子分类：
- H01B： 电缆;导体;绝缘体;导电、绝缘或介电材料的选择(磁性材料的选择入H01F1/00;波导管入H01P;电缆或电线的安装入H02G;印刷电路入H05K)
- H01C： 电阻器
- H01F： 磁体;电感;变压器;磁性材料的选择(基于铁氧体的陶瓷入C04B35/26;合金入C22C;加感线圈的结构入H01B;热磁器件入H01L37/00;扬声器、传声器、唱机拾音器或类似声—机电传感器入H04R)
- H01G： 电容器;电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件(电介质专用材料的选择入H01B 3/00;{陶瓷入C04B})
- H01H： 电开关;继电器;选择器;紧急保护装置(接触电缆入H01B 7/10;保护电阻,避雷器入H01C7/12,H01C8/04;电解式自断续器入H01G 9/18;波导开关入H01P;断续器入H01R39/00;火花隙的过压避雷器入H01T4/00;紧急保护电路装置入H02H;无触点电子开关入H03K 17/00)
- H01J： 放电管或放电灯(火花隙入H01T;消耗电极的弧光灯入H05B;粒子加速器入H05H)
- H01K： 白炽灯(用于制造既适用放电器件也适用于白炽灯的零部件、设备或方法入H01J;应用白炽和其他发光形式组合的光源入H01J61/96,H05B35/00;为此所用的电路入H05B)
- H01L： 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类)
- H01M： 用于直接转变化学能为电能的方法或装置,例如电池组(一般电化学的方法或装置入C25;用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01l,例如H01L31/00,H01L35/00,H01L37/00)
- H01P： 波导;谐振器、传输线或其他波导型器件(工作在光频的入G02B;天线入H01Q;在传输线、波导管、空腔谐振器或天线辐射场中调制电磁波入H03C7/02;含有集总阻抗元件的网络入H03H)
- H01Q： 天线(近场治疗处理的微波辐射器入A61N5/04;用于试验天线或测量天线特性的设备入G01R;波导入H01P;微波加热用辐射器或天线入H05B6/72)
- H01R： H01R 线路连接器 集电器(开关,熔断器入H01H;波导型耦合装置入H01P 5/00;供电或配电切换装置入H02B;电线或电缆、光电电线或电缆或电气辅助设备的安装入H02G;与印刷电路电连接或印刷电路之间电连接用的印制装置入H05K)
- H01S： 利用受激发射的器件
- H01T： 火花隙;应用火花隙的过压避雷器;火花塞;电晕装置;产生被引入非密闭气体的离子(在高密集度电流作用下金属的加工入B23H;焊接,例如电弧焊接、电子束焊接或电解焊接入B23K;具有固体阴极的充气放电管入H01J17/00;电弧灯入H05B31/00)
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 光纤激光振荡器、光纤激光加工装置以及光纤激光振荡器的除湿方法 | CN201380019753.0 | 2013-04-05 | CN104221231B | 2017-12-29 | 田中启嗣; 迫宏; 森野浅实 |
| 光纤激光加工装置(51)具备光纤激光振荡器(1)以及激光加工机(10)，其中，该光纤激光加工装置(51)具备：具有通过气体分离膜模块(23a、23b)使从外部供给的清洗用压缩空气成为低露点干燥空气的低露点化部(23)的空气清洗单元(20)；输出激光的多个光纤激光模块(2)；使分别从多个光纤激光模块(2)输送的激光合束并输送至外部的合束器(3)；以及将低露点干燥空气分别分配供给至多个光纤激光模块(2)的分配器(5)，该激光加工机(10)通过由合束器(3)输送的激光对工件(W)实施激光加工。 | ||||||
| 82 | 背侧体硅MEMS | CN201180076128.0 | 2011-12-28 | CN104170060B | 2017-12-29 | R·巴斯卡兰; C·M·佩尔托 |
