| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 61 | 一种双金属MOFs的含氮石墨化碳材料 | CN201710508442.0 | 2017-06-28 | CN107399729A | 2017-11-28 | 李光琴; 李银乐; 贾保明; 朱克龙 |
| 本发明提供了一种双金属MOFs的含氮石墨化碳材料，采用如下方法制成：S1.将2-甲基咪唑溶解形成溶液A，然后将钴盐和锌盐混合形成溶液B，将溶液A和溶液B进行混合，静止后离心，洗涤，干燥后得到双金属MOFs前体；S2.将S1中形成的双金属MOFs前体在惰性气体气氛下煅烧，得到煅烧后的双金属MOFs前体；S3.将S2中形成的煅烧后的双金属MOFs前体与三苯基膦或磷酸正丁酯在溶液中进行混合，在惰性气体气氛下煅烧后，洗涤，干燥得到所述双金属MOFs的含氮石墨化碳材料。本发明提供了一种高比表面积、多级孔状、均一氮掺杂、富含金属-氮结构且高度石墨化的多孔碳材料，产品的电解水析氧的活性比商业氧化钌更优异，在储能材料上具有极大的应用前景。 | ||||||
| 62 | 石墨烯量子点、其复合材料及其制备方法 | CN201480045241.6 | 2014-08-14 | CN105452163B | 2017-11-28 | R·孙达拉; T·T·贝比; A·卡尼约 |
| 描述了基于对表面钝化的官能化氧化石墨(f‑GO PEG)进行剥脱/缩减而合成零维GQD的程序。该合成程序可包括利用聚焦太阳辐射并且在真空下，在氢气存在下剥脱/缩减f‑GO PEG。 | ||||||
| 63 | 一种多孔碳包覆的MnO纳米晶复合材料的制备方法及其在锂电池中的应用 | CN201710680187.8 | 2017-08-10 | CN107394183A | 2017-11-24 | 郑方才 |
| 本发明公开了一种多孔碳包覆的MnO纳米晶复合材料的制备方法，所述方法包括以下步骤：(a1)在20-25℃温度环境下，将均苯三甲酸的乙醇与水的混合溶液滴入到四水乙酸锰与聚乙烯吡咯烷酮的乙醇与水的混合溶液中，搅拌均匀后静置20-30小时，离心分离，获得前驱物Mn-BTC微米球；(a2)将前驱物Mn-BTC微米球置于管式坩埚炉中，在惰性气体中以7-13℃/min的速率升温到500-700℃，然后在此温度下煅烧1-3小时，自然冷却至20-25℃后，得到多孔碳包覆的MnO纳米晶复合材料。本发明的优点在于通过在氮气中直接煅烧配合物制备碳包覆的MnO复合材料，有效地简化了制备碳包覆的MnO复合材料的工艺步骤，且制备工艺简单高效，安全易行，合成周期短，有望得到推广和产业化生产。 | ||||||
| 64 | 一种在基板上形成纳米结构的ZnO透明导电薄膜的方法 | CN201710559500.2 | 2017-07-11 | CN107393654A | 2017-11-24 | 肖和平; 朱迪 |
| 一种在基板上形成纳米结构的ZnO透明导电薄膜的方法，属于GaN、AlGaInP发光二极管、太阳能电池等生产技术领域，本发明利用掺杂的氧化锌薄膜横向扩展导电性强的优点，可以提升GaN等的电子有效注入效率，本发明具有工艺简单，良率高的优点，适宜批量化生产，利于取得高质量、低成本的产品。适用于GaN、AlGaInP发光二极管、太阳能电池、有机发光二极管、液晶显示材料等产品应用。 | ||||||
| 65 | 一种机械剥离范德华层状材料制备二维材料的通用方法 | CN201710713135.6 | 2017-08-18 | CN107381643A | 2017-11-24 | 段曦东; 王剑 |
| 本发明涉及材料技术领域，具体公开了机械剥离范德华层状材料制备二维材料的通用方法，包括：将范德华层状材料的层状材料粉末分散在的溶剂中；所述溶剂与范德华层状材料质量比为1:1-1:5混合，并加入与范德华材料质量比为1:10-1:80的表面活性剂，再采用高能球磨机，将范德华层状材料剥离成二维层状纳米片；球磨制备过程中，球磨速度为200-2500rpm，球磨时间为120-360h；球磨足够长时间后，采用酒精洗涤，然后干燥，得到二维范德华层状材料。本发明方法，能有效剥离范德华层状材料粉末，所制备的二维材料具有层数少、比表面面积大的特点。该方法设备便宜，操作简单，生产效率高，适宜大规模工业生产。 | ||||||
