子分类：
- H01B： 电缆;导体;绝缘体;导电、绝缘或介电材料的选择(磁性材料的选择入H01F1/00;波导管入H01P;电缆或电线的安装入H02G;印刷电路入H05K)
- H01C： 电阻器
- H01F： 磁体;电感;变压器;磁性材料的选择(基于铁氧体的陶瓷入C04B35/26;合金入C22C;加感线圈的结构入H01B;热磁器件入H01L37/00;扬声器、传声器、唱机拾音器或类似声—机电传感器入H04R)
- H01G： 电容器;电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件(电介质专用材料的选择入H01B 3/00;{陶瓷入C04B})
- H01H： 电开关;继电器;选择器;紧急保护装置(接触电缆入H01B 7/10;保护电阻,避雷器入H01C7/12,H01C8/04;电解式自断续器入H01G 9/18;波导开关入H01P;断续器入H01R39/00;火花隙的过压避雷器入H01T4/00;紧急保护电路装置入H02H;无触点电子开关入H03K 17/00)
- H01J： 放电管或放电灯(火花隙入H01T;消耗电极的弧光灯入H05B;粒子加速器入H05H)
- H01K： 白炽灯(用于制造既适用放电器件也适用于白炽灯的零部件、设备或方法入H01J;应用白炽和其他发光形式组合的光源入H01J61/96,H05B35/00;为此所用的电路入H05B)
- H01L： 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类)
- H01M： 用于直接转变化学能为电能的方法或装置,例如电池组(一般电化学的方法或装置入C25;用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01l,例如H01L31/00,H01L35/00,H01L37/00)
- H01P： 波导;谐振器、传输线或其他波导型器件(工作在光频的入G02B;天线入H01Q;在传输线、波导管、空腔谐振器或天线辐射场中调制电磁波入H03C7/02;含有集总阻抗元件的网络入H03H)
- H01Q： 天线(近场治疗处理的微波辐射器入A61N5/04;用于试验天线或测量天线特性的设备入G01R;波导入H01P;微波加热用辐射器或天线入H05B6/72)
- H01R： H01R 线路连接器 集电器(开关,熔断器入H01H;波导型耦合装置入H01P 5/00;供电或配电切换装置入H02B;电线或电缆、光电电线或电缆或电气辅助设备的安装入H02G;与印刷电路电连接或印刷电路之间电连接用的印制装置入H05K)
- H01S： 利用受激发射的器件
- H01T： 火花隙;应用火花隙的过压避雷器;火花塞;电晕装置;产生被引入非密闭气体的离子(在高密集度电流作用下金属的加工入B23H;焊接,例如电弧焊接、电子束焊接或电解焊接入B23K;具有固体阴极的充气放电管入H01J17/00;电弧灯入H05B31/00)
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 多层锂电池隔膜 | CN201610442203.5 | 2016-06-19 | CN107528022A | 2017-12-29 | 杨林 |
| 为了克服现有的多层锂电池隔膜存在的不足,本发明提供一种多层锂电池隔膜，本发明包括超高分子隔膜、微清洁管、固定层、弹性固定钩、粘胶；该多层锂电池隔膜设有微清洁管可以清洁隔膜实现循环使用，设有弹性固定钩和涂抹有粘胶增强了电池隔膜安装时的吸附力。 | ||||||
| 22 | 一种新型的光伏组件 | CN201710767406.6 | 2017-08-31 | CN107527963A | 2017-12-29 | 易哲 |
