专利汇可以提供IGBT及其制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种IGBT及其制造方法,其中,所述IGBT中的目标区域掺杂有第一离子,所述目标区域包括P型衬底(11)、P型阱区(13)、P型源区(14)中的至少一种,所述第一离子的扩散系数大于 硼 离子的扩散系数。采用本 发明 形成的 PN结 为渐变结,提高了击穿 电压 、缩短了关断时间、提升了抗闩 锁 能 力 。,下面是IGBT及其制造方法专利的具体信息内容。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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