λth。
[0031] [本发明的实施例的描述]部分中所列举的各方面可以应用于其余方面中的每一个方面或其余方面的所有组合。
[0032] [本发明的实施例的细节]
[0033] 接下来,将参考附图对根据本发明的特定结构进行详细描述。然而,本发明意图不限于下述示例性实施例,并且本发明包括落入所附权利要求书及其等同内容的范围内的所有改变。
[0034] 图1示出了W型折射率分布作为根据本实施例的光纤的折射率分布。根据本实施例的光纤具有:中心芯部;内包层,其包围中心芯部;以及外包层,其包围内包层。内包层的折射率低于中心芯部的折射率。外包层的折射率低于中心芯部的折射率但高于内包层的折射率。如图1所示,中心芯部的直径被设定为2a,而内包层的外径被设定为2b。另外,内包层与中心芯部之间的相对折射率差被设定为Δ1,而内包层与外包层之间的相对折射率差被设定为Δ2。
[0035] 在该光纤中,基模(LP01模)可能与高次模(尤其是LP11模)或包层模耦合。在基模与高次模耦合之后,高次模可能进一步与包层模耦合。因为基模与除了LP11模之外的高次模的耦合足够小,所以可以仅考虑LP11模作为高次模。
[0036] 光纤的微弯损耗因模间光耦合而成为传输损耗,并且发生模间光耦合的主要原因为光纤的随机微弯。某个第一模与另一个第二模之间的耦合系数C1-2用以下表达式(1)表示。这里,第一模和第二模中的每一者为基模(LP01模)、高次模(LP11模)和包层模中的任一者。λ为波长。β1为第一模的传播常数。Ψ1为第一模的场分布。β2为第二模的传播常数。Ψ2为第二模的场分布。r是表示自光纤的中心轴线起的径向上的距离的变量。θ是表示围绕光纤的中心轴线的位置的变量。K和p是拟合参数。例如,满足K=p=2.8。
[0037]
[0038] 基模(LP01模)与包层模之间的耦合系数被设定为C01-CL,基模(LP01模)与高次模(LP11模)之间的耦合系数被设定为C01-11,并且高次模(LP11模)与包层模之间的耦合系数被设定为C11-CL。耦合系数C01-CL、C01-11和C11-CL用以上表达式(1)表示,并为波长的函数。由于光纤的随机微弯,光纤传播的基模可能直接变为包层模,从而可能发生泄漏。另外,基模可能经由高次模而变为包层模,从而可能发生泄漏。因此,当考虑到基模直接或间接与包层模耦合的情况时,基模与包层模之间的耦合系数Ctotal用以下表达式(2)表示。
[0039] Ctotal=C01-CL+C01-11C11-CL   (2)
[0040] 图2中的(a)和图2中的(b)是示出了耦合系数C01-CL、C01-11、C11-CL和Ctotal中的每一者的波长相关性的实例的曲线图。具体而言,图2中的(b)是图2中的(a)的区域A的放大视图。另外,在图2中的(a)中,1200nm至2000nm的波长范围被划分成四个波长区域(I)至(IV)。
[0041] 在波长区域(I)(图2中的(a)中的约1600nm以下的区域)中,基模与包层模之间的耦合系数C01-CL非常微小,并且高次模与包层模之间的耦合系数C11-CL也较小。因此,微弯损耗极小。
[0042] 在波长区域(II)(即,图2中的(a)中的约1600nm以上且1720nm以下的区域)中,高次模与包层模之间的耦合系数C11-CL快速变大。因此,在波长区域(II)中,微弯损耗快速增大。
[0043] 在波长区域(III)(在图2中的(a)中的约1720nm以上且1880nm以下的区域)中,高次模的有效折射率低于外包层的折射率。结果,所有高次模都变为包层模,并发生泄漏。然而,因为基模与高次模之间的耦合系数C01-11变小,所以微弯损耗也减小。
[0044] 在波长区域(IV)(即,图2中的(a)中的约1880nm以上的区域)中,基模与包层模之间的耦合系数C01-CL变大。因此,在波长区域(IV)中,微弯损耗增大。
