一种点接触LDMOS结构晶体管单元
专利汇可以提供一种点接触LDMOS结构晶体管单元专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种点 接触 LDMOS结构晶体管单元。其结构是漏接触区为圆形或正多边形，位于晶体管单元中心，外围依次环绕着漂移区、栅 沟道 区和源区。晶体管单元中栅宽与漏源 PN结 面积比比常规LDMOS结构提高一倍；晶体管单元分别按照一定周期沿X方向和Y方向分布构成器件芯片。本发明的优点：能够有效分 散热 源，减小热阻，提高器件工作带宽、增益和功率等性能指标。，下面是一种点接触LDMOS结构晶体管单元专利的具体信息内容。
1.一种点接触LDMOS结构晶体管单元，其特征是晶体管单元漏电极接触区是圆形或正多边形N+掺杂漏区(5)，N+掺杂漏区(5)外围是环绕N-掺杂漂移区(4)；环绕N-掺杂漂移区(4)外围是P型掺杂沟道区(3)，P型掺杂沟道区(3)上方是N+掺杂多晶硅栅区(6)；
在P型掺杂沟道区(3)与N+掺杂多晶硅栅区(6)之间隔着二氧化硅绝缘层；在P型掺杂沟道区(3)区外围环绕着N+掺杂源区(2)；在N+掺杂源区(2)外围是P+掺杂源区(1)，P+掺杂源区(1)掺杂深度超过外延层厚度，P+掺杂源区(1)与P+衬底相连；P+掺杂源区(1)与N+掺杂源区(2)表面通过金属硅化物相连。
2.根据权利要求1所述的一种点接触LDMOS结构晶体管单元，其特征是在对应P+掺杂源区(1)、N+掺杂多晶硅栅区(6)和N+掺杂漏区(5)分别开有金属接触窗口。
3.根据权利要求1所述的一种点接触LDMOS结构晶体管单元，按照周期T1即距离大于N+掺杂源区(2)外边界直径，沿Y方向复制某个数量N1，这N1个晶体管单元构成一组，再按照周期T2即距离大于N+掺杂源区(2)外边界直径，沿X方向复制某个数量N2，这N2个晶体管单元构成一组，由N1×N2个单元构成器件芯片。
4.根据权利要求4所述的一种点接触LDMOS结构晶体管单元，其特征是器件芯片表面覆盖着一层绝缘层，在对应P+掺杂源区(1)、N+掺杂多晶硅栅区(6)和N+掺杂漏区(5)分别开有金属接触窗口。
一种点接触LDMOS结构晶体管单元
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