| 66 | 一种纳米颗粒自组装三维微米菜花状四硫化钒粉体及其制备方法和应用 | CN201710562517.3 | 2017-07-11 | CN107381636A | 2017-11-24 | 黄剑锋; 李文斌; 曹丽云; 冯亮亮; 李瑞梓 |
| 本发明涉及一种纳米颗粒自组装三维微米菜花状四硫化钒粉体及其制备方法和应用，先将钒源和硫源均匀混合后溶解于水中，其中钒和硫的摩尔比为1:5.80～1:5.88，搅拌均匀得到溶液A；调节溶液A的pH值直至2.4～2.8，得到溶液B；将溶液B进行水热反应，生成沉淀；待水热反应结束并自然冷却后将反应产物取出，经过洗涤和烘干，得到纳米颗粒自组装三维微米菜花状四硫化钒粉体。本发明方法采用一步低温水热合成法首次制备了纳米颗粒自组装菜花状VS4粉体，不需要添加模板剂，整个反应过程简单，易于得到纯相，本发明制备的VS4粉体具有独特的辐射状自组装结构，能够在制备锂离子电池、镁离子电池以及光催化剂中进行应用。 | ||||||
| 67 | 一种硫化锌/二乙烯三胺杂化及硫化锌超薄纳米带及其制备方法 | CN201710668473.2 | 2017-08-07 | CN107381620A | 2017-11-24 | 俞书宏; 姚宏斌; 马涛; 苏廷玉; 张天文; 周飞 |
| 本发明公开了一种硫化锌/二乙烯三胺杂化超薄纳米带，其中硫化锌与二乙烯三胺的比率为1∶0.3-0.8，所述硫化锌/二乙烯三胺杂化超薄纳米带，其厚度小于5nm、长度5-10μm、宽度17-19nm，并且所述硫化锌/二乙烯三胺杂化超薄纳米带为有机无机杂化纳米材料；该硫化锌/二乙烯三胺杂化超薄纳米带的制备方法，以所获得的硫化锌/二乙烯三胺杂化超薄纳米带为原料制备出的硫化锌超薄纳米带；并且还提供了制备所述硫化锌超薄纳米带的方法。本发明所获得硫化锌/二乙烯三胺杂化超薄纳米带和硫化锌超薄纳米带由于具有结构超大的比表面积，进一步增大了活性位点的占比，有利于进一步提高其反应活性。 | ||||||
| 68 | 一种电弧快速制备亚纳米球形硅微粉的方法 | CN201710527122.X | 2017-06-30 | CN107381584A | 2017-11-24 | 唐健江 |
| 本发明公开了一种电弧快速制备亚纳米球形硅微粉的方法，包括硅粉研磨、筛分、反应、补集步骤。硅粉研磨用研磨液和研磨盘操作，研磨得的硅粉筛分一定粒度范围，硅粉进入电弧反应炉，抽真空，充氩气后快速升温，细硅粉熔融，打开炉口，通入常温补集系统补集。本发明工艺高效，制得的硅微粉亚纳米级粒度情况好，球形，且分布均匀，产品质量达到国内领先水平。 | ||||||
| 69 | 一种可同时用于自清洁涂层和原油运输的超双疏SiO2粉末的制备方法 | CN201710406529.7 | 2017-06-02 | CN107381583A | 2017-11-24 | 郭志光; 吴阳 |
| 本发明属于超双疏材料制备领域，特别涉及可用于自清洁涂层和原油运输的超双疏SiO2粉末的制备方法。本发明包括了的SiO2粉末制备，低表面能修饰，超双疏粉末应用于自清洁涂层以及原油运输等步骤。该超双疏粉末具备良好的超疏水/超疏油性能，对水的接触角均大于150°，滚动角小于6°；对油(二氯乙烷、十六烷、柴油、原油)的接触角均大于150°，滚动角小于10°，能够用于制作超双疏的自清洁涂层也可喷涂在管道内壁用于原油运输。本发明制备工艺简单，原料易得，成本低廉，稳定性强，适合大面积制备和应用，既能应用于建筑、交通、甚至军事设备表面形成超双疏涂层，同时也适用于的石油开采设备、工业管道运输等领域。 | ||||||
| 70 | 一种磁性能良好且低成本的锶铁氧体粉体的制备方法 | CN201710576707.0 | 2017-07-14 | CN107364896A | 2017-11-21 | 金浴雅; 吴清瑶; 谢洪德 |
| 本发明公开了一种磁性能良好且低成本的锶铁氧体粉体的制备方法，属于磁性纳米材料领域。其制备方法采是先将一定量的锶盐和表面活性剂分别溶解，接着将两种溶液混合，然后将混合溶液滴加到一定量的铁盐溶液中，并用氢氧化钠控制反应的pH值，80℃水浴中反应4h，再用烘箱烘干得到前驱体，最后将得到的前驱体置于马弗炉中燃烧，研磨，从而得到锶铁氧体粉体。该磁性材料有很好的矫顽力和合适的饱和磁化强度，同时颗粒大小为纳米级且较为均一，适合用于磁记录材料等。本发明提供了磁性纳米材料锶铁氧体粉体的制备方法，此方法采用简单的化学共沉淀，操作简单安全，原料易得，成本低，对设备要求低。 | ||||||
