1.一种嵌段共聚物，包含由下式4表示的第一嵌段和包含含有至少一个卤原子的芳族结构的第二嵌段：
[式4]
在式4中，R是氢或烷基，X是氧原子、硫原子、-S(＝O)2-、羰基、-C(＝O)-X1-或-X1-C(＝O)-，其中X1是氧原子、硫原子或-S(＝O)2-，并且Y是与具有至少3个成链原子的直链连接的芳族结构或者与具有8个或更多个成链原子的链连接的脂环族结构。
2.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述R是氢或具有1至4个碳原子的烷基。
3.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述X是氧原子、-C(＝O)-O-或-O-C(＝O)-。
4.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述X是-C(＝O)-O-。
5.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中与所述芳族结构或所述脂环族结构连接的所述链包含8至20个成链原子。
6.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述成链原子是碳、氧或氮。
7.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述链为烃链。
8.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述链直接与所述芳族结构或所述脂环族结构连接，或者所述链通过连接基团与所述芳族结构或所述脂环族结构连接。
9.根据权利要求8所述的嵌段共聚物，其中所述连接基团是氧原子、硫原子、-NR3-、-S(＝O)2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基，其中R3是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基。
10.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述芳族结构包含6至12个碳原子，而所述脂环族结构包含3至12个碳原子。
11.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述Y由下式2表示：
[式2]
-P-Q-Z
在式2中，P是亚芳基或环亚烷基，Q是单键、氧原子或-NR3-，其中R3是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基，并且Z在其中P是亚芳基的情况下为具有3个或更多个成链原子的链，或者在其中P是环亚烷基的情况下为具有8个或更多个成链原子的链。
12.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中当进行X射线衍射分析时，所述嵌段共聚物在0.5nm-1至10nm-1的q值范围内显示出半高全宽在0.2nm-1至1.5nm-1范围内的峰。
13.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述链的成链原子的数目(n)相对于呈自组装状态的所述嵌段之间的距离(D，单位：nm)之比(n/D)为2.5nm-1至5nm-1。
14.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中由式4表示的所述嵌段的体积分数在0.4至
0.8的范围内。
15.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，还包含第二嵌段，由式4表示的所述嵌段与所述第二嵌段的表面能之差的绝对值在2.5mN/m至7mN/m的范围内。
16.根据权利要求15所述的嵌段共聚物，其中由式4表示的所述嵌段具有比所述第二嵌段更高的表面能。
17.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中由式4表示的所述嵌段的表面能在20mN/m至35mN/m的范围内。
18.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，还包含第二嵌段，由式4表示的所述嵌段与所述第二嵌段的密度之差的绝对值为0.3g/cm3或更大。
19.一种聚合物层，其包含根据权利要求1所述的嵌段共聚物的自组装产物。
20.一种用于形成聚合物层的方法，包括形成所述聚合物层，所述聚合物层包含根据权利要求1所述的嵌段共聚物的自组装产物。
21.一种图案形成方法，包括从层合体上选择性地移除嵌段共聚物的由式4表示的嵌段或不同于由式4表示的嵌段的嵌段，所述层合体包含基底和聚合物层，所述聚合物层形成在所述基底上并且含有根据权利要求1所述的嵌段共聚物的自组装产物。