1.一种制造锚定到衬底的可转移半导体元件的方法，所述方法包括以下步骤：
产生由所述衬底的外表面支撑的所述可转移半导体元件；
提供异质锚元件，所述异质锚元件与所述可转移半导体元件物理接触且沿着所述可转移半导体元件的侧边延伸，并与所述衬底或其上设置的结构物理接触，从而将所述可转移半导体元件锚定到所述衬底，使得当去除在所述可转移半导体元件下面的牺牲层时所述异质锚元件维持所述可转移半导体元件的空间取向。
2.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述异质锚元件的所述步骤包括沉积或涂布对所述衬底的一部分进行覆盖的材料层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述材料层覆盖所述衬底的所述外表面的一部分。
4.根据权利要求2所述的方法，其中产生所述可转移半导体元件的所述步骤暴露出所述外表面或其上设置的结构的一个或多个暴露区域，其中，所述提供所述异质锚元件的步骤包括将所述材料层沉积或涂布在所述外表面或其上设置的结构的所述暴露区域的至少一部分上。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述材料层包括薄膜结构。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述材料层包括阻挡材料。
7.根据权利要求2所述的方法，其中所述材料层包括SiN或PECVD电介质。
8.根据权利要求2所述的方法，其中所述材料层被设置为与所述可转移半导体元件的一侧接触并沿着该侧延伸，其中所述材料层终止于所述衬底的所述外表面或其上设置的结构并且与所述衬底的所述外表面或其上设置的结构接触。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述材料层包括将所述可转移半导体元件的一侧连接到所述衬底的所述外表面或其上设置的结构的柱结构。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述可转移半导体元件包括单个半导体层。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述可转移半导体元件包括具有多个半导体层的多层结构。
12.根据权利要求1所述的方法，其中产生所述可转移半导体元件的所述步骤包括提供由所述衬底的外表面支撑的可转移半导体元件的多层阵列；其中提供所述异质锚元件的所述步骤包括沉积或涂布材料层，该材料层接触在所述多层阵列中的所述可转移半导体元件的侧面，并接触所述衬底的所述外表面或其上设置的结构的一部分。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述异质锚元件用作蚀刻阻止层。
14.一种组装可转移半导体元件的方法，所述方法包括以下步骤：
提供权利要求1所述的锚定到所述衬底的可转移半导体元件；
通过印刷将所述可转移半导体元件转移到器件衬底上。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述通过印刷将所述可转移半导体元件转移到所述器件衬底上的步骤通过接触印刷进行。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述通过印刷将所述可转移半导体元件转移到所述器件衬底上的步骤通过如下步骤进行：
将所述可转移半导体元件与具有接触表面的转移器件接触，其中，在所述接触表面和所述可转移半导体元件之间的接触将所述可转移半导体元件结合到所述接触表面；
以导致所述异质锚元件断裂的方式移动所述转移器件，从而将所述可转移半导体结构从所述衬底转移到所述转移器件，从而形成具有位于其上的所述可转移半导体元件的所述接触表面；
将位于所述接触表面上的所述可转移半导体元件与所述器件衬底的承接表面接触；以及
分离所述转移器件的所述接触表面和所述可转移半导体元件，其中所述可转移半导体元件被转移到所述承接表面上，从而将所述可转移半导体元件组装在所述衬底的所述承接表面上。
17.一种制造器件的方法，所述方法包括以下步骤：
提供权利要求1所述的锚定到所述衬底的可转移半导体元件；