| 一种集成电路器件，包括单一半导体基板；形成在该单一半导体基板的正侧上的器件层；形成在该单一半导体基板的背侧上的再分配层；形成在单一半导体基板内的硅穿通孔(TSV)，其电气耦合至该器件层及该再分配层；形成在单一半导体基板的背侧上的逻辑内存接口(LMI)，其电气耦合至该再分配层；和形成在单一半导体基板的背侧上的MEMS器件，其电气耦合至该再分配层。 | ||||||
| 83 | 形成FinFET半导体设备的低缺陷取代鳍部的方法及其所产生的设备 | CN201410099173.3 | 2014-03-17 | CN104051539B | 2017-12-29 | J·弗伦海泽; A·P·雅各布; W·P·马斯莎拉; K·阿卡瓦尔达 |
| 本文涉及形成FinFET半导体设备的低缺陷取代鳍部的方法及其所产生的设备，揭露一种包括基底鳍部的例示性设备，基底鳍部形成于由第一半导体材料所构成的基底中，其中基底鳍部的至少一个侧壁实质处于基底的晶体结构的<100>结晶方向，取代鳍部结构位于基底鳍部之上，其中取代鳍部结构由不同于第一半导体材料的半导体材料所构成，以及闸极结构位于取代鳍部结构的至少一部分附近。 | ||||||
| 84 | 一种半导体封装结构及其制备方法 | CN201310080595.1 | 2013-03-13 | CN104051323B | 2017-12-29 | 杨志刚; 陈林林 |
| 本发明提供了一种半导体封装结构及其制备方法。所述半导体封装结构包括：位于半导体衬底上金属互连层；位于所述金属互连层上的金属屏蔽层；位于所述金属屏蔽层上的焊盘层；所述金属屏蔽层为多层叠加结构，所述多层叠加结构中的各层由下至上热膨胀系数递减。所述半导体封装结构具有良好的热力学特性，可有效降低在半导体封装结构制备的退火工艺后，因热胀冷缩造成的金属互连层、以及各金属屏蔽分层的体积变化差异，以及由此造成的各层结晶界面出现的开裂概率，从而避免焊盘剥离现象。而且多层叠加结构的金属屏蔽层具有更好的机械特性，可缓解焊接引线键合工艺产生的各种应力对于半导体器件的有源区域造成的损伤。 | ||||||
| 85 | TFT阵列基板结构 | CN201410271346.5 | 2014-06-17 | CN104007594B | 2017-12-29 | 姚晓慧; 许哲豪 |
| 本发明提供一种TFT阵列基板结构，包括第一与第二栅极(11、13)、半导体层(20)、第一与第二源极(31、33)及第一与第二漏极(42、44)，第一栅极(11)与第一漏极(42)在空间上交叠设置形成第一交叠区域(D)，第二栅极(13)与第二漏极(44)在空间上交叠设置形成第二交叠区域(E)，第一栅极(11)对应第一交叠区域(D)具有第一边缘(113)，第二栅极(13)对应第二交叠区域(E)具有第二边缘(133)，第一边缘(113)与第一漏极(42)在空间上斜交，第二边缘(133)与第二漏极(44)在空间上斜交，当第一、第二漏极(42、44)相对于第一、第二栅极(11、13)发生相对移动时，第一交叠区域(D)与第二交叠区域(E)的面积产生同向变化。 | ||||||
| 86 | 多层陶瓷电容器及用于安装该多层陶瓷电容器的板 | CN201310117266.X | 2013-04-07 | CN103887068B | 2017-12-29 | 朴珉哲; 朴祥秀; 安永圭; 李炳华 |
| 提供了一种多层陶瓷电容器，该多层陶瓷电容器包括：陶瓷本体；活性层，该活性层包括形成为交替地暴露于陶瓷本体的两个端面的多个电极；上覆盖层；下覆盖层，该下覆盖层具有大于上覆盖层的厚度；和外部电极，其中，当从活性层的最下部的内部电极的端部到覆叠陶瓷本体的下表面的一部分的外部电极的端部的距离是E，从外部电极的端部到活性层的最下部的内部电极的最短距离是T并且陶瓷本体在长度方向上的边缘是F时，满足1.2≤E/T和30μm≤F。 | ||||||
| 87 | 摄像装置 | CN201310449958.4 | 2013-09-25 | CN103685883B | 2017-12-29 | 土屋仁; 江口司; 石黑英人 |