| 71 | 可规模化生物元素分析 | CN201380045761.2 | 2013-06-26 | CN104995513B | 2017-11-21 | I.K.迪莫; T.M.贝尔 |
| 本发明提供了一种检测样品中的一种或多种分析物的方法。所述方法至少部分基于添加至该样品中的功能化颗粒部分地或完全地抑制电磁辐射经过含该样品的反应容器中的检测表面而传播到样品中及从中传播出来的能力。以微阵列形式，本发明能够用于筛选数百万、数亿或者更多的生物元素，诸如生物体、细胞、蛋白质、核酸、脂质、糖、代谢物或小分子。本发明还描述了方法、装置和试剂盒。 | ||||||
| 72 | 用于硅衬底上的III-V族氮化物层的梯度氮化铝镓和超晶格缓冲层 | CN201210487729.7 | 2012-11-26 | CN103515419B | 2017-11-21 | 陈祈铭; 刘柏均; 喻中一 |
| 本发明涉及集成电路以及用于制造集成电路的方法。集成电路包括晶格匹配结构。晶格匹配结构可以包括第一缓冲区、第二缓冲区和由AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN层对形成的超晶格结构。本发明提供了用于硅衬底上的III‑V族氮化物层的梯度氮化铝镓和超晶格缓冲层。 | ||||||
| 73 | 一种玉米淀粉多孔碳@石墨的制备方法及其应用 | CN201710646330.1 | 2017-08-01 | CN107359345A | 2017-11-17 | 刘静杰; 胡韶芳; 穆培振; 柴和平; 卞鸿彦; 李加勇; 杨忠祥; 段会杰; 位杰; 刘海英; 王义新; 武志言 |
| 本发明公开了一种玉米淀粉多孔碳@石墨的制备方法及其应用，称取磷酸氢二钠和柠檬酸配制成缓冲溶液，将缓冲溶液和淀粉酶缓慢加入玉米淀粉中，水浴，磁力搅拌下进行酶解，并对其进行清洗、干燥处理；然后，进行预氧化，最后，将预氧化后的材料放入马弗炉在进行煅烧，选用的玉米淀粉多孔碳为球形结构，通过简单的酶解、预氧化及炭化技术，在球形表面形成了大孔和介孔结构；将前面步骤已制备的玉米淀粉多孔碳与石墨材料按一定的比例，准确称量后放入玛瑙球磨罐中，用XQM行星式球磨机进行球磨混合，干燥、研磨即得目标产物。本发明的优点在于制备工艺简单安全，做的电池负极材料使其有较好的循环寿命和倍率性能。 | ||||||
| 74 | 一种应用于气敏传感器的NiO纳米片/α-Fe2O3纳米立方体异质结材料 | CN201710570215.0 | 2017-07-13 | CN107356635A | 2017-11-17 | 钟鑫; 宋鹏; 王琦; 杨中喜; 刘璐 |
| 本发明主要介绍一种用于气敏传感器的NiO纳米片/α-Fe2O3纳米立方体异质结材料的制备和应用。三氯化铁和氢氧化钠溶于去离子水中，搅拌加热一段时间，随后将得到的溶液保温一段时间，最后所得溶液经过离心、洗涤、干燥后，得到α-Fe2O3粉末。α-Fe2O3粉末与水醇溶液预混，加入适量尿素和六水合硝酸镍，所得溶液超声一段时间，再将其水浴加热一定的时间，最后所得溶液经过离心、洗涤、干燥后，将得到的样品置于马弗炉中一定温度下煅烧一定时间，即可得到NiO纳米片/α-Fe2O3纳米立方体异质结材料。本发明所讲述的NiO纳米片/α-Fe2O3纳米立方体颗粒异质结材料的制备方法工艺简单，设备要求低，可操作性强，成本比较低，可获得性能稳定好，对三乙胺具有较好气敏性能的气敏材料，具有广阔的应用前景。 | ||||||
| 75 | 一种氧化亚铜/氧化铜纳米复合物的室温固相制备方法 | CN201710554515.X | 2017-08-08 | CN107352573A | 2017-11-17 | 李怡招; 谢月洪; 刘保林; 曹亚丽; 贾殿赠 |