| 本发明涉及一种新型的光伏组件，包括硅晶体电池薄片，所述硅晶体电池薄片由上至下依次包括光伏玻璃、第一EVA封装胶层、电池片层、第二EVA封装胶层和背板，所述硅晶体电池薄片的边缘还设有铝合金边框，所述铝合金边框将光伏玻璃、第一EVA封装胶层、电池片层、第二EVA封装胶层、背板包覆为一个整体，所述光伏玻璃为厚度为3.2mm的超白压花玻璃，所述铝合金边框上还设有接线盒，所述铝合金边框的两侧还对称设有进风口，进风口分别连通设于背板后方的散热腔。本发明采用新型光伏玻璃、EVA封装胶层和电池片层进行封装，带压花的超白玻璃有利于提高光电转换率，同时在底部设有散热腔，有利于提高光伏组件的使用寿命。 | ||||||
| 23 | 一种多层自带绒面的AZO薄膜 | CN201611188632.0 | 2016-12-21 | CN107527959A | 2017-12-29 | 彭寿; 姚婷婷; 杨勇; 金克武; 李刚; 沈洪雪; 曹欣; 徐根保; 王芸 |
| 本发明公开一种多层自带绒面的AZO薄膜，包括依次叠加的底层AZO薄膜、中间层AZO薄膜与顶层AZO薄膜，各层AZO薄膜的晶粒尺寸由下至上依次增加，每层AZO薄膜的表面均呈凹凸结构，各层AZO薄膜的表面粗糙度由下至上依次增加；将不同晶粒尺寸的AZO薄膜叠加，且由下至上晶粒尺寸逐渐变大，每一层AZO薄膜表面都带有凹凸结构，从而得到多层绒面结构的AZO薄膜，使得太阳光在入射以后，形成对光的折射和散射，把入射到薄膜中的光分散到各个角度，从而提高入射光在电池中的光程，增加光的吸收，增大电子空穴的形成几率。 | ||||||
| 24 | 单面受光的太阳能电池及其制造方法与太阳能电池模块 | CN201610552875.1 | 2016-07-14 | CN107527957A | 2017-12-29 | 张评款; 魏志铭; 王建竣; 李济群 |
| 一种单面受光的太阳能电池及其制造方法与太阳能电池模块。电池包含基板、第一与第二钝化层、正面电极及背面电极。基板具有正面与背面，射极层设于正面，背面电场层设于背面。第一与第二钝化层分别覆盖正面与背面。第二钝化层具有数个开孔暴露出部分背面电场层。正面电极位于正面上。背面电极位于背面上，且包含数个第一电极、一第二电极及数个汇流电极。第一电极分别设在开孔中且接触背面，第二电极覆盖在第二钝化层上并对应覆盖到背面周围的范围，第二电极覆盖第一电极，第一与第二电极材质不同，汇流电极排列配置于背面处且与第二电极接触。第一电极采电阻率低于第二电极的材料，故第一电极的电流传导可获得有效提升，使太阳能电池具有高效率。 | ||||||
| 25 | 一种3D NAND存储器及其制造方法 | CN201710772605.6 | 2017-08-31 | CN107527920A | 2017-12-29 | 郑晓芬; 李君; 蒋阳波; 吴关平; 吴稼祺 |
| 本发明提供一种3D NAND存储器及其制造方法，在形成沟道孔之后，先至少在沟道孔中氮化硅层的内壁上形成氧化硅的隔层，而后形成外延结构，这样，在外延结构与氮化硅层的侧壁之间形成有氧化硅的隔层，在后续去除堆叠层的氮化硅层时，外延结构被氧化硅的隔层保护，避免外延结构被侧掏，有利于后续替换工艺的进行，进而提高器件整体的性能。 | ||||||
| 26 | 一种3D NAND存储器件及其制造方法 | CN201710772503.4 | 2017-08-31 | CN107527919A | 2017-12-29 | 黄新运; 王颀; 付祥; 夏志良; 张黄鹏; 曹华敏 |
| 本发明提供了一种3D NAND存储器件及其制造方法，该存储器件包括：基底、堆叠层、沟道孔、ONO层、N+漏极层以及P+源极层。通过N+漏极层与P+源极层形成电路通道，可见，多个本结构的存储单元之间，是并联的关系，这样就无需在字线WL上加载高电压的方式进行存储单元的选择，即，通过施加一个低电压即可实现数据的传输，降低了读取干扰和传输干扰，并且，通过开关管的通道电阻不会影响读操作中各个存储单元的串联电阻，使得本3D NAND存储器件的读取操作更精准。 | ||||||
| 27 | 半导体装置 | CN201710447345.5 | 2017-06-14 | CN107527908A | 2017-12-29 | 山本芳树 |