| 本发明提供摄像装置，充分地确保从被摄体到达受光元件的光量。在基板（32）的表面（321）上形成发光层（63）。与表面相对的多个透镜（24）聚集来自发光层照明的被摄体（200）的摄像光。在表面（321）与发光层间的第一电极层（61）形成对应各透镜的开口部（614）。由各透镜聚光并通过开口部的摄像光入射受光元件（14）。在规定通过受光元件的受光面（16）的周边上的点PA1和开口部（614）的周边上的点（PA2）的第一直线、和相对于第一直线与透镜的表面的交点（PA3）处的法线（LN）与第一直线（L1）呈线对称的第二直线（L2）的情况下，从第二直线与覆盖发光层的第二电极层（64）的表面的交点（PA4）观察，发光层的发光区域（70）位于光轴（L0）的相反侧。 | ||||||
| 88 | 探测系统和用于运行探测系统的方法 | CN201310278860.7 | 2013-07-04 | CN103528551B | 2017-12-29 | K.格勒尔; C.艾森贝格尔 |
| 本发明涉及一种探测系统，其包括探测头(1)和发送‑接收器元件(2)。探测头(1)和发送‑接收器元件(2)构造成使得在它们之间信息(AI,BI)可无线地经由无线电信号传输。发送‑接收器元件(2)或探测头(1)为了接收无线电信号具有两个彼此相间隔的天线(2.1,2.2)，使得经由无线电信号由这两个天线(2.1,2.2)所接收的信息(AI,BI)可平行地处理。同样，本发明还包括一种用于运行探测系统的方法。 | ||||||
| 89 | 接合构造体制造方法及加热熔融处理方法以及它们的系统 | CN201180031174.9 | 2011-06-24 | CN102960077B | 2017-12-29 | 阿部英之; 马渡和明 |
| 本发明提供一种可省略助熔剂除去的工序但仍可减轻基板间的错位的焊合方法。在多个基板（50a、50b）涂布暂时固定剂（55），在通过暂时固定剂（55）将基板彼此暂时固定的状态下利用加热器（33）进行加热，在焊料（54）熔融之前或焊料（54）熔融中使暂时固定剂（55）蒸发，并且通过熔融的焊料（54）将基板（50a、50b）焊接接合。 | ||||||
| 90 | 用于10～100g金属材料悬浮无容器处理的电磁悬浮线圈 | CN201710541531.5 | 2017-07-05 | CN107517024A | 2017-12-26 | 王海鹏; 蔡晓; 魏炳波 |
| 本发明涉及一种用于10～100g金属材料悬浮无容器处理的电磁悬浮线圈，采用直径为3～5mm的空心铜导管绕制，分为上端线圈与下端线圈两部分，下端线圈、上端线圈反向串联绕制，下端线圈与上端线圈之间存在15～30mm的间距用于悬浮实验样品。线圈绕匝间距为2mm，下端线圈6～8匝，上端线圈1～3匝。本发明的有益效果为，本发明可稳定悬浮质量10～100g的金属材料。特别适用于高真空电磁悬浮无容器处理设备，用于研究金属及其合金无容器状态下的热物理性质，以及实现10～100g金属材料的无容器超洁制备。 | ||||||
| 91 | 更换变压器下部蝶阀的方法 | CN201710948243.1 | 2017-10-12 | CN107516840A | 2017-12-26 | 邵洪林; 侯向红; 马海辉; 王建杰 |
| 本发明公开了一种更换变压器下部蝶阀的方法，涉及电力变压器检修工艺技术领域。包括以下步骤：滤油机的进油管接放油阀，出油管接油罐；关闭储油柜出油口处的控制阀，打开放油阀放油，当油面降至距离变压器本体顶部预设值时，停止放油；拆除气体继电器，与储油柜相邻的一侧用封板密封，气体继电器的连接管道接入真空泵；关闭所有控制阀，启动真空泵抽真空；当真空泵压力表的示数达到指定值时，停止抽真空；关闭潜油泵两侧的蝶阀，快速更换蝶阀。本发明设计合理，通过使用真空泵对变压器本体抽真空，使得变压器在不完全放油的情况下，即可快速完成下部蝶阀的更换工作，减少了变压器的停电时间，避免了变压器油的流失，节约了人力、物力和财力。 | ||||||
