1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：
硅衬底，上层部分的至少一部分包含具有导电性的阱；
第1绝缘膜，设置在所述硅衬底上，与所述阱相接；
积层体，设置在所述硅衬底上及所述第1绝缘膜上，将多个第1导电膜及绝缘膜在第1方向上交替地积层；以及
第2导电膜，在所述第1方向上延伸于所述积层体内，包含硅，且包含透过配置在所述第
1绝缘膜内而与所述阱绝缘的第1下端部及配置在所述积层体内的第1延伸部。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述积层体具有第2区域及第1区域，所述第1区域配置在所述第2区域的与所述第1方向交叉的第2方向侧；且
配置在所述第1区域的部分的形状为阶梯状，
所述第1延伸部配置在所述第1区域。
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：
还具备第3导电膜，
所述第3导电膜在所述第1方向上延伸于所述第2区域，包含硅，且包含配置在所述硅衬底内的第2下端部及配置在所述积层体内的第2延伸部。
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1下端部的沿所述第1方向的第1长度比所述第2下端部的沿所述第1方向的第2长度长。
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1长度为所述第2长度的
10倍以上。
6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述硅衬底与所述第1绝缘膜接触，且
所述硅衬底与所述第2下端部接触。
7.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述第1绝缘膜含有硅氧化物。
8.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述第2导电膜含有所述第3导电膜所含的材料。
9.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：
还具备设置在所述积层体与所述第3导电膜之间的第1存储膜，
所述第1存储膜包含
第1内侧绝缘膜、
第1中间膜、及
第1外侧绝缘膜，
在所述第3导电膜与所述积层体之间设置着所述第1外侧绝缘膜，
在所述第1外侧绝缘膜与所述第3导电膜之间设置着所述第1中间膜，且在所述第1中间膜与所述第3导电膜之间设置着所述第1内侧绝缘膜。
10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于：
还具备设置在所述积层体与所述第2导电膜之间的第2存储膜，
所述第2存储膜包含
第2内侧绝缘膜、
第2中间膜、及
第2外侧绝缘膜，
在所述第2导电膜与所述积层体之间，设置着所述第2外侧绝缘膜，含有所述第1外侧绝缘膜所含的材料，
在所述第2外侧绝缘膜与所述第2导电膜之间，设置着所述第2中间膜，含有所述第1中间膜所含的材料，且
在所述第2中间膜与所述第2导电膜之间，设置着所述第2内侧绝缘膜，含有所述第1内侧绝缘膜所含的材料。
11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：还具备电极膜，所述电极膜沿所述第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向扩展，包含配置在所述硅衬底内的第3下端部及配置在所述积层体内的第3延伸部。
12.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第2导电膜与所述硅衬底绝缘。
13.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述第2导电膜具有与所述硅衬底接触的第2导电膜第1面，
所述第3导电膜具有与所述硅衬底接触的第3导电膜第1面，且
所述第2导电膜第1面到最下层的所述第1导电膜之间的第4长度比所述第3导电膜第1面到最下层的所述第1导电膜之间的第5长度长。
14.一种半导体存储装置的制造方法，其特征在于，具备如下步骤：
在包含阱的硅衬底的一部分，与所述阱相接而形成第1绝缘膜；
在所述硅衬底上及所述第1绝缘膜上，将多个绝缘膜与填充膜在第1方向上交替地积层而形成积层体；
在所述积层体的第2区域，形成在所述第1方向上延伸于所述积层体内且到达所述硅衬底的第1孔；
在所述第1孔的内表面上形成第1存储膜；
利用硅埋入所述第1孔内，形成包含硅的第3导电膜；
在配置在所述第2区域的与所述第1方向交叉的第2方向侧的第1区域，形成在所述第1方向上延伸于所述积层体内且到达所述第1绝缘膜的第2孔；
在所述第2孔的内表面上形成第2存储膜；
利用硅埋入所述第2孔内，形成包含硅的第2导电膜；
形成在所述第1方向上延伸于所述积层体内且到达所述硅衬底的狭缝；
经由所述狭缝，去除所述填充膜；以及
在去除所述填充膜后的空间形成第1导电膜。