| 本发明提供一种半导体装置。半导体装置具备：基板；电路，具有形成于基板的晶体管；振荡电路，产生频率信号；基板电压产生电路，根据来自振荡电路的频率信号，产生基板电压；以及控制电路，在电路的待机期间，对振荡电路的频率信号的频率进行变更。 | ||||||
| 28 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | CN201710463571.2 | 2017-06-19 | CN107527892A | 2017-12-29 | 玉井雄大; 百濑文彦 |
| 一种半导体装置及半导体装置的制造方法。能减小外部连接端子和电路板的接合面上的应力。半导体装置(100)具有U端子(161)，U端子(161)的一端侧的内部接合部(161a)与电路板连接，中间部埋设于壳体(110)，另一端侧的外部接合部(161f)从壳体(110)伸出，在壳体(110)内侧和内部接合部(161a)之间设有对内部接合部(161a)的应力进行缓冲的缓冲部(161g)。通过设置这种缓冲部(161g)，即使半导体装置(100)的整体发生形变，或者半导体装置(100)的局部发生形变导致在内部接合部(161a)与电路板之间的接合面发生应力集中，应力也会被该缓冲部(161g)缓冲。 | ||||||
| 29 | 真空封装、电子器件、电子设备以及移动体 | CN201710413985.4 | 2017-06-05 | CN107527871A | 2017-12-29 | 川合纮梦 |
| 真空封装、电子器件、电子设备以及移动体，能够实现外形尺寸的小型化。真空封装(1)的特征在于，具有：基板(10)；一对贯通电极(20)，它们贯通基板；吸气剂(30)，其架设在一对贯通电极之间；以及盖(50)，其覆盖基板(10)上的一对贯通电极(20)和吸气剂(30)，盖(50)与基板(10)气密地接合，由基板(10)和盖(50)构成的内部空间(60)为减压状态，一对贯通电极(20)具有内部空间(60)侧的第1端部(21)、与第1端部相反侧的第2端部(22)，吸气剂与一对贯通电极(20)的第1端部(21)接合，并通过经由贯通电极的通电而被加热，吸气剂(30)在贯通电极(20)之间的部分与基板相离。 | ||||||
| 30 | 一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法 | CN201610451522.2 | 2016-06-21 | CN107527861A | 2017-12-29 | 顾杰斌; 刘冰杰; 李昕欣 |
| 本发明提供一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法，所述喷嘴片结构包括：喷嘴片面板；贯穿所述面板上表面及下表面的通孔；与所述通孔连通的液态金属引流槽；所述引流槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面；至少两条设于所述面板边缘且两端分别与所述引流槽、所述面板侧面连通的通气槽；所述通气槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面。本发明的喷嘴片结构可以针对不同结构和形状的微腔进行不同种类金属单质或金属合金的有效、快速填充，且喷嘴通孔位置不需要与填充片上待填充的微腔位置一一对应，从而大大提高了喷嘴片结构的普适性。 | ||||||
| 31 | 一种改善闪存单元过擦除问题的方法 | CN201710758638.5 | 2017-08-29 | CN107527860A | 2017-12-29 | 田志; 秦佑华; 殷冠华; 陈昊瑜 |