| 92 | 非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器 | CN201610422470.6 | 2016-06-15 | CN107516817A | 2017-12-26 | 郑俊守; 孙雨舟; 王祥忠 |
| 本申请揭示了一种非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器，所述相移光栅包括位于相移光栅中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的长度相同、刻蚀深度相同且光栅周期相等，第一光栅的占空比恒定不变，第二光栅包括切趾段光栅，切趾段光栅的占空比沿光栅轴向逐渐变化，第二光栅的折射率调制强度弱于第一光栅的折射率调制强度。本申请基于非对称结构相移光栅的DFB半导体激光器，在相移结构两侧的光栅长度、光栅刻蚀深度和光栅周期不变的条件下，第二光栅中引入切趾段光栅，实现两侧相移光栅耦合系数的不对称，DFB半导体激光器能够实现输出光功率的不对称，增大了激光器的有效输出光功率。 | ||||||
| 93 | 产生超连续白光激光的装置及非线性激光晶体制作方法 | CN201610430374.6 | 2016-06-16 | CN107516806A | 2017-12-26 | 李志远; 陈宝琴 |
| 本发明提供一种产生超连续白光激光的装置，包括泵浦光源和非线性激光晶体，其特征在于，所述泵浦光源为中红外飞秒脉冲激光光源且所述泵浦光源所提供的飞秒脉冲激光的频率覆盖了中红外的一个区间段，并且该飞秒脉冲激光具有高峰值功率的特点；所述非线性激光晶体采用铁电晶体材料制作，所述非线性激光晶体包括一系列的元胞，所述一系列元胞在元胞在光传播方向上的长度沿着光传播方向按照连续的啁啾变化的规律而改变。本发明能够产生可见光波段的超连续、完全相干的白光激光；具有结构可控、易于制备、设计灵活的优点；能量转化效率高、激光光谱超宽带和超连续且器件尺寸小。 | ||||||
| 94 | 单个转换器可以转向的组合型电源转换器 | CN201610419326.7 | 2016-06-16 | CN107516801A | 2017-12-26 | 向文钊 |
| 本发明属于一种单个转换器可以转向的组合型电源转换器，涉及机械领域。本发明的目的是提供一种单个转换器可以转向的组合型电源转换器，为了实现上述目的，本发明包括若干组合型电源转换器，其特征是，所述组合型电源转换器的总数大于三个；所述组合型电源转换器属于二插入口组合型电源转换器或三插入口组合型电源转换器或五插入口组合型电源转换器；A与B组合型电源转换器之间可相对转动；B与C组合型电源转换器之间可相对转动；C与D组合型电源转换器之间可相对转动；以此类推，第N个与第N+1个组合型电源转换器之间可相对转动。本发明具有允许相邻两个组合型电源转换器均可同时插入不同型号的插头的优点。 | ||||||
| 95 | 一种具有温度监控的智能插座 | CN201710878501.3 | 2017-09-26 | CN107516799A | 2017-12-26 | 周壮; 程卓; 袁泉; 陶梦瑶; 李林凡; 鲁卓炜 |
| 本发明公开了一种具有温度监控的智能插座，在电源转换方面，提供了用于多种大小的电压以及不同接口，采取逐级分压的方式；在监控方面，得到每个电源输出接口的电压、电流数据的同时记录通电的时长，采用多个温度传感器，得到稳压整流子模块和电源输出接口的温度；在系统方面，采用微处理器结合继电器进行通断，微处理器可以获取异常电压、电流和温度数据，智能的对电源输出接口进行通断，也可以通过触控屏与微处理器通信，对电源输出接口进行触控通断控制，或通过WiFi子模块由移动端进行对电源输出接口通断的控制；在备用电源方面，搭载了可充、放电的备用电源，可以在无外接电源的情况下继续使用，本发明可应用于电器领域中的电源供电。 | ||||||
| 96 | 一种北斗卫星的接头连接装置 | CN201710773571.2 | 2017-08-31 | CN107516791A | 2017-12-26 | 赵伟; 王鑫 |