通过印刷将所述可转移半导体元件转移到器件衬底上。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述通过印刷将所述可转移半导体元件转移到所述器件衬底上的步骤通过接触印刷进行。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述通过印刷将所述可转移半导体元件转移到所述器件衬底上的步骤通过如下步骤进行：
将所述可转移半导体元件与具有接触表面的转移器件接触，其中，在所述接触表面和所述可转移半导体元件之间的接触将所述可转移半导体元件结合到所述接触表面；
以导致所述异质锚元件断裂的方式移动所述转移器件，从而将所述可转移半导体结构从所述衬底转移到所述转移器件，从而形成具有位于其上的所述可转移半导体元件的所述接触表面；
将位于所述接触表面上的所述可转移半导体元件与所述器件衬底的承接表面接触；以及
分离所述转移器件的所述接触表面和所述可转移半导体元件，其中所述可转移半导体元件被转移到所述承接表面上，从而将所述可转移半导体元件组装在所述衬底的所述承接表面上。
20.一种组装可转移半导体元件的方法，所述方法包括以下步骤：
通过以下步骤提供锚定到衬底的可转移半导体元件：
产生由所述衬底的外表面支撑的所述可转移半导体元件；
提供异质锚元件，所述异质锚元件与所述可转移半导体元件物理接触且沿着所述可转移半导体元件的侧边延伸，并与所述衬底或其上设置的结构物理接触，从而将所述可转移半导体元件锚定到所述衬底，其中所述异质锚元件包括阻挡材料，并且使得当去除在所述可转移半导体元件下面的牺牲层时所述异质锚元件维持所述可转移半导体元件的空间取向；以及
通过印刷将所述可转移半导体元件转移到器件衬底上。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述通过印刷将所述可转移半导体元件转移到所述器件衬底上的步骤通过接触印刷进行。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述通过印刷将所述可转移半导体元件转移到所述器件衬底上的步骤通过如下步骤进行：
将所述可转移半导体元件与具有接触表面的转移器件接触，其中，在所述接触表面和所述可转移半导体元件之间的接触将所述可转移半导体元件结合到所述接触表面；
以导致所述异质锚元件断裂的方式移动所述转移器件，从而将所述可转移半导体结构从所述衬底转移到所述转移器件，从而形成具有位于其上的所述可转移半导体元件的所述接触表面；
将位于所述接触表面上的所述可转移半导体元件与所述器件衬底的承接表面接触；以及
分离所述转移器件的所述接触表面和所述可转移半导体元件，其中所述可转移半导体元件被转移到所述承接表面上，从而将所述可转移半导体元件组装在所述衬底的所述承接表面上。
23.根据权利要求20所述的方法，其中所述异质锚元件包括横向蚀刻阻止部。
24.一种制造包括可转移半导体元件的器件的方法，所述方法包括以下步骤：
通过以下步骤提供锚定到衬底的可转移半导体元件：
产生由所述衬底的外表面支撑的所述可转移半导体元件；以及
提供异质锚元件，所述异质锚元件与所述可转移半导体元件物理接触且沿着所述可转移半导体元件的侧边延伸，并与所述衬底或其上设置的结构物理接触，从而将所述可转移半导体元件锚定到所述衬底，其中所述异质锚元件包括阻挡材料，并且使得当去除在所述可转移半导体元件下面的牺牲层时所述异质锚元件维持所述可转移半导体元件的空间取向；
通过印刷将所述可转移半导体元件转移到器件衬底上。
25.根据权利要求24所述的方法，其中所述通过印刷将所述可转移半导体元件转移到所述器件衬底上的步骤通过接触印刷进行。
26.根据权利要求25所述的方法，其中所述通过印刷将所述可转移半导体元件转移到所述器件衬底上的步骤通过如下步骤进行：
将所述可转移半导体元件与具有接触表面的转移器件接触，其中，在所述接触表面和所述可转移半导体元件之间的接触将所述可转移半导体元件结合到所述接触表面；
以导致所述异质锚元件断裂的方式移动所述转移器件，从而将所述可转移半导体结构从所述衬底转移到所述转移器件，从而形成具有位于其上的所述可转移半导体元件的所述接触表面；
将位于所述接触表面上的所述可转移半导体元件与所述器件衬底的承接表面接触；以及