[0045] 因此,耦合系数Ctotal在波长区域(II)和波长区域(III)的边界附近具有局部最大值,而在波长区域(III)和波长区域(IV)的边界附近具有最小值。
[0046] 图3是示出了光纤的微弯损耗的波长相关性的实例的曲线图。如图3所示,微弯损耗的波长相关性具有与图2中的(a)和图2中的(b)所示的耦合系数Ctotal的波长相关性相同的趋势。也就是说,在1720nm的波长附近,耦合系数Ctotal为最大(图2中的(a)和图2中的(b)),而微弯损耗也为最大(图3)。这样,光纤的微弯损耗的波长相关性具有局部最大值。这里,微弯损耗变为局部最大值的10%时的最短波长被设定为λth。
[0047] 以如下方式测量微弯损耗。制备直径为400mm的绕线筒,在绕线筒中使用直径为50μm的丝网以100μm的间距覆盖表面,并且当以80g的张力将光纤卷绕在该绕线筒上时,测量作为损耗增量的微弯损耗。由该测量方法测量出的微弯损耗优选地为1.0dB/km以下。
[0048] 因此,微弯损耗的波长相关性依赖于基模、高次模和包层模之间的耦合。高次模的泄漏损耗增大且传播中断时的波长为光缆截止波长。因此,适当地设计光缆截止波长,从而可以将波长λth延长为长于实际使用的波段,并且可以减小微弯损耗。实际使用的波段是在光通信中通常使用的波段,并例如为C波段(1530nm至1565nm)或L波段(1565nm至1625nm)。因此,在根据本实施例的光纤中,波长λth长于1560nm。
[0049] 图4是示出了波长λth与光缆截止波长λcc的关系的视图。从图4可知,为了使波长λth延长为长于实际使用的波段,当假设在C波段使用时,光缆截止波长λcc优选地为1710nm以上,并且当假设在L波段使用时,光缆截止波长λcc优选地为1760nm以上。如果λcc长于实际使用波长,则高次模也可以被限制在芯部中并可以传播。然而,如果λcc长于实际使用波长,则大体上可以执行单模工作。
[0050] 从图2中的(a)和图2中的(b)可以看出,当微弯损耗的局部最大值减小时,应认为LP01模与LP11模的耦合是微弱的。因此,即使当光缆截止波长λcc长于实际使用波长时,在实际上如海底光缆或地面光缆一样铺设光缆的状态下,微弯损耗的局部最大值优选地为0.6dB/km,以大体上进行单模工作,并抑制传输损耗的增大。
[0051] 另外,如果光缆截止波长λcc过度增大,则对除了LP11模之外的高次模的限制也变强。与将要成为基模的LP01模类似,高次模的LP02模具有与高斯函数类似的电磁场分布形状,并且LP01模和LP02模容易耦合。为了防止信号因LP01模和LP02模的耦合而劣化,LP02模的理论截止波长优选地短于实际使用波长。
[0052] 图5是示出了根据本实施例的光纤的样品1至10中的每一个样品的配置和各个特性的表格。样品1至10中的每一个样品的光纤具有图1所示的W型折射率分布。在表格中依次描述了当弯曲半径R被设定为10mm时的:内包层与中心芯部之间的相对折射率差Δ1、内包层与外包层之间的相对折射率差Δ2、中心芯部的直径2a、内包层的外径与中心芯部的直径的比率b/a、波长为1550nm时的有效横截面积Aeff、光缆截止波长λcc、微弯损耗变为局部最大值的10%时的最短波长λth、LP02模的理论截止波长、在波长为1550nm时的微弯损耗以及在波长为1550nm时的弯曲损耗。
[0053] 除了W型折射率分布之外还有很多折射率分布可以应用于根据本实施例的光纤。例如,图6示出了根据本实施例的第一变型例的光纤的折射率分布(沟槽型折射率分布),并且可以更有效地抑制微弯损耗。也就是说,具有图6所示的沟槽型折射率分布的光纤包括:
中心芯部;基部,其包围中心芯部;内包层,其包围基部;以及外包层,其包围内包层。中心芯部具有直径2a,并且中心芯部的折射率比基部和外包层的折射率高。另外,内包层的折射率比基部和外包层的折射率低。基部和外包层的折射率彼此大致匹配。内包层与中心芯部之间的相对折射率差为Δ1,并且内包层与外包层之间的相对折射率差以及内包层与基部之间的相对折射率差都为Δ2。即使在具有上述折射率分布的光纤中,微弯损耗变为局部最大值的10%时的最低波长λth可以被设定为长于1560nm。
[0054] 在波长为1550nm时的有效横截面积Aeff优选地为110μm2以上且165μm2以下。另外,中心芯部的直径2a优选地为12.0μm以下且16.0μm以上,内包层与中心芯部之间的相对折射率差Δ1优选地为0.30%以上且0.55%以下,内包层的外径与中心芯部的直径的比率b/a优选地为2.5倍以上且5.5倍以下,并且内包层与外包层之间的相对折射率差Δ2优选地为0.01%以上且0.20%以下。
[0055] 图7示出了根据本实施例的第二变型例的光纤的折射率分布(W型折射率分布的变型)。图7所示的折射率分布与图1所示的折射率分布的不同之处在于:中心芯部包括环部以及凹陷部,凹陷部被环部包围,并存在于中心芯部的中心。凹陷部的折射率低于环部的折射率。如图7所示,凹陷部的直径被设定为2d,并且凹陷部与环部之间的相对折射率差被设定为Δ1'。即使在具有上述折射率分布的光纤中,微弯损耗变为局部最大值的10%时的最短波长λth可以被设定为长于1560nm。另外,在具有图7所示的折射率分布的光纤中,在增大有效横截面积Aeff的同时可以相对减小模场直径MFD,并且可以减小与其他光纤(例如,基于ITU-T G.652的光纤)的连接损耗。
[0056] 图8是示出了根据本实施例的光纤的样品11至20中的每一个样品的配置和各个特性的表格。样品11至20中的每一个样品的光纤具有图7所示的折射率分布。在表格中依次描述了当弯曲半径R被设定为10mm时的:内包层与芯部之间的相对折射率差Δ1、凹陷部与环部之间的相对折射率Δ1'、内包层与外包层之间的相对折射率差Δ2、中心芯部的直径(与环部的外径相匹配)2a、内包层的外径与中心芯部的直径的比率b/a、中心芯部的直径与凹陷部的直径之间的比率a/d、在波长为1550nm时的有效横截面积Aeff、光缆截止波长λcc、微弯损耗变为局部最大值的10%时的最短波长λth、LP02模的理论截止波长、在波长为1550nm时的微弯损耗以及在波长为1550nm时的弯曲损耗。中心芯部的直径与凹陷部的直径的比率a/b优选地为2.0倍以上且4.0倍以下,并且环部与凹陷部之间的相对折射率差Δ1'优选地为0.02%以上且0.20%以下。
[0057] 图9是示出了包括根据本发明的光纤作为光传输线路的光通信系统1的视图。光通信系统1将信号光从发射器10经由中继器20传输至接收器30。铺设根据本实施例的光纤40作为在发射器10与初级的中继器20之间、在某个中继器20与次级的中继器20之间以及在最终极的中继器20与接收器30之间传输信号光的光传输线路(传输线路元件)。这些传输线路元件可以平行地布置。
[0058] 图1、图6或图7所示的折射率分布也应用于根据本实施例的用作光传输线路的光纤40。光纤构造为使得微弯损耗的波长相关性具有局部最大值,并且微弯损耗变为局部最大值的10%时的最短波长长于1560nm。结果,可以减少实际使用的波段的微弯损耗。因此,将根据本实施例的光纤40作为光传输线路来应用的光通信系统1可以进行有效地提高了OSNR的光通信。
[0059] 附图标记列表
[0060] 1...光通信系统,10...发射器,20...中继器,30...接收器,40...光纤传输线路。
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