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双波段焦平面阵列

申请号 CN201190001034.2 申请日 2011-12-14 公开(公告)号 CN203932063U 公开(公告)日 2014-11-05
申请人 菲力尔系统公司; 发明人 R·E·玻恩弗洛恩德;
摘要 在一种实施方式中,双波段焦平面阵列包括读出集成 电路 ,多个光电 聚合物 像素 (218a,218b),用于吸收可见光和/或短波红外 辐射 ,每个光电聚合物像素电耦接至读出集成电路,以及多个微辐射热测定仪(302),用于检测长波红外辐射,每个微辐射热测定仪经由布置在相邻微辐射热测定仪之间的和相邻光电聚合物像素之间的 接触 腿(224a,224b,224c)电耦接至读出集成电路。
权利要求

1.一种双波段焦平面阵列,其特征在于,包括:
读出集成电路
多个光电聚合物像素,用于吸收可见光和/或短波红外辐射,每个光电聚合物像素电耦接至读出集成电路;及
多个微辐射热测定仪,用于检测长波红外辐射,每个微辐射热测定仪经由接触腿电耦接至读出集成电路,该接触腿布置在相邻微辐射热测定仪之间和相邻光电聚合物像素之间。
2.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,其中,每个光电聚合物像素由有机聚合物组成,有机聚合物包括聚噻吩、聚苯撑乙烯、或[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯中的一个。
3.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,其中,每个微辐射热测定仪包括单层或多层结构,该单层或多层结构包括辐射吸收层和电活性材料,该辐射吸收层由氮化化硅或氮氧化硅中的一个组成,该电活性材料由非晶硅、非晶硅锗或氧化中的一个组成。
4.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,其中,每个微辐射热测定仪包括单层或多层结构,该单层或多层结构包括辐射吸收层和电活性材料,并且每个微辐射热测定仪布置在每个光电聚合物像素上方,并且每个光电聚合物像素布置在读出集成电路和每个微辐射热测定仪辐射吸收层之间。
5.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,还包括在每个光电聚合物像素和读出集成电路之间的金属接触层。
6.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,其中,至少一个接触腿是布置在相邻微辐射热测定仪之间的共享接触腿。
7.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,还包括布置在每个光电聚合物像素上的玻璃盖板层,用于电隔离每个光电聚合物像 素。
8.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,还包括电接触层,该电接触层将多个光电聚合物像素耦接至地线。
9.如权利要求8所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,还包括布置在电接触层上的抗反射涂层。
10.如权利要求9所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,其中,抗反射涂层最大化至光电聚合物像素的光传输,同时除去波长对应于多个微辐射热测定仪的感兴趣波段的光。
11.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,还包括耦接至读出集成电路的用于处理来自读出集成电路的图像信息输出的处理器,以及耦接至处理器的用于显示处理的图像信息的显示器。

说明书全文

双波段焦平面阵列

技术领域

[0001] 本发明的一个或多个实施方式大体上涉及红外成像设备,具体地,涉及改进的红外探测器。

背景技术

[0002] 检测电磁频谱的不同区域的成像设备用在各种商业和军事应用中。一种类型的成像设备利用焦平面阵列(FPA)来检测红外辐射。举例来说,FPA可以由红外探测器的阵列形成,其中每个红外探测器作为一个像素来产生二维图像。每个红外探测器的信号电平输出由于接收到的入射红外辐射的变化通过被称为读出集成电路(ROIC)的电路而被转化成时间复用的电信号。ROIC和红外探测器阵列的组合通常被称为FPA或红外FPA。FPA(例如微辐射热测定仪FPA)的进一步细节在美国专利5,756,999、6,028,309和6,852,976中描述,通过引用将这些专利全文并入本文中。
[0003] 常规的混合探测器,例如用于感测短波红外(SWIR)辐射和长波红外(LWIR)辐射的夜视成像仪,已经使用了需要利用铟凸点互连的混合方法,以将独立的探测器像素互连到ROIC。这种方法使得制造成本增加并且产生了额外的处理步骤。
[0004] 因此,需要改进的红外焦平面阵列以及制造这种改进的红外焦平面阵列的方法。

