1.一种传感器结构，包括：
用于支撑MEMS传感器的引线框架；
在所述引线框架的表面中的凹部；以及
MEMS传感器，耦合到所述引线框架的表面并且布置在所述凹部之上以形成腔，其中所述凹部在声学上被封闭，
其中所述MEMS传感器具有背容积，
其中所述腔由所述凹部和所述背容积形成，以及
其中所述引线框架具有两个不同高度水平的底表面，以在所述传感器结构中形成台阶状。
2.权利要求1的所述传感器结构，所述引线框架包括半导体芯片座区域和多个电引线，所述多个电引线围绕所述半导体芯片座区域的外围来布置；其中包括所述半导体芯片座区域和所述多个电引线的组中的至少一个构件被配置成电连接到电路板。
3.权利要求2的所述传感器结构，其中所述凹部在所述芯片座区域中形成。
4.权利要求1的所述传感器结构，其中所述MEMS传感器包括至少一个隔膜结构。
5.权利要求1的所述传感器结构，进一步包括：
电耦合到所述MEMS传感器的集成电路；
其中所述集成电路被配置成处理由所述MEMS传感器生成的信号。
6.权利要求5的所述传感器结构，其中所述集成电路通过线键合工艺被电耦合到所述MEMS传感器。
7.权利要求5的所述传感器结构，其中所述集成电路被电耦合到所述引线框架。
8.权利要求5的所述传感器结构，进一步包括：
设置在所述引线框架的表面之上的密封层；
其中所述密封层至少部分地包封所述MEMS传感器和所述集成电路。
9.权利要求8的所述传感器结构，进一步包括：
在所述密封层中的开口；
其中所述开口被布置，使得所述MEMS传感器的部分不被所述密封层覆盖。
10.权利要求8的所述传感器结构，其中所述密封层通过转移模制工艺来沉积。
11.权利要求9的所述传感器结构，进一步包括：
布置在所述开口的边缘区域处的间隔区结构；
其中所述间隔区结构被配置成防止所述密封层被沉积在所述开口中。
12.一种传感器结构，包括：
用于支撑MEMS传感器的引线框架；
在所述引线框架的部分中形成的通孔；以及
MEMS传感器，耦合到所述引线框架的表面并且布置在所述通孔的开口之上以形成拱顶结构，
其中所述通孔在声学上被封闭，以及
其中所述引线框架具有两个不同高度水平的底表面，以在所述传感器结构中形成台阶状。
13.权利要求12的所述传感器结构，进一步包括：
配置成封闭所述通孔的开口的结构；
其中所述结构被布置在所述通孔的与所述MEMS传感器相对的端处。
14.权利要求13的所述传感器结构，其中所述引线框架包括半导体芯片座区域和多个电引线，所述多个电引线被配置成连接到电路板并且围绕所述半导体芯片座区域的外围来布置。
15.权利要求14的所述传感器结构，其中所述通孔在所述半导体芯片座区域中形成。
16.权利要求13的所述传感器结构，其中所述MEMS传感器包括至少一个隔膜结构。
17.权利要求13的所述传感器结构，进一步包括：
电耦合到所述MEMS传感器的集成电路；
其中所述集成电路被配置成处理由所述MEMS传感器生成的信号。
18.权利要求17的所述传感器结构，进一步包括：
设置在所述引线框架的表面之上的密封层；
其中所述密封层至少部分地包封所述MEMS传感器和所述集成电路。
19.权利要求18的所述传感器结构，进一步包括：
在所述密封层中的开口；
其中所述开口被布置，使得所述MEMS传感器的部分不被所述密封层覆盖。
20.权利要求18的所述传感器结构，进一步包括：
布置在所述开口的边缘区域处的间隔区结构；
其中所述间隔区结构被配置成防止所述密封层被沉积在所述开口中。
21.权利要求18的所述传感器结构，其中所述通孔的部分横向延伸到所述引线框架中超过所述MEMS传感器的周界。