1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
光电探测器阵列，所述光电探测器阵列被配置成响应于光而生成电荷；其中所述电荷被选择性地转移到浮动扩散节点；
第一放大器，所述第一放大器耦接到像素输出节点和反馈节点，并对被存储在所述浮动扩散节点中的所述电荷作出响应，并且被配置成在所述像素输出节点处产生像素信号，其中所述第一放大器具有大于单位一的增益；
第一行选择设备，所述第一行选择设备耦接在所述第一放大器的漏极端子与所述像素输出节点之间并对第一信号作出响应；
第一反馈网络，所述第一反馈网络适于将所述像素输出节点选择性地耦接到所述浮动扩散节点；和
第二反馈网络，所述第二反馈网络适于将所述像素输出节点选择性地耦接到所述反馈节点。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一反馈网络包括：
第一电容器；和
耦接到所述第一电容器的第二行选择设备，其中所述第二行选择设备对所述第一信号作出响应，并将所述像素输出节点选择性地耦接到所述浮动扩散节点。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：
重置晶体管，所述重置晶体管耦接到电压源和所述浮动扩散节点，并对重置信号作出响应以从所述浮动扩散节点移除电荷；和
第一转移门，所述第一转移门对第二信号作出响应并耦接到所述光电探测器中的至少一个光电探测器，其中所述第一转移门被配置成将电荷转移到所述浮动扩散节点。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：
耦接到所述反馈节点的电流源，其中所述电流源被配置成设置所述反馈节点的电压电平；和
耦接到所述像素输出节点的偏置电流，其中所述偏置电流被配置成加载到所述第一放大器。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二反馈网络包括：
第二放大器，所述第二放大器对所述像素输出节点处的电势作出响应，并耦接到所述反馈节点；和
第二电容器，所述第二电容器耦接在所述反馈节点与所述像素输出节点之间。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器被配置作为堆叠图像传感器，所述堆叠图像传感器包括：
第一芯片，其中所述第一芯片包括所述光电探测器阵列；
第二芯片，其中所述第二芯片包括所述第一反馈网络；
第三芯片，其中所述第三芯片包括所述第二反馈网络；
其中：
所述第一芯片和所述第二芯片利用混合粘合剂接合在一起；并且
所述第二芯片和所述第三芯片利用烧熔粘合剂接合在一起。
7.一种成像系统，其特征在于，包括：
图像传感器，所述图像传感器包括：第一芯片、第二芯片和第三芯片，
所述第一芯片包括：光电探测器阵列和第一转移门，
所述第一转移门对第一信号作出响应，并耦接到至少一个光电探测器，其中所述第一转移门被配置成将电荷转移出所述光电探测器；
所述第二芯片耦接到所述第一芯片，所述第二芯片包括：电荷存储节点、第一放大器、第一行选择设备、第一反馈网络，
所述电荷存储节点耦接到一个或多个光电探测器，并被配置成存储由所述光电探测器中的一个光电探测器所生成的电荷；
所述第一放大器对所述电荷存储节点处的所述电荷作出响应，并被配置成在像素输出节点处产生像素信号，所述第一放大器包括：耦接到所述第一转移门的第一端子、耦接到所述像素输出节点的第二端子和耦接到反馈节点的第三端子，并且其中所述第一放大器具有大于单位一的增益；
所述第一行选择设备耦接在所述第一放大器的所述第二端子与所述像素输出节点之间，并对第二信号作出响应；
所述第一反馈网络耦接在所述像素输出节点与所述电荷存储节点之间，所述第一反馈网络包括：第一电容器和第二行选择设备，
所述第一电容器耦接在所述像素输出节点与所述第一放大器的所述第一端子之间；
所述第二行选择设备耦接在所述像素输出节点与所述第一放大器的所述第一端子之间，并对所述第二信号作出响应；
所述第三芯片耦接到至少所述第二芯片，所述第三芯片包括：第三转移门和第二反馈网络，
所述第二反馈网络耦接在所述第三转移门与所述反馈节点之间，第二反馈网络包括：
第二放大器和第二电容器，
所述第二放大器包括：耦接到所述反馈节点的第一端子和耦接到所述第三转移门的第二端子；
所述第二电容器耦接在所述反馈节点与所述第二放大器的所述第二端子之间；
所述第三转移门对第三信号作出响应并耦接在所述第二放大器与所述像素输出节点之间。
8.根据权利要求7所述的成像系统，其特征在于，所述第二芯片还包括重置晶体管，所述重置晶体管耦接到电压源和电荷存储区域，并对重置信号作出响应以从所述电荷存储节点移除电荷。
9.根据权利要求7所述的成像系统，其特征在于，还包括：耦接到所述反馈节点的电流源以及耦接到所述像素输出节点的偏置电流。
10.根据权利要求7所述的成像系统，其特征在于，
所述第一芯片和所述第二芯片利用混合粘合剂接合在一起；
所述第二芯片和所述第三芯片利用烧熔粘合剂接合在一起；并且
所述第一芯片、所述第二芯片和所述第三芯片竖直地堆叠。