| 本发明提出一种改善闪存单元过擦除问题的方法，包括下列步骤：将晶圆流片至浅沟槽隔离工艺；进行第一次浅沟槽隔离刻蚀处理，其刻蚀深度为预设的第一深度；对源极区域进行保护不进行刻蚀处理；对漏极区域和控制栅极区域进行第二次浅沟槽隔离刻蚀处理，其刻蚀深度为预设的第二深度；进行闪存单元后续工艺处理。本发明所提出的改善闪存单元过擦除问题的方法，通过两次浅沟槽刻蚀进行，第一步浅沟槽隔离刻蚀(深度h |
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| 32 | 一种硅片生产用加工装置 | CN201710740320.4 | 2017-08-25 | CN107527841A | 2017-12-29 | 汪伟华 |
| 本发明公开了一种硅片生产用加工装置，包括固定脚，所述固定脚的上方设置有机台架，所述机台架的上方固定有升降器，所述升降器的后方固定有液压缸，所述液压缸的一侧设置有制动器，所述制动器的前方固定有传动轴，所述传动轴的一端设置有伸缩轴套，所述伸缩轴套的下方固定有缓冲杆，所述缓冲杆的一侧固定有变速器，所述变速器的上方设置有电动机，所述电动机的一侧设置有加工机板，所述加工机板的一侧固定有切割线，所述加工机板的上方固定有控制按钮，所述控制按钮的下方设置有部件夹具，所述部件夹具的一侧固定有驱动器。有益效果在于：该设备自动化程度高，使用寿命长，降低了生产成本，提高了产品质量和生产效率，减少了人工的劳动。 | ||||||
| 33 | 一种多功能全自动蓝模一体机的方法及装置 | CN201610454475.7 | 2016-06-22 | CN107527834A | 2017-12-29 | 毛亮 |
| 本发明公开了一种多功能全自动蓝模一体机的方法及装置，在工作台1上通过伺服电机模组与各装置的运动配合，从自动料盒装置10由真空吸板2吸下料片5至多胶筒点胶装置4上通过控制器7进行点胶，完成后通过伺服电机模组将下料片5传送至固晶系统上固晶，通过伺服电机模组传送至石墨船48上与从左端经过自动料盒装置33和真空吸板46将上料片52吸取后经多胶筒点胶系统点胶、翻转180度的上料片52进行合模，由夹爪气缸装置夹取送至收料气缸装置50并推送至收料导轨44上，实现自动收料。采用上述技术方案，安装方便，占地面积小、传动可靠、自动化程序高、节约人力成本；可视化人机界面，操作方便，达到了批量化生产的目的，可以在本领域内推广应用。 | ||||||
| 34 | 一种减小氮化镓晶体管欧姆接触电阻率的方法 | CN201710756515.8 | 2017-08-29 | CN107527804A | 2017-12-29 | 孔欣 |
| 本发明涉及高电子迁移率晶体管的制备技术领域，公开了一种减小氮化镓晶体管欧姆接触电阻率的方法，包括如下步骤：在半导体表面光刻出漏源区域之后，经稀盐酸处理去除表面氧化物；在感应耦合等离子体刻蚀机中采用氩等离子体处理所述漏源区域表面；经过金属蒸发、剥离、退火，形成欧姆接触，其中通过采用氩等离子体处理漏源区域表面，既可以去除表面残留物，达到清洁表面的目的，又可将半导体表面粗糙化，增加欧姆金属与半导体的接触面积，使得高温退火过程中金属与半导体的合金反应可以更加充分，达到降低欧姆接触电阻率的效果。 | ||||||
| 35 | 一种3D NAND存储器件的金属栅制备方法 | CN201710773959.2 | 2017-08-31 | CN107527794A | 2017-12-29 | 唐浩; 左明光; 李远; 彭浩; 许爱春; 万先进 |
| 本申请实施例提供了一种3D NAND存储器的金属栅制备方法，该方法中在采用液相化学刻蚀方法去除掉层叠结构中的氮化硅层后，在向横向沟槽阵列中的各个横向沟槽内填充金属介质前，去除液相化学刻蚀氮化硅过程中产生的聚集在横向沟槽阵列开口处的刻蚀副产物。因该聚集在横向沟槽阵列开口处的刻蚀副产物被去除，增大了沟槽开口处的尺寸，为后续金属栅填充过程中的反应气体提供了通畅的扩散通道，避免在金属栅填充过程中横向沟槽提前封口，使得反应气体能够不断通入结构深处进行反应沉积，获得良好的金属栅横向填充性能。 | ||||||
