1.一种半导体晶片，包括：
第一主表面和第二主表面，沿着竖直方向彼此相反；
侧表面，环绕所述半导体晶片；以及
在所述侧表面和所述半导体晶片的中心之间的垂直于所述竖直方向的横向距离包括第一部分和第二部分，所述第一部分从所述侧表面延伸到所述第二部分，并且所述第二部分从所述第一部分延伸到所述中心，并且其中
所述第一部分中的氮的平均浓度大于5x1014原子/cm3，并且超过所述第二部分中的氮的平均浓度的量多于所述第二部分中的所述平均浓度的20％。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述半导体晶片是直拉硅晶片或者区熔硅晶片。
3.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述侧表面和所述第二部分之间的所述第一部分的横向尺寸的范围在10μm和1cm之间。
4.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中氮的浓度从所述侧表面开始沿着所述第一部分的多于80％的横向尺寸减少。
5.根据权利要求4所述的半导体晶片，其中氮的浓度的分布等于穿过所述侧表面进入所述半导体晶片的掺杂剂的扩散分布。
6.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中氮沿着所述横向距离的浓度的分布是阶梯式浓度分布，所述阶梯式浓度分布包括在所述第一部分和所述第二部分之间的界面处的浓度减少。
7.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述半导体晶片的边缘部分中的氮的平均浓度超过由所述边缘部分环绕的中心部分中的氮的平均浓度的量多于所述中心部分中的氮的所述平均浓度的20％，其中所述边缘部分包括所述第一部分，并且所述中心部分包括所述第二部分。
8.根据权利要求7所述的半导体晶片，其中所述侧表面和所述中心部分之间的所述边缘部分的最大横向尺寸的范围在10μm和1cm之间。
9.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述半导体晶片是12英寸或者更大的半导体晶片。
10.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述第一部分中的氮的所述平均浓度是所述第二部分中的氮的所述平均浓度的不止10倍。
11.一种制造半导体晶片的方法，所述方法包括：
提供半导体材料块，所述半导体材料块包括相反的第一表面和第二表面以及环绕半导体块的侧表面；
将氮穿过所述侧表面引入到所述半导体块中，其中所述侧表面和所述半导体块的中心之间的横向距离包括第一部分和第二部分，所述第一部分从所述侧表面延伸到所述第二部分，并且所述第二部分从所述第一部分延伸到所述中心，并且其中所述第一部分中的氮的平均浓度大于5x1014原子/cm3，并且超过所述第二部分中的氮的所述平均浓度的量多于所述第二部分中的氮的所述平均浓度的20％；以及
将所述半导体块切片成半导体晶片。
12.根据权利要求11所述的方法，其中氮通过熔炉扩散处理穿过所述侧表面被引入到所述半导体块中。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述熔炉扩散处理在氮气氛中在大于1000摄氏度的温度下在多于1小时的时段内执行。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述熔炉扩散处理在氧气氛中在大于1100摄氏度的温度下在多于1小时的时段内执行。
15.一种处理半导体晶片的方法，所述方法包括：
通过将半导体块切片，形成半导体晶片；
在所述半导体晶片的相反的第一主表面和第二主表面中的至少一个上形成扩散障碍，所述扩散障碍覆盖所述第一主表面和所述第二主表面中的所述至少一个上的所述半导体晶片的中心部分，并且留下在所述第一主表面和所述第二主表面处的所述半导体晶片的边缘部分未被覆盖；以及
将氮穿过所述半导体晶片的未被覆盖的部分引入到所述半导体晶片中，其中所述边缘部分中的氮的平均浓度大于5x1014原子/cm3，并且超过所述中心部分中的氮的平均浓度的量多于所述中心部分中的所述平均浓度的20％。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述扩散障碍被形成为氧化物和氮化物的单层或者层堆。
17.根据权利要求15所述的方法，其中所述半导体晶片的侧表面和所述扩散障碍之间的最大横向尺寸的范围在10μm和1cm之间。
18.根据权利要求15所述的方法，其中氮通过熔炉扩散处理被引入到所述半导体晶片中。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述熔炉扩散处理在氮气氛中在大于900摄氏度的温度下在多于1小时的时段内执行。
20.根据权利要求18所述的方法，其中所述熔炉扩散处理在氧气氛中在大于1200摄氏度的温度下在多于1小时的时段内执行。