序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
161 内存装置 CN201620653733.X 2016-06-28 CN205959618U 2017-02-15 萧志成
本实用新型公开一种内存装置,该内存装置包含多条沿一第一方向延伸字符线,以及至少一内存单元。该至少一内存单元包含多个内存组件,至少一条位元线,以及至少一条行字符线。该多个内存组件沿相异于该第一方向的一第二方向排列。该至少一条位元线沿该第二方向延伸,且用以传输一被选择的内存组件的数据。该至少一条行字符线沿该第二方向延伸,且用以控制该多个内存组件和该至少一条位元线之间的电性连接。其中该被选择的内存组件是被一相对应的字符线及该至少一条行字符线所选择。本实用新型提供的内存装置可以减少功率消耗。
162 免螺丝硬盘抽取盒及其硬盘抽换模 CN201620707132.2 2016-07-06 CN205942578U 2017-02-08 简至勇; 李经伦
一种免螺丝硬盘抽取盒及其硬盘抽换模,其中所述免螺丝硬盘抽取盒包括:一硬盘容置匣,用以容置一硬盘,具有一底板及连接于所述底板的相对两侧边的两个侧板,所述硬盘的两个侧壁分别邻近于两个侧板的内侧面;其中一侧板设有多个固定插销,所述硬盘容置匣的与多个所述固定插销相对的另一侧设有多个弹性卡合构件;多个所述弹性卡合构件分别具有一卡合凸点及一弹性构件,每一所述卡合凸点分别通过所述弹性构件设置于所述硬盘容置匣的与多个所述固定插销相对的另一侧,多个所述固定插销和多个所述卡合凸点能够分别从所述硬盘的两个所述侧壁插入于所述内螺纹孔中。借此,本实用新型能够不用螺丝将硬盘定位于硬盘容置匣中,增加拆换硬盘的效率。
163 集成电路裸片和电子器件 CN201521139119.3 2015-12-31 CN205881902U 2017-01-11 A·沙布拉
本实用新型提供了一种集成电路裸片和电子器件,该集成电路裸片包括形成在半导体衬底中的多个晶体管,这些晶体管的本体区在该半导体衬底的掺杂阱区上。阈值检测器基于半导体衬底的温度是高于还是低于阈值温度而对掺杂阱区选择性地施加第一电压或第二电压。
164 存储器件与感测放大器 CN201620498291.6 2016-05-26 CN205656858U 2016-10-19 M·帕索蒂; M·卡里希米; R·库尔施瑞斯萨; C·奥里奇奥
本公开涉及存储器件与感测放大器。存储器件包括相变存储(PCM)单元和互补PCM单元的阵列。列解码器耦合至PCM单元和互补PCM单元的阵列,并且感测放大器耦合至列解码器。感测放大器包括被配置为分别接收给定PCM单元和互补PCM单元的第一和第二电流的电流积分器。电流‑电压转换器耦合至电流积分器,并且被配置为接收第一和第二电流,并且分别向第一和第二节点提供给定PCM单元和互补PCM单元的第一和第二电压。逻辑电路耦合至第一和第二节点,并且被配置为响应于第一和第二电压禁用列解码器并使位线电压和互补位线电压放电。
165 一种非易失性存储器设备和电子装置 CN201520977520.8 2015-11-30 CN205645283U 2016-10-12 F·格兰德; A·希格诺瑞罗; S·帕加诺; M·吉亚奎恩塔
一种非易失性存储器设备和电子装置,非易失性存储器设备被提供有:存储器阵列,其包括布置成行和列的存储器单元,每个单元具有相应电流传导区和控制栅极区,并且同一行的存储器单元的控制栅极区被耦合到控制栅极端子并被偏置在相应控制栅极电压;以及控制栅极解码器,其用于根据将对存储器单元执行的操作,选择各行的控制栅极区并且将其偏置在相应控制电压。存储器单元的电流传导区被布置在同一体阱内,并且控制栅极解码器具有多个驱动块,所述多个驱动块中每个驱动块向所述阵列的相应多个行提供控制栅极电压,并且所述多个驱动块被提供于相互分离且不同的相应偏置阱中。
166 移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置 CN201620444497.0 2016-05-13 CN205595037U 2016-09-21 王飞
本实用新型公开了一种移位寄存器,包括至少一个移位寄存单元组,每个移位寄存单元组包括多级输出移位寄存单元,每个移位寄存单元组的第N级输出移位寄存单元的信号输出端连接至该输出移位寄存单元组的第N+1级输出移位寄存单元的信号输入端,用于为所述第N+1级输出移位寄存单元提供输入信号,其特征在于,每个所述输出移位寄存单元组的第N+a级输出移位寄存单元的上拉节点连接至该移位寄存单元组的第N级输出移位寄存单元的上拉节点复位端,用于为所述第N级输出移位寄存单元的所述上拉节点复位,N为大于或等于1的整数,a为大于1的整数。本实用新型还公开了一种栅极驱动电路和显示装置。本实用新型的移位寄存器降低了相邻级联单元的输出负载。