| 本发明公开了一种北斗卫星的接头连接装置，包括北斗卫星天线和连接线，所述北斗卫星天线的底部的中间位置固定设置有连接座，所述连接座的外表面设置有外螺纹，所述连接座的内部设置有与所述连接线相互配合的安装槽，所述安装槽内部设置有与所述连接线接触的触点，所述连接线在与所述北斗卫星天线连接的一端固定设置有锁紧环和限位环，所述连接线的上方在位于锁紧环的顶部固定设置有与所述安装槽相互配合的卡套密封圈，所述连接线上活动安装有连接螺帽，所述连接螺帽的底部通过限位环与所述连接线活动连接。本发明斗卫星天线和连接线固定更加牢固，便于安装拆卸，提高了连接点的防水效果，防止内部线路受潮，提高了使用寿命。 | ||||||
| 97 | 直插式连接端子 | CN201710883814.8 | 2017-09-26 | CN107516786A | 2017-12-26 | 张跃欧 |
| 本发明公开了一种直插式连接端子，包括套筒，其特征在于：所述套筒的一端设有环形端盖，所述套筒内轴向穿设有适配端子直插的环形弹性插座，所述环形弹性插座轴向延伸的一端夹设在端盖和套筒之间，其轴向延伸的另一端自由形变。本发明直插式连接端子，设计环形弹性插座的一端固定，另一端自由形变，插头插入环形弹性插座过程中，环形弹性插座向插头施加的径向抵压力一部分转化为环形弹性插座轴上的形变力，以此来减小与插头配合时的插拔力，不影响连接器的使用性能、插拔次数，降低制造成本，同时加工工艺简单，接触电阻小，精度高，适于批量生产。 | ||||||
| 98 | 电力系统五触头交、直流一体充电连接装置及插座 | CN201610624443.7 | 2016-07-29 | CN107516784A | 2017-12-26 | 赵舒铭; 陈雷; 张传坤; 路梦琳; 王凯; 张远镇; 郝潇; 何璐; 韩璐; 李永伟; 李丹; 朱俊时; 张赟; 李峰; 张晓琴; 孙冰莹; 徐琛; 胡斌; 李雷; 杨帆; 隽照波; 陆超; 许娜; 路玲; 张蕙欣; 赵守莉; 杨跃宇; 张丽云; 张建发 |
| 本发明涉及一种电力系统五触头交、直流一体充电连接装置及插座，属于电动车充电装置领域，触头个数较少仅为五个，在相同面积下可使用更粗的触头，使触头不易损坏，且交直流通用，使用同一个充电插头既可以为电动车辆进行直流充电或交流充电，操作方便。 | ||||||
| 99 | 插座电连接器 | CN201610429479.X | 2016-06-17 | CN107516781A | 2017-12-26 | 陈庆典; 段术林; 万伟; 洪瑞禧; 李靖; 徐夫义 |
| 一种插座电连接器，包括屏蔽外壳、绝缘本体、复数上排平板端子及复数下排平板端子，绝缘本体设置于屏蔽外壳之容置槽中；复数上排与下排平板端子设置于绝缘本体之基座及舌板上；通过复数下排平板端子之下排平板电源端子及下排平板接地端子之下排焊接段形成三次折弯结构，具有第一弯折部、第二弯折部及第三弯折部，三次折弯结构使其电磁波传递路径改变，使其相邻的电磁波传递路径彼此成非平行的关，不易发生互相干扰的问题。 | ||||||
| 100 | 电缆防倒供电设备 | CN201710794108.6 | 2017-09-05 | CN107516780A | 2017-12-26 | 胡超强; 尤占山; 孙建吉; 覃丹; 陈雪儿; 卢广业; 张开拓; 王延发; 张仕欢; 郝燕; 邵源鹏; 程雪丽; 刘金勇 |
| 本发明涉及电缆的安装领域，具体是一种电缆防倒供电设备，包括固定座、连杆、接地杆和防护外壳，固定座上设有过线空腔和紧固螺栓，连杆的一端与固定座的侧壁固定连接，另一端与接地杆连接，防护外壳包括分别用于防护固定座、连杆和接地杆的第一壳体、第二壳体和第三壳体，第一壳体和第二壳体分别固定安装在固定座和连杆上，第三壳体为能够容纳接地杆的中空结构，第三壳体与接地杆铰接，其上设有中间开口的弹性防护膜，第三壳体沿铰接点旋转一定角度时，接地杆撑开弹性防护膜后从第三壳体中伸出；本发明的有益效果是：操作方便快捷，安全性好。 | ||||||
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