发明内容

[0005] 本实用新型要解决的技术问题是,提供一种改进的红外焦平面阵列以及制造这种改进的红外焦平面阵列的方法,尤其是提供一种具有改进的光 电性能和制造成本的红外焦平面阵列。
[0006] 根据一种实施方式,双波段焦平面阵列包括读出集成电路(ROIC),多个光电(EO)聚合物像素,用于吸收可见光和/或短波红外(SWIR)辐射,每个光电聚合物像素电耦接至读出集成电路,以及多个微辐射热测定仪,用于检测长波红外(LWIR)辐射,每个微辐射热测定仪经由接触腿电耦接至读出集成电路,该接触腿布置在相邻微辐射热测定仪之间和相邻光电聚合物像素之间。
[0007] 优选地,每个光电聚合物像素由有机聚合物组成,有机聚合物包括聚噻吩(PT)、聚苯撑乙烯(PPV)、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)、其衍生物或其组合中的一个。
[0008] 优选地,每个微辐射热测定仪包括单层或多层结构,该单层或多层结构包括辐射吸收层和电活性材料,该辐射吸收层由氮化化硅或氮氧化硅中的至少一个组成,该电活性材料例如非晶硅、非晶硅锗或氧化
[0009] 优选地,每个微辐射热测定仪包括单层或多层结构,该单层或多层结构包括辐射吸收层和电活性材料,并且每个微辐射热测定仪布置在每个光电聚合物像素上方,并且每个光电聚合物像素布置在读出集成电路和每个微辐射热测定仪辐射吸收层之间。
[0010] 优选地,该焦平面阵列还包括在每个光电聚合物像素和读出集成电路之间的金属接触层。
[0011] 优选地,至少一个接触腿是布置在相邻微辐射热测定仪之间的共享接触腿。
[0012] 优选地,该焦平面阵列还包括布置在每个光电聚合物像素上的玻璃盖板层,用于电隔离每个光电聚合物像素。
[0013] 优选地,该焦平面阵列还包括电接触层,该电接触层将多个光电聚合物像素耦接至地线。
[0014] 更优选地,该焦平面阵列还包括布置在电接触层上的抗反射涂层。
[0015] 进一步优选地,抗反射涂层最大化至光电聚合物像素的光传输,同时 除去波长对应于多个微辐射热测定仪的感兴趣波段的光。
[0016] 优选地,该焦平面阵列还包括耦接至读出集成电路的用于处理来自读出集成电路的图像信息输出的处理器,以及耦接至处理器的用于显示处理的图像信息的显示器。
[0017] 本发明的范围由权利要求限定,通过引用将权利要求合并至发明内容中。通过考虑下文中一个或多个实施方式的详细说明,将给本领域技术人员提供对本发明的实施方式的更全面理解及其额外优势的实现。下文将参考附图,首先简要地介绍附图。

附图说明

[0018] 图1A示出了根据一种实施方式的流程图,该流程图示出了制造单片光电聚合物红外焦平面阵列(FPA)的方法。
[0019] 图1B示出了根据一种实施方式的流程图,该流程图示出了将微辐射热测定仪连接到ROIC的方法。
[0020] 图2A-2E示出了横截面视图,该横截面视图示出了根据图1所示的方法实施方式的FPA的制造过程
[0021] 图3示出了根据一种实施方式的FPA的横截面视图。
[0022] 图4示了根据一种实施方式的用于捕捉图像的系统的框图
[0023] 通过参阅下文的详细说明将最佳地理解本发明的实施方式及其优势。应该意识到,类似的附图标记用于标识一个或多个附图中的类似元件。