分离所述转移器件的所述接触表面和所述可转移半导体元件，其中所述可转移半导体元件被转移到所述承接表面上，从而将所述可转移半导体元件组装在所述衬底的所述承接表面上。
27.根据权利要求24所述的方法，其中所述阻挡材料是光致抗蚀剂。
28.根据权利要求24所述的方法，其中所述阻挡材料包括氮化硅。
29.一种用于产生可转移半导体元件的多层阵列的方法，所述方法包括以下步骤：
提供具有外表面的衬底；
提供由所述衬底的所述外表面支撑的多层结构，其中所述多层结构包括交替顺序的半导体层和牺牲层；
通过从所述多层结构去除材料产生一个或多个凹进特征部；以及
将异质锚元件沉积或涂布在所述一个或多个凹进特征部中，从而将每个所述半导体层的至少一部分锚定到所述衬底的外表面，或锚定到在所述多层结构的半导体顶层下方的一个或多个半导体层，或锚定到所述衬底的外表面和在所述多层结构的半导体顶层下方的一个或多个半导体层。
30.根据权利要求29所述的方法，其中所述凹进特征部从所述多层结构的顶层贯通到所述衬底的外表面，从而暴露出所述衬底的外表面的区域，并且所述异质锚元件将每个所述半导体层锚定到所述衬底的外表面。
31.根据权利要求29所述的方法，其中所述凹进特征部从所述多层结构的第一半导体顶层贯穿到在所述顶层下方的第二半导体层，并且所述异质锚元件将所述第一半导体层锚定到所述第二半导体层。
32.根据权利要求29所述的方法，其中所述沉积或涂布步骤使用选自如下组的技术进行，所述组包括：化学气相沉积、物理气相沉积、溶胶凝胶涂布、原子层沉积、液相外延、电化学沉积和旋涂。
33.根据权利要求32所述的方法，其中所述沉积或涂布步骤使用选自如下组的技术进行，所述组包括：气相外延、分子束外延、蒸发沉积、有机金属化学气相沉积、溅射沉积、溶胶凝胶涂布、等离子体增强型化学气相沉积、原子层沉积、液相外延、电化学沉积和旋涂。
34.根据权利要求33所述的方法，其中所述沉积或涂布步骤使用选自如下组的技术进行，所述组包括：气相外延、分子束外延、有机金属化学气相沉积、溅射沉积、溶胶凝胶涂布、电子束蒸发沉积、等离子体增强型化学气相沉积、原子层沉积、液相外延、电化学沉积和旋涂。
35.根据权利要求31所述的方法，进一步包括：
选择性去除处于所述第一半导体顶层下方的所述牺牲层；
松脱所述第一半导体顶层；
去除所述异质锚元件，
并且重复所述产生和沉积步骤，从而将所述第二半导体层锚定到在所述第二半导体层下方的第三半导体层。
36.根据权利要求35所述的方法，其中重复选择性去除牺牲层、松脱半导体层和重复所述产生和沉积步骤的过程，直至所有半导体层被从所述衬底的外表面去除。
37.根据权利要求36所述的方法，其中所述衬底包括晶片，并且所述衬底被重复使用来支撑一第二多层结构。
38.根据权利要求30所述的方法，进一步包括：
去除所述牺牲层；
松脱所述半导体层；
去除所述异质锚元件；以及
通过提供由所述衬底的所述外表面支撑的第二多层结构并重复用于产生将每个所述半导体层锚定到所述衬底的外表面的锚的所述步骤，来重复使用所述衬底。
39.根据权利要求29所述的方法，其中每个异质锚元件与所述可转移半导体元件物理接触且沿着所述可转移半导体元件的侧边延伸。
40.一种制造锚定到衬底的可转移半导体元件的方法，所述方法包括：
产生由所述衬底的外表面支撑的所述可转移半导体元件；
提供异质锚元件，所述异质锚元件与所述可转移半导体元件物理接触且沿着所述可转移半导体元件的侧边延伸，并与所述衬底或其上设置的结构物理接触，从而将所述可转移半导体元件锚定到所述衬底；
提供至少部分地位于所述可转移半导体元件与所述衬底的所述外表面之间的松脱层；
以及
通过选择性去除所述松脱层松脱所述可转移半导体元件的至少一部分，并且使得当去除所述松脱层时所述异质锚元件维持所述可转移半导体元件的空间取向，其中所述松脱步骤包括在将所述可转移半导体元件连接到所述异质锚元件的可断裂束缚点受控剥脱所述可转移半导体元件。
41.根据权利要求40所述的方法，其中所述选择性去除所述松脱层包括应用优先蚀刻所述松脱层的蚀刻剂。
42.根据权利要求41所述的方法，其中所述异质锚元件包括阻挡材料。
43.根据权利要求40所述的方法，其中所述产生步骤包括：
提供多个功能层，每个功能层包括可转移半导体元件，其中相邻的功能层由松脱层隔开；以及
通过选择性去除所述松脱层去除最顶部的功能层，其中在所述最顶部的层下面的所述功能层保持由所述异质锚元件锚定到所述衬底。