| 本发明涉及一种利用室温固相反应来制备纳米级氧化亚铜/氧化铜复合物的方法。通过将一价铜盐和碱按不同比例混合，进行室温固相化学反应，可制得纳米氧化亚铜/氧化铜复合物和纯相氧化亚铜。所得产物为20-50nm的颗粒状物质，将它们用于催化一氧化碳氧化反应，显示出良好的催化活性。本发明方法操作简便，条件温和，环保无污染，且所用原料价格低廉，易于进行大批量生产。所得氧化亚铜基纳米材料有望在催化、能源存储、环境检测与修复等领域中展现出重要应用。 | ||||||
| 76 | 一种用于锂离子电池尺寸可控硅纳米管的合成方法 | CN201710684828.7 | 2017-08-11 | CN107352544A | 2017-11-17 | 吴复忠; 陈敬波; 卢江腾 |
| 本发明公开了一种用于锂离子电池尺寸可控硅纳米管的合成方法，先将硅源、模板剂、分散剂、催化剂、溶剂在20-35℃温度下磁力搅拌12-24小时，离心，干燥，得到介孔二氧化硅纳米棒；然后将介孔二氧化硅纳米棒分散在溶剂中，添加具有表面保护作用和蚀刻作用的表面活性剂，加热到90-150℃，磁力搅拌2-12小时，静置2-8小时，离心，清洗，真空干燥至恒重，得二氧化硅纳米管；最后将二氧化硅纳米管用还原剂在管式炉中640-670℃氩气保护下煅烧2-4h，制得硅纳米管。本发明具有能很好的解决硅作锂离子电池负极材料充放电的过程中存在的体积膨胀效应，可以有效控制硅纳米管长径比和厚度尺寸的特点。 | ||||||
| 77 | 一种制备Si-Cu2O异质结纳米线阵列的方法 | CN201710570953.5 | 2017-07-13 | CN107352505A | 2017-11-17 | 佘广为; 张韶阳; 师文生 |
| 本发明公开了一种制备Si-Cu2O异质结纳米线阵列的方法，将经氢氟酸溶液处理的Si纳米线阵列置于二价铜离子水溶液中，调节溶液的pH值，得到Si-Cu2O异质结纳米线阵列。本发明通过HF处理在Si纳米线表面形成Si-H键，利用Si纳米线表面Si-H键的还原性，在适当条件下将水溶液中的Cu2+还原生成Cu2O，从而得到Si和Cu2O之间无氧化硅层的Si-Cu2O异质结纳米线阵列。该制备Si-Cu2O异质结纳米线阵列的方法工艺简单，成本低廉，并有望发展成一种通用的制备Si-氧化物半导体异质结的方法。 | ||||||
| 78 | 具有PCM存储器单元和纳米管的半导体器件及相关方法 | CN201310653727.5 | 2013-12-04 | CN104078481B | 2017-11-17 | J·H·张 |
| 本发明公开了一种半导体器件，可以包括衬底和在衬底上方的PCM存储器单元阵列。每个PCM存储器单元可以包括竖直对准的第一电极和第二电极、在第一电极与第二电极之间的第一电介质层、从第二电极并且朝着第一电极经过第一电介质层竖直延伸的碳纳米管以及在第一电极与至少一个碳纳米管之间的PCM本体。 | ||||||
| 79 | 固体银铜合金 | CN201280048346.8 | 2012-08-16 | CN103842530B | 2017-11-17 | 前川昌辉; 本田大介; 榎村真一 |
| 本发明提供新型的固体银铜合金。所述固体银铜合金为所述银铜合金中所含的铜的浓度为0.1wt%～99.94wt%的固体银铜合金，上述固体银铜合金以室温下不含共晶体的非共晶结构作为主体。该银铜合金可以通过混合含有银离子及铜离子的流体和含有还原剂的流体并使银铜合金粒子析来制造。优选将含有银离子及铜离子的流体和含有还原剂的流体在对向配设的可接近·分离的至少一方相对于另一方相对进行旋转的处理用面间形成的薄膜流体中混合。该银铜合金优选其粒径为50nm以下。另外，也可以为由银铜和其它的至少一种金属构成的固体合金。 | ||||||
| 80 | 一种高纯镁粉末制备方法 | CN201710726429.2 | 2017-08-22 | CN107344241A | 2017-11-14 | 单智伟; 李姣; 刘飞; 刘博宇 |
| 本发明公开一种高纯镁粉末制备方法，该方法将镁块于1100～1300℃加热，使其在持续流通的惰性气体环境中升华,保温一段时间后冷却至室温,在冷凝区的收集装置处得到高纯镁粉。通过控制温度和惰性气体流速可有效调控粉末粒度，提高产率。与传统的粉末制备方式相比，本发明简便易行，周期短，成本低，粉末粒径小纯度高，可实现低成本短周期大批量高纯镁粉的制备。 | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