具体实施方式

[0024] 根据一种或多种实施方式,本文描述了了系统和方法,以提供一种具有改进的光电性能和制造成本的红外焦平面阵列其。例如,根据一种实施方式,图1A示出了一流程图,该流程图示出了制造改进的焦平面阵列(FPA)的方法100。
[0025] 在框102处,提供了包括地线和金属触点的读出集成电路(ROIC)。在 框104处,在ROIC的地线上形成金属接地层,并且在框106处,在ROIC的每个金属触点上形成金属接触层。
[0026] 在框108处,光电(EO)聚合物层沉积在每个金属接触层上并与之形成电耦接。EO聚合物层随后被蚀刻以在每个金属接触层上形成EO聚合物像素。在一个实例中,EO聚合物层可以通过标准光刻图案和蚀刻技术蚀刻,举例来说,利用干和/或湿蚀刻技术。在一种实施方式中,每个EO聚合物像素直接耦接到金属接触层,并且因此耦接到ROIC的金属触点,由此将每个EO聚合物像素电耦接至ROIC。在一种实施方式中,每个EO聚合物像素吸收可见和/或短波红外(SWIR)辐射。
[0027] 在框110处,在每个EO聚合物像素上形成玻璃盖板层以电隔离每个EO聚合物像素。在一个实施方式中,玻璃盖板层形成在相邻的EO聚合物像素之间并由相邻的EO聚合物像素共享。
[0028] 在框112处,在接地金属层、玻璃盖板层和EO聚合物像素之上形成电接触层,以将EO聚合物像素电耦接至ROIC的地线。
[0029] 在框114处,可选的设计用于优化感兴趣的波段的抗反射(AR)涂层可以形成在电接触层之上,从而减少反射和/或增加由EO聚合物像素接收的光。在一种实施方式中,抗反射涂层可以是单层或多层涂层。在第二实施方式中,AR涂层既用于增加由EO聚合物像素接收的光,又用于反射反映感兴趣波段的长波红外(LWIR)光,从而改进微辐射热测定仪响应。
[0030] 在框116处,在一种实施方式中,LWIR微辐射热测定仪机械地并且电地连接至每个EO聚合物像素上的ROIC。LWIR微辐射热测定仪在第一波段(例如可见和/或SWIR波段)足够透明以允许第一波段中的辐射通过微辐射热测定仪并且由可以吸收第一波段中的辐射的EO聚合物像素吸收。每个EO聚合物像素上方的微辐射热测定仪可以吸收第二波段中的辐射,例如LWIR波段。
[0031] 根据一种实施方式,LWIR微辐射热测定仪通过布置在相邻微辐射热测定仪之间的以及相邻EO聚合物像素之间的接触腿电耦接至ROIC。在另一种实施方式中,LWIR微辐射热测定仪可以通过布置在相邻微辐射热测 定仪之间以及相邻EO聚合物像素之间的共享接触腿电耦接至ROIC。在又一种实施方式中,LWIR微辐射热测定仪可以经由与共享接触腿相对的隔离腿电耦接至电接触层,并且EO聚合物像素位于隔离腿和共享接触腿之间。因此,在一个实例中,LWIR微辐射热测定仪的隔离腿接地。
[0032] 现在参考图1B,其示出了根据一种实施方式的流程图,该流程图示出了将微辐射热测定仪耦接到ROIC的方法116。
[0033] 在框118处,在一种实施方式中,通孔可以蚀刻在AR涂层、聚合物像素和背面接地层中,下至ROIC上的用于微辐射热测定仪的电气连接。
[0034] 在框120处,在一种实施方式中,牺牲层沉积在EO聚合物像素、玻璃盖板层和电接触层之上方。在一种实施方式中,牺牲层可以由阿尔法硅组成,和/或可以具有大约2微米的厚度。
[0035] 在框122处,在一种实施方式中,LWIR吸收体层(例如二氧化硅)沉积在牺牲层上。
[0036] 在框124处,在一种实施方式中,蚀刻通孔穿过牺牲层,下至ROIC上的微辐射热测定仪电连接。
[0037] 在框126处,在一种实施方式中,电活性材料(例如阿尔法硅或氧化钒)沉积在框122的吸收体层上方。
[0038] 在框128处,在一种实施方式中,腿材料(例如:诸如NiCr的金属)沉积在框126的电活性材料上方。
[0039] 在框130处,在一种实施方式中,帽/LWIR吸收层(例如二氧化硅)沉积在电活性材料和腿材料上方。