167 形成于半导体衬底中的存储器单元、存储器单元的群组及存储器电路 CN201520749262.8 2015-09-24 CN205428927U 2016-08-03 A·雷尼耶; J-M·米拉贝尔; S·尼埃尔; F·拉罗萨
本实用新型涉及一种形成于半导体衬底中的存储器单元、存储器单元的群组及存储器电路,该存储器单元包括在该衬底中所形成的沟槽(TR)中垂直延伸并且通过第一栅极化物层(D3)与该衬底隔离的选择栅极(SGC);在该衬底上方延伸并且通过第二栅极氧化物层(D1)与衬底隔离的平浮置栅极(FG);和在该浮置栅极上方延伸的水平控制栅极(CG),该选择栅极(SGC)覆盖该浮置栅极的侧面,该浮置栅极仅通过第一栅极氧化物层(D3)与该选择栅极隔开,并且仅通过第二栅极氧化物层与在该衬底中沿该选择栅极延伸的垂直沟道区域(CH2)隔开。
168 助拉装置及具有助拉功能的机板模 CN201620029713.5 2016-01-13 CN205410251U 2016-08-03 王鼎瑞; 廖家庆
本实用新型公开了助拉装置及具有助拉功能的机板模,包含拉动件及提把件,该拉动件包括第一枢接部与对应部,该对应部用于推抵对应物;该提把件包括第二枢接部及操作部,该第二枢接部与该第一枢接部枢接,以使该提把件以该第二枢接部为转动轴转动。
169 存储器器件 CN201620144215.5 2016-02-25 CN205406095U 2016-07-27 F·塔耶; M·巴蒂斯塔
本实用新型提供一种存储器器件,其特征在于,包括:用于携载供给电压的供给电压节点;电可编程及可擦除只读存储器单元;以及写入周期控制器,被配置为在所述供给电压减小的情况下增大写入周期的持续时间。本实用新型能够以有效率的方式操作的EEPROM类型的存储器。
170 双同步电子设备和FIFO存储器电路 CN201520777288.3 2015-10-08 CN205375448U 2016-07-06 S·M·罗塞利; G·谷亚纳西亚; U·马里
本公开涉及双同步电子设备和FIFO存储器电路。一种双同步电子设备可以包括:FIFO存储器电路,以及第一数字电路,所述第一数字电路耦合至所述FIFO存储器电路并且配置成基于第一时钟信号操作,并且基于写指针对所述FIFO存储器电路进行写入。所述双同步电子设备可包括:第二数字电路,所述第二数字电路耦合至所述FIFO存储器电路并且配置成,基于与所述第一时钟信号不同的第二时钟信号操作,并且基于读指针从所述FIFO存储器电路进行读取。所述FIFO存储器电路可被配置成:检测所述写指针到新位置的跳转,根据当前位置确定所述读指针的跳转候选,选择跳转候选,并且基于所选择的跳转候选对所述读指针进行同步。
171 集成结构与存储器设备 CN201520162289.7 2015-03-20 CN204885162U 2015-12-16 M·巴蒂斯塔; F·塔耶特
本实用新型涉及集成结构与存储器设备。其中一种集成结构包括具有覆在第一栅极电介质之上的第一可控栅极区域的第一MOS晶体管以及邻近第一MOS晶体管并且具有覆在第一栅极电介质之上的第二可控栅极区域的第二MOS晶体管。公共传导区域覆在第一栅极区域和第二栅极区域之上并且通过第二栅极电介质与其分离。公共传导区域包括定位在第一栅极区域和第二栅极区域的部分之上的连续元件以及从连续元件朝向衬底向下延伸直到第一栅极电介质的分支。分支被定位在第一栅极区域和第二栅极区域之间。
172 耐高电压的字线驱动器和包含该字线驱动器的存储器及其系统 CN201520081082.7 2015-02-04 CN204791989U 2015-11-18 C·德雷; L·魏
本实用新型提供了耐高电压的字线驱动器和包含该字线驱动器的存储器及其系统。其中,字线驱动器包括:与第一电源和行选择线耦合的自举级,其中,所述自举级用于根据所述行选择线上的信号的逻辑电平来使字线的电压电平升高到所述第一电源的电压电平;自举控制逻辑单元,所述自举控制逻辑单元用于根据所述行选择线上的所述信号的所述逻辑电平来控制所述自举级;以及与所述自举级和所述自举控制逻辑单元耦合的耐高电压级,其中,所述耐高电压级用于根据所述行选择线上的所述信号的所述逻辑电平来使所述字线的所述电压电平升高到第二电源的电压电平。
173 一种硬盘安装装置 CN201520202522.X 2015-04-07 CN204719632U 2015-10-21 翟世轩
本实用新型公开了一种硬盘安装装置,包括:盒体、与所述盒体相配合的盖体;通过所述盒体和所述盖体对硬盘进行固定,并通过紧件对所述盒体与所述盖体进行固定。本实用新型通过与硬盘的形状相配合的盒体和盖体装载硬盘,并通过锁紧件将盒体和盖体进行位置固定,从而实现对硬盘的可靠固定,有效解决了现有技术中硬盘安装装置对硬盘的保护的可靠性不高的问题。
