1.一种半导体存储装置的外延接触结构的制作方法，包括：
以一蚀刻制作工艺于一半导体基底中形成一凹陷，其中该蚀刻制作工艺于该凹陷中形成一蚀刻缺陷；
在该蚀刻制作工艺之后，进行一氧化制作工艺，其中该氧化制作工艺于该凹陷中形成一氧化物层，且该蚀刻缺陷被该氧化物层包围；
在该氧化制作工艺之后，进行一清洗制作工艺，其中该氧化物层以及被该氧化物层包围的该蚀刻缺陷被该清洗制作工艺移除；以及
在该清洗制作工艺之后，进行一外延成长制作工艺，用以于该凹陷中形成一外延接触结构。
2.如权利要求1所述的半导体存储装置的外延接触结构的制作方法，其中该氧化制作工艺中的氧化剂包括过氧化氢或臭氧水。
3.如权利要求1所述的半导体存储装置的外延接触结构的制作方法，其中该清洗制作工艺包括一干式清洗制作工艺。
4.如权利要求3所述的半导体存储装置的外延接触结构的制作方法，其中该干式清洗制作工艺的制作工艺气体包括三氟化氮。
5.如权利要求1所述的半导体存储装置的外延接触结构的制作方法，其中该清洗制作工艺包括标准清洗1(SC1)制作工艺或稀释氢氟酸清洗制作工艺。
6.如权利要求1所述的半导体存储装置的外延接触结构的制作方法，其中该氧化制作工艺以及该清洗制作工艺于该外延成长制作工艺之前被重复进行。
7.如权利要求1所述的半导体存储装置的外延接触结构的制作方法，还包括：
在该氧化制作工艺之前，进行一预先清洗制作工艺，其中该预先清洗制作工艺不同于该氧化制作工艺。
8.如权利要求7所述的半导体存储装置的外延接触结构的制作方法，其中该预先清洗制作工艺包括SPM清洗制作工艺、SC1制作工艺或稀释氢氟酸清洗制作工艺。
9.如权利要求1所述的半导体存储装置的外延接触结构的制作方法，其中该蚀刻缺陷包括一非硅杂质或一硅损伤层。
10.如权利要求1所述的半导体存储装置的外延接触结构的制作方法，还包括：
在该半导体基底上形成多个位线结构。
11.如权利要求10所述的半导体存储装置的外延接触结构的制作方法，其中该凹陷以及该外延接触结构是于形成该多个位线结构的步骤之前形成，且该多个位线结构中的一个与该外延接触结构电连接。
12.如权利要求10所述的半导体存储装置的外延接触结构的制作方法，其中该凹陷以及该外延接触结构是于形成该多个位线结构的步骤之后形成。
13.如权利要求12所述的半导体存储装置的外延接触结构的制作方法，其中该外延接触结构与该多个位线结构电性隔离。
14.如权利要求12所述的半导体存储装置的外延接触结构的制作方法，其中该外延接触结构包括一存储节点接触结构。