[0040] 在框132处,在一种实施方式中,框126、128和130的桥和腿材料被蚀刻(例如利用离子磨)以形成桥结构和支撑腿。
[0041] 在框134处,在一种实施方式中,利用牺牲层的选择性蚀刻将桥和腿结构“释放”。
[0042] 应该注意到,可以在图1A和1B中的方法100和116之前、之中和/或之后可以分别地提供额外的步骤,如本领域技术人员将理解的那样,并 且一些其他步骤在本文中可能仅被简要地描述。
[0043] 现在参考图2A-2E,横截面图示出了根据图1A中示出的方法100的实施方式的焦平面阵列200的制造方法。
[0044] 图2A示出了探测器阵列200,其包括具有读出集成电路(ROIC)202的基板。在一种实施方式中,基板可以由硅组成,或者可选地包括硅锗、镓砷或者其他合适的半导体材料。基板还可以包括掺杂区,例如P阱、N阱和/或掺杂活性区(例如P+掺杂活性区)。一方面,掺杂活性区可以位于其他区域之中。基板还可以包括其他特征,例如埋层和/或外延层。此外,基板可以是位于绝缘体上的半导体,例如绝缘体上硅(SOI)。在其他实施方式中,半导体基板可以包括掺杂外延层、梯度半导体层和/或还可包括位于另一不同类型的半导体层(例如硅锗层上的硅层)上的半导体层。在其他实例中,复合半导体基板可包括多层硅结构,或者硅基板可以包括多层复合半导体结构。
[0045] ROIC202包括地线204以及金属触点208。在这种具体实施方式中,示出了一对地线204a、204b和一对金属触点208a、208b,但本公开文本并不限于此数量的地线和金属触点,更多或更少的地线和金属触点可以包括在ROIC202中。ROIC202还可包括接地区和活性区,在一个实例中,接地区和活性区由沟渠206隔开(如图2A中所示)。ROIC202还包括沟渠210,沟渠210包括分别位于地线204a、204b和金属触点208a、208b上的沟渠210a、210b、210c和210d。一方面,ROIC是可商购的或者是定制的ROIC,其配置用于从失常聚合物膜中收集电荷载体以及通过像素将电荷量复用到能够再现观察的图像的电子设备上。
[0046] 图2B示出了形成在地线204a、204b上的金属接地层212以及形成在ROIC202的每个金属触点208上的金属接触层214。一方面,金属接触层214可以由组成,可以在剥离过程(例如蒸发或喷溅)中沉积,和/或可以通过标准光刻图像和蚀刻技术蚀刻。在这种具体示例中,金属接触层214a形成在金属触点208a上,而金属接触层214b形成在金属触点208b上。
[0047] 图2C示出了电耦接至每个金属接触层214的光电(EO)聚合物像素 218,并且在一种实施方式中,每个EO聚合物像素218直接耦接至金属接触层214,由此将每个EO聚合物像素电耦接至ROIC的金属触点208。在该实施方式中,EO聚合物像素218a、218b分别电耦接至金属接触层214a、214b。在一种实施方式中,每个EO聚合物像素吸收可见和/或短波红外(SWIR)辐射,并且根据一方面,每个EO聚合物像素218由有机聚合物组成,有机聚合物包括聚噻吩(PT)、聚苯撑乙烯(PPV)、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)、其衍生物或其组合中的一种。
[0048] 一方面,EO聚合物像素218可以通过各种方法(例如:旋转涂布、化学汽相沉积(CVD)或类似方法)沉积到ROIC上。EO聚合物像素218可以被像素化以隔离像素并且防止像素之间的电学或光学串扰。一方面,通过诸如标准光电图像和蚀刻技术的各种方法来蚀刻EO聚合物像素218。有利的是,由于EO聚合物像素218在单片设计上直接耦接到金属接触层214和ROIC,因此不需要铟凸点、混合加工步骤和/或背面减薄加工步骤,由此避免了较高的成本和困难的加工步骤。
