专利汇可以提供光刻胶清洗剂及半导体基板上光刻胶的清洗方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 光刻 胶 清洗剂 及 半导体 基板 上光刻胶的清洗方法,其中,公开的所述光刻胶清洗剂,包括 有机 溶剂 及 腐蚀 抑制剂 ;所述 有机溶剂 含有二甲基苯甲醇、聚 氧 化丙烯三醇及壬基聚氧乙烯醚;所述腐蚀抑制剂含有 氨 基苯 甲酸 甲酯和儿茶酚。公开的所述半导体基板上光刻胶的清洗方法为:用所述光刻胶清洗剂清洗半导体基板。本发明能够提高对半导体基板上的光刻胶的清洗效果。,下面是光刻胶清洗剂及半导体基板上光刻胶的清洗方法专利的具体信息内容。
1.一种光刻胶清洗剂,其特征在于,包括有机溶剂及腐蚀抑制剂;
所述有机溶剂含有二甲基苯甲醇、聚氧化丙烯三醇及壬基聚氧乙烯醚;
所述腐蚀抑制剂含有氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。
2.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于,所述光刻清洗剂的各组分的重量百分比分别为:二甲基苯甲醇1~3%,聚氧化丙烯三醇0.1~0.5%,壬基聚氧乙烯醚4~
8%,对氨基苯甲酸甲酯1~5%,儿茶酚1~5%,余量为水。
3.根据权利要求2所述的光刻胶清洗剂,其特征在于,所述光刻清洗剂的各组分的重量百分比分别为:二甲基苯甲醇2%,聚氧化丙烯三醇0.3%,壬基聚氧乙烯醚6%,对氨基苯甲酸甲酯3%,儿茶酚3%,余量为水。
4.一种半导体基板上光刻胶的清洗方法,其特征在于,包括步骤:
S1,用权利要求1至3任一项所述的光刻胶清洗剂对待清洗的半导体基板进行清洗。
5.根据权利要求4所述的半导体基板上光刻胶的清洗方法,其特征在于,在用所述光刻胶清洗剂清洗所述半导体基板时,清洗温度为60-80℃,清洗时间为1-3小时。
6.根据权利要求4所述的半导体基板上光刻胶的清洗方法,其特征在于,在所述步骤S1之后,还包括:
S2,对清洗剂清洗后的所述半导体基板进行刷洗;
S3,将所述半导体基板放入去离子水中并进行超声波震动清洗,之后烘干。
7.根据权利要求6所述的半导体基板上光刻胶的清洗方法,其特征在于,在所述步骤S3中,超声波频率为18~22KHz,去离子水的清洗温度为30~40℃,清洗时间为15~25min,并采用45~55℃的热风进行烘干,烘干时间为8~12分钟。
8.根据权利要求4至7任一项所述的半导体基板上光刻胶的清洗方法,其特征在于,在所述步骤S3之后,还包括:
S4,将所述半导体基板放入乙醇中并进行超声波震动清洗,之后烘干。
9.根据权利要求8所述的半导体基板上光刻胶的清洗方法,其特征在于,在所述步骤S4中,超声波频率为10~15KHz,乙醇的清洗温度为19~21℃,清洗时间为15~25min,并采用
45~55℃的热风进行烘干,烘干时间为1~3分钟。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
有机硅类压敏粘合剂 | 2020-05-08 | 815 |
用于改进用氢卤烯烃发泡剂制造的聚氨基甲酸酯发泡体的稳定性的方法 | 2020-05-08 | 745 |
由聚烯烃载体材料、底胶和可辐射交联的热熔性粘合剂制成的保护膜 | 2020-05-08 | 590 |
一种检测肠道菌群代谢气体的呼气试验方法 | 2020-05-08 | 927 |
一种基于蛋白折叠指纹条形码设计降血压肽的制备 | 2020-05-08 | 124 |
一种盐酸丙卡特罗中间体有关物质的检测方法 | 2020-05-11 | 890 |
非人类人猿腺病毒核酸序列和氨基酸序列、含有其的载体及其用途 | 2020-05-08 | 272 |
免疫球蛋白结合蛋白质和使用其的亲和载体 | 2020-05-08 | 574 |
用于降低生物制剂粘度的化合物 | 2020-05-08 | 210 |
黄铜件氨熏试验系统及其控制方法 | 2020-05-11 | 700 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。