| 36 | 一种大功率惰性气体电光源 | CN201610437749.1 | 2016-06-19 | CN107527787A | 2017-12-29 | 周尧 |
| 本发明提供一种大功率惰性气体电光源，采用高精度、恒流、原边控制PWM功率开关PL3536C作为电源变换的PWM控制器，在充电过程工作在恒流模式，此阶段输出电压线性上升，当充电电压达到设定值120V后，电路转换为恒压工作模式，使电压保持恒定。本发明具有电路所用器件少，成本低，可靠性高的优点。 | ||||||
| 37 | 一种致密低电阻的超级电容器隔膜材料及其制备方法 | CN201710691401.X | 2017-08-14 | CN107527749A | 2017-12-29 | 黄啸谷; 张其土 |
| 本发明公开了一种致密低电阻的超级电容器隔膜材料，由以下重量份数的原料组成：基质纤维100份、聚偏氟乙烯纤维15~20份、丙酮25~30份、二甲基乙酰胺100~110份、陶瓷纤维10~20份、SAF超吸水纤维10~20份、氧化锌1~2份、阳离子淀粉2~4份、醋酸乙烯酯乳液5~15份。本发明同时公开了一种致密低电阻的超级电容器隔膜材料的制备方法。本发明首先将聚偏氟乙烯纤维进行纺丝加工制得厚度为6~8μm的纺丝膜，然后采用湿法无纺布工艺将基质纤维制成非织造布，经热压的方式将两者结合成本发明的一种致密、低电阻的超级电容器隔膜材料。 | ||||||
| 38 | 一种石墨烯负极电极片及其制备方法和应用 | CN201710661056.5 | 2017-08-04 | CN107527746A | 2017-12-29 | 林前锋; 李丽萍 |
| 本发明涉及负极电极片领域，公开了一种石墨烯负极电极片及其制备方法和应用。本发明石墨烯负极电极片在100 mA/g的电流密度下，其循环比容量可以达到340 mAh/g；虽然其首效不高（约为50%），当充放电循环次数超过10次，其库伦效率可以达到98%以上，随着循环次数的增加不断增加至100%。大倍率条件下，该石墨烯负极电极片的循环比容量较小，可逆比容量约为25 mAh/g；但是其大倍率循环性能优越，特别是在不同充放电倍率转换的条件下，依旧能够保持较高的循环稳定性，可用于对循环容量要求不高、对大倍率循环稳定性要就极高的超级电容器领域。 | ||||||
| 39 | 一种高强度锰锌铁氧体磁芯制造方法 | CN201710320185.8 | 2017-05-08 | CN107527732A | 2017-12-29 | 李前军; 颜茂山; 杜兴龙; 徐宸; 袁翔; 季长贵; 马鑫圣 |
| 本发明涉及磁性材料技术领域，尤其涉及一种高强度锰锌铁氧体磁芯制造方法。本发明采用的技术方案是：高强度锰锌铁氧体磁芯制造方法，通过一种新的烧结工艺控制，烧结工艺在烧结过程中影响磁芯强度性能的因素主要有烧结温度曲线和烧结气氛曲线，由于锰锌铁氧体烧结过程中会发生各种物质的挥发、膨胀与收缩、固相反应、氧化还原反应等物理化学变化，这些变化的发生时间和程度对磁芯的内应力大小与分布都会有不同程度的影响，进而影响到磁芯的强度特性，通过有效的控制这些变化，来制得高强度的磁芯。本发明的优点是：通过本发明方法制得的磁芯强度更高，避免了在装配过程中出现磁芯损坏的情况，增长了磁芯的使用寿命和使用时的稳定性。 | ||||||
| 40 | 适用于大电流下单包封结构电抗器的专用导线 | CN201710637750.3 | 2017-07-31 | CN107527729A | 2017-12-29 | 董树林; 杨帆; 方建跃 |
| 本发明涉及电抗器技术领域，尤其涉及一种适用于大电流下单包封结构电抗器的专用导线，包括由铝合金材料拉挤而成的导线，所述导线的上侧和下侧分别设有弧形凹槽，导线的左右两侧分别设有V形槽。本发明解决了在大电流下由于导线截面积小，导致电抗器所用包封多，结构复杂的问题。解决了直流电阻大导致的直阻损耗大的问题，节约了电能。 | ||||||
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