[0049] 图2D示出了形成在每个EO聚合物像素218上的玻璃盖板层220,其用于电隔离和保护每个像素化的EO聚合物像素的侧壁。在一种实施方式中,玻璃盖板层220a和220b形成在EO聚合物像素218a之上,并且玻璃盖板层220b和220c形成在EO聚合物像素218b之上。在该实施方式中,玻璃盖板层220b形成在相邻的EO聚合物像素218a和218b之间并由相邻的EO聚合物像素共享。一方面,玻璃盖板层可以由二氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅组成,并且可以形成为一层或多层。
[0050] 图2E示出了形成在金属接地层212、玻璃盖板层220和EO聚合物像素218之上的电接触层22,从而将EO聚合物像素218电耦接至ROIC的地线204。电接触层222在感兴趣的光谱范围中是光学透明的。在一个实例中,电接触层222对可见光辐射、SWIR辐射和/或LWIR辐射是光学透明的。一方面,电接触层222由铟氧化物组成,铟锡氧化物可以通过诸如蒸发或喷溅的适当方法沉积。
[0051] 可选的抗反射(AR)非导电涂层(未示出)可以形成在电接触层222之上,从而减少反射和/或增加由EO聚合物像素接收的光。AR涂层也可 以作为调谐反射器,从而为悬在EO聚合物像素上方的微辐射热测定仪元件提供双向路径吸收。在一种实施方式中,AR涂层可以是单层或多层涂层。
[0052] 现在参考图3,其根据图1B的制造方法116之后的实施方式示出了焦平面阵列300的横截面视图。在该实施方式中,与上文中相对于图1和2A-2E描述的元件类似的元件的编号相同,并且是完全适用的,尽管其说明不再赘述以避免重复。
[0053] 在该实施方式中,非制冷长波红外(LWIR)微辐射热测定仪302耦接到每个EO聚合物像素218上方的ROIC202。根据一方面,每个微辐射热测定仪302包括辐射吸收层,例如桥(如桥226a或226b),并且在一个实例中,桥由氧化钒、非晶硅和非晶硅锗中的至少一种组成。一方面,辐射吸收层布置在每个EO聚合物像素上方,并且每个EO聚合物像素位于ROIC(例如金属触点208a、208b)和每个微辐射热测定仪辐射吸收层(例如:桥226a、226b)之间。在一个实例中,辐射吸收层在可见光和/或SWIR波段中足够透明,以允许可见光和/或SWIR辐射穿过微辐射热测定仪并且由EO聚合物像素吸收。因此,在该实施方式中,电接触层222对可见光辐射和/或SWIR辐射而言是光学透明的。在一种实施方式中,电接触层222由铟锡氧化物组成,铟锡氧化物可以通过诸如蒸发或喷溅的适当方法沉积。因此,FPA300可以以两种颜色或双波段运行。
[0054] 根据一方面,LWIR微辐射热测定仪302通过位于相邻微辐射热测定仪(例如桥226a、226b)之间的以及相邻EO聚合物像素218(例如聚合物像素218a、218b)之间的腿
224b电耦接至ROIC。根据另一方面,LWIR微辐射热测定仪302经由与共享接触腿相对的隔离腿(例如隔离腿224a或224c)电耦接至电接触层222,并且EO聚合物像素位于隔离腿和共享接触腿之间。在一个实例中,隔离腿224a与共享接触腿224b相对,并且EO聚合物像素218a位于其间,以及隔离腿224c与共享接触腿224b相对,并且EO聚合物像素218b位于其间。
[0055] 有利地是,本公开文本允许同时整合和空间相同的通量捕获。由于由可见光和/或SWIR探测器(EO聚合物像素218)和LWIR探测器(微辐 射热测定仪302)覆盖的广阔区域在准确地对齐探测器的情况下大致重叠在相同区域上,捕捉的可见和/或SWIR图像信息以及LWIR图像信息大致配准(co-registered),其中,第一图像中的像素的X-Y坐标可以映射到第二图像中的像素的X-Y位置,而不需要缩放、旋转和/或转换任一图像。
