1.一种方法，其包含：
a)提供包含光致抗蚀剂层的衬底，其中所述光致抗蚀剂层包含多个孔口；
b)提供铜电镀浴，其包含一种或多种铜离子来源、一种或多种电解质、一种或多种加速剂、一种或多种抑制剂、双环氧化物与具有下式的芳香族氨基酸化合物的一种或多种第一反应产物：
其中E为CR3；G为CR4并且Z为CR5，其中R1、R2、R3、R4和R5独立地选自氢、-NH2和-OH，其限制条件为R1、R2、R3、R4和R5中的至少一个为-NH2，所述双环氧化物具有下式：
其中R6和R7独立地选自氢和C1-4烷基，A＝O((CR8R9)mO)n或(CH2)y，各R8和R9独立地选自氢、甲基或羟基，m＝1到6，n＝1到20并且y＝0到6，并且当y＝0时，A为化学键；及咪唑与环氧化物的一种或多种第二反应产物，其中所述咪唑具有下式：
其中R10、R11和R12独立地选自氢、直链或支链C1-10烷基、羟基、直链或支链烷氧基、直链或支链羟基C1-10烷基、直链或支链烷氧基C1-10烷基、直链或支链羧基C1-10烷基、直链或支链氨基C1-10烷基、经取代或未经取代的苯基，其中取代基选自羟基、羟基C1-3烷基和C1-3烷基；所述环氧化物具有下式：
其中Y为氢或C1-4烷基，X为CH2X2，X1为氢或C1-5烷基并且X2为卤素或OC1-3卤烷基；
c)将包含具有所述多个孔口的所述光致抗蚀剂层的所述衬底浸没在所述铜电镀浴中；
以及
d)在所述多个孔口中电镀多个铜光致抗蚀剂限定的大型特征，所述多个经光致抗蚀剂限定的大型特征包含-5％到+15％的平均TIR％，其中所述TIR％通过以下方程式测定：
TIR％＝[高度中心-高度边缘]/高度最大×100
其中高度中心为柱的沿其中轴线测量的高度，并且高度边缘为柱的沿其边缘在边缘上的最高点处测量的高度，高度最大为柱底部到其顶部上的其最高点的高度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底上的铜光致抗蚀剂限定的大型特征的阵列的平均WID％为0％到25％，其中所述WID％通过以下方程式测定：
WID％＝1/2×[(高度最大-高度最小)/高度平均]×100
其中高度最大为电镀在衬底上的柱阵列的最高柱的高度，在柱的最高部分所测量，高度最小为电镀在衬底上的柱阵列的最短柱的高度，在所述柱的最高部分所测量，高度平均为电镀在衬底上的所有柱的平均高度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述双环氧化物具有下式：
其中R6和R7独立地选自氢和C1-4烷基，R8和R9选自氢、甲基或羟基，m＝1到6，n＝1。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述铜电镀浴中所述一种或多种第一反应产物与所述第二反应产物的重量比5:1到40:1。
5.根据权利要求1所述的方法，其中电镀在5 ASD到50 ASD的电流密度下进行。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种铜光致抗蚀剂限定的大型特征为具有至少50μm的高度的大型特征。