174 用于鳍型场效应晶体管技术的抗熔丝器件和通信装置 CN201520023587.8 2015-01-14 CN204696122U 2015-10-07 肖姆·苏伦德兰·波诺斯; 伊藤明; 朴昌郁
本实用新型公开了用于鳍型场效应晶体管技术的抗熔丝器件和通信装置,该抗熔丝器件包含虚拟栅极,导电触点,以及扩散触点。虚拟栅极形成在鳍片的端之上。所述导电触点设置在所述虚拟栅极的一部分上并且可用作所述器件的第一电极。所述扩散触点设置在所述鳍片之上并且可用作所述器件的第二电极。本实用新型提供了包括可电压编程,节省芯片面积,以及与标准制造流程的兼容性在内的许多有利特征。
175 录音装置及终端 CN201420748845.4 2014-12-02 CN204316745U 2015-05-06 王蔚
本实用新型公开了一种录音装置及终端。其中,录音装置包括:通过采用设置在该PCB板的上的麦克,以及麦克风接口;该麦克风接口外延于该外壳的一侧,其中,该麦克风设置为驻极体麦克风。通过本实用新型,避免设备上麦克风录音效果缺乏方位感,清晰度差的问题,达到了提高录音效。
176 熔丝元件编程电路 CN201420780151.9 2014-12-11 CN204242591U 2015-04-01 J·W·霍尔
本实用新型涉及熔丝元件编程电路。提供了一种用于编程熔丝元件的电路,包括:具有熔丝元件的存储单元,所述熔丝元件包括第一半导体材料体区和化物层;编程电路,被配置为形成编程电流以编程所述熔丝元件;以及编程元件,被配置为控制所述编程电流的值,所述编程元件具有第二半导体材料体区,但不是硅化物层。通过上述方案,可以解决提供可靠的编程元件。
177 轴承装置 CN201420478099.1 2014-08-22 CN204152972U 2015-02-11 土屋邦博
本实用新型提供一种轴承装置,防止润滑剂的漏出。该轴承装置具备:滚动轴承(102),其具有外圈(102c)和内圈(102a);轴(101),其固定于内圈(102a);以及套筒(104),其固定于外圈(102c),在轴(101)的至少一端部设置有凸缘部(105),凸缘部(105)具有从轴(101)朝径向外侧延伸的圆盘部(105b)以及从该圆盘部(105b)朝轴向延伸的圆筒部(105a),圆筒部(105b)位于外圈(102c)的外侧,由间隙(107、108、109)形成在两个位置弯曲的迷宫间隙。
178 盘片驱动装置用的主轴达以及盘片驱动装置 CN201420093590.2 2014-03-03 CN203813556U 2014-09-03 滝政信; 小林裕; 米田朋広
一种盘片驱动装置用的主轴达以及盘片驱动装置,所述主轴马达具有基底部和定子。定子的多个线圈包含三个绕组。通过设置结合部而使三根公共线形成为一根或两根公共线素,所述结合部将三个绕组中的作为导线一端部的三根公共线中的至少两根公共线彼此结合而形成为一根公共线素。一根或两根公共线素以及三个绕组中的作为导线另一端部的三根引出线素中的各线素分别经由单独的基底贯通孔而到达基底部的下侧,且单独的基底贯通孔在其内周与所述各线素的表面全周之间具有全周密封部。
179 具有止推轴承 CN201420020615.6 2014-01-14 CN203707949U 2014-07-09 洪银树
一种具有止推轴承达,用以解决现有马达旋转顺畅性不佳的问题;其包含一基座、一轴承套、一定子、一转动件、一止推轴承及一轮毂。该基座设有该轴承套;该定子结合于该基座或该轴承套;该转动件结合于该轴承套内部,该转动件包含一转轴及一限位部,该限位部具有一第一接触面;该止推轴承设置于该轴承套的内周壁与该转轴之间,且该止推轴承具有一第二接触面,该第二接触面与该第一接触面的其中至少一个接触面非为平面;该轮毂结合于该转轴,该轮毂设有与该定子相对的一永久磁
180 主轴达以及盘片驱动装置 CN201320808722.0 2013-12-10 CN203707917U 2014-07-09 平泽敏弘; 水上顺也
一种主轴达及盘片驱动装置,该主轴马达的基底板具有底板部和壁部。底板部相对于旋转轴线呈大致垂直地扩展。壁部从底板部的径向外侧的端缘部沿轴向延伸。底板部具有杯部和外侧底板部。杯部位于比壁部靠径向内侧的位置,且上表面凹陷。外侧底板部在杯部与壁部之间扩展。并且,基底板具有由第一种金属材料制成的第一部件和由第二种金属材料制成的第二部件。第二种金属材料的杨氏模量比第一种金属材料的杨氏模量大。第一部件至少包括壁部。第二部件包括构成外侧底板部的至少一部分的板状部。如此一来,外侧底板部的至少一部分由杨氏模量比壁部的杨氏模量大的第二种金属材料制成。由此,能够抑制外侧底板部的轴向厚度,并能够提高外侧底板部的刚性。
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