[0056] 通常,期望组合SWIR图像信息和LWIR图像信息以产生用于在显示器上检视的单个图像。通常,由于利用了超过一个探测器(其中每个探测器都专用于捕捉一种波长的光)来捕捉这些图像信息,因此需要组合超过一个未配准的图像信息源。因此,人们通常必须使用计算密集型信号处理来从一个波段(SWIR或LWIR)转换、缩放和旋转图像,直到其与来自另一波段的图像对准或重合。因为根据本公开文本实施方式的双波段FPA包括配准的SWIR探测器和LWIR探测器,由双波段FPA提供的最终的图像信息由每种波长的配准的图像信息(其不需要额外的图像转换以配准波段)形成。
[0057] 此外,根据本公开文本的实施方式的双波段FPA允许探测器设备的较小的填充因子或物理尺寸,这是因为在本公开文本的单片设计不需要铟凸点和/或其他元件。现有的双色探测器是基于来自ROIC的分离基板上的外延生长薄膜,其随后必须通过杂交/铟互连集成。外延生长工艺和额外的互连增加了所得的焦平面阵列的复杂性和成本,在本公开文本的单片设计中这得以避免。
[0058] 现在参考图4,该框图示出了根据一种或多种实施方式的用于捕捉图像和处理的系统400(例如红外摄像机)。在一种实施中,系统400包括处理器件410、存储器件420、图像捕捉器件430、控制器件440和/或显示器件450。系统400还可包括感测器件460。
[0059] 举例来说,系统400可以代表用于捕捉和处理图像(例如场景470的视频图像)的红外成像设备。系统400可代表任何类型的适于检测红外辐射并提供代表性数据和信息(例如场景的红外图像数据)的红外摄像机,或者更一般地,可以代表任何类型的光电传感器系统。在一个实例中,系统400可以代表红外摄像机、双波段成像仪(例如运行用于感测反射的可见光和/或SWIR光(用于高分辨率图像)和LWIR辐射(用于热成像)的 夜视成像仪)或者用于同时感测短波和长波辐射以提供独立图像信息的成像仪。系统400可以包括便携式设备,并且举例来说,可以结合到需要存储和/或显示红外图像的交通工具(例如:机动车或其他类型的陆基交通工具、飞行器、海船或航天器)或非移动设施,或者可以包括分布式网络系统。
[0060] 在各种实施方式中,处理器件410可以包括任意类型的处理器或逻辑设备(例如配置用于执行处理功能的可编程逻辑设备(PLD))。如本文所述的,处理器件410可以适于与器件420、430、440和450交互和通信以执行方法和处理步骤和/或操作,例如控制偏置或其他功能(例如:用于元件的值,元件例如可变电阻电流源,用于计时的开关设置,例如用于开关电容滤波器、斜坡电压值等)以及常规系统处理功能,如本领域技术人员将理解的那样。
[0061] 在一种实施方式中,存储器件420包括一个或多个用于存储数据和信息(例如,包括红外数据和信息)的存储设备。存储设备420可以包括一个或多个不同类型的存储设备,该存储设备包括易失性和非易失性存储设备。处理器件410可以适于执行存储在存储器件420中的软件,从而执行本文描述的方法和处理步骤和/或操作。
[0062] 在一种实施方式中,图像捕捉器件430包括任意类型的图像传感器,例如一个或多个用于捕捉代表图像(例如场景470)的红外图像数据(例如静止图像数据和/或视频数据)的红外传感器(例如任意类型的多像素红外探测器,例如本文描述的焦平面阵列)。在一种实施中,图像捕捉器件430的红外传感器用于将捕捉到的图像数据表示(例如转换)为数字数据(例如:经由被包括作为红外传感器的一部分或与红外传感器分离而作为系统
400的一部分的模数转换器)。一方面,红外图像数据(例如红外视频数据)可以包括图像(例如场景470)的不均匀数据(例如真实图像数据)。处理器件410可以适于处理红外图像信号(例如,用于提供处理过的图像数据)、将红外图像数据存储在存储器件420中和/或从存储器件420中检索存储的红外图像数据。例如,处理器件410可以适于处理存储在存储器件420中的红外图像数据,以提供处理过的图像数据和信息(例如, 捕捉的和/或处理过的红外图像数据)。
[0063] 在一种实施方式中,控制器件440包括用户输入和/或接口设备。例如,用户输入和/或接口设备可以代表可旋转钮(例如电位计)、按钮、滑杆、键盘等,其适于生成用户输入控制信号。处理器件410可以适于通过控制器件440感测来自用户的控制输入信号并且响应从其接收的任何感测的输入控制信号。处理器件410可以适于将这种控制输入信号解释为参数值,如本领域技术人员理解的那样。
[0064] 在一种实施方式,控制器件440可以包括控制单元(例如有线或无线手持式控制单元),其具有适于与用户交互并接收用户输入控制值的按钮。在一种实施中,控制单元的按钮可以用于控制系统400的各种功能,例如:自动对焦、菜单使能和选择、视场、亮度对比度、噪声过滤、高通滤波、低通滤波和/或本领域内技术人员所理解的各种其他功能。
[0065] 在一种实施方式中,显示器件450包括图像显示设备(例如:液晶显示器(LCD)或各种其他类型的公知视频显示器或监测器)。处理器件410可以适于在显示器件450上显示图像数据和信息。处理器件410可以适于从存储器件420中检索图像数据和信息并将任何检索到的图像数据和信息显示在显示器件450上。显示器件450可以包括显示电子设备,其可以由处理器件410使用以显示图像数据和信息(例如:红外图像)。显示器件450可以适于经由处理器件410直接从图像捕捉器件430接收图像数据和信息,或者图像数据和信息可以从存储器件420经由处理器件410传输。
[0066] 在一种实施方式中,感测器件460包括不同类型的一个或多个传感器,这取决于应用或实施需求,如本领域内技术人员理解的那样。可选的感测器件460的传感器为至少处理器件410提供数据和/或信息。一方面,处理器件410可以适于与感测器件460通信(例如,通过从感测器件460接收传感器信息)并且与图像捕捉器件430通信(例如,通过从图像捕捉器件430接收数据和信息并且给和/或从系统400的一个或多个其他元件提供和/或接收命令、控制和/或其他信息)。
[0067] 在各种实施中,感测器件460可以提供与环境状况相关的信息,例如外部温度、光照条件(例如,白天、夜晚、黄昏和/或黎明)、温度平、 具体天气状况(例如:晴天、下雨和/或下)、距离(例如激光测距仪)和/或是否进入或离开隧道或其他类型的封闭物。感测器件460可以代表本领域技术人员公知的常规传感器以监测各种状况(例如环境状况),这些状况可能影响(例如,在图像表现方面)图像捕捉器件430所提供的数据。
[0068] 在一些实施中,可选的感测器件460(例如,一个或多个传感器)可以包括将信息经由有线和/或无线通信中继给处理器件410的设备。例如,可选的感测器件460可以适于从卫星接收信息,通过本地广播(例如无线电频率(RF))传输、通过移动或蜂窝网络和/或通过基础设施中的信息信标(例如:基础设施中的传输或高速信息信标)或各种其他有线和/或无线技术接收信息。
[0069] 在各种实施方式中,根据需要或取决于应用或需求,系统400的元件可以组合和/或实施,或者不被组合和/或实施,其中系统400代表相关系统的各种功能。在一个实例中,处理器件410可以与存储器件420、图像捕捉器件430、显示器件450和/或可选的感测器件460组合。在另一实例中,处理器件410可以与图像捕捉器件430组合,并且仅处理器件410的某些功能由图像捕捉器件430内的电路(例如:处理器、微处理器、逻辑设备、微控制器等)执行。此外,系统400的各种元件可以彼此远离(例如,图像捕捉器件430可以包括具有处理器件410等的远程传感器,其代表可以或可以不与图像捕捉器件430通信的计算机。)
[0070] 尽管已经结合有限数量的实施方式描述了本发明,但应该轻易地理解,本发明不限于这些公开的实施方式。相反,本发明可以被改进以结合任意数量的本文并未描述但符合本发明的精神和范围的变化、改变、替换或等价布置。此外,尽管已经描述了本发明的各种实施方式,但应该理解,本发明的各个方面可以仅包括描述的实施方式中的一些。因此,本发明不应该被认为是由上述说明书限制,而应被视为仅由随附权利要求的范围限制。
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