技术领域
[0001] 本
发明属于
电子材料技术领域，具体地说，涉及一种高频双面覆铜板及其制备方法与应用。
背景技术
[0002] 受惠于5G、AI、车用、医疗四大领域，未来三年PCB市场仍然火热，其中高频高速的5G通讯，被视为启动其他领域多元应用发展的
基础，预估2020年将会正式商用，许多厂商积极扩厂提升产能与设备技术，以符合市场要求，期望在新科技来临时能够枪先商机。业者表示，为了符合5G高频高速、低损耗、
大数据承载等特性，未来不论是前端制程或是终端服务，都将有重大改变，而5G对于零组件的要求也提高不少，以PCB来说不仅材料变严苛，
基板加工也更难，随着制程技术提升切入
门坎也变高，预估未来市场会更加集中，产业将逐渐走向恒大化发展的趋势。其中最重要的材料特性需求就是LOW DK/DF、
剥离强度。
[0003] 在
现有技术中，利用市售高频膜(PI与LCP)，经利用高温压合法制作成高频覆铜板。但因技术与成本都掌握在供货商手上，因此开发涂布压合法一样可达市售一样
水平，压合
温度可降低于100-150℃，同样可以应用于高速高频的材料。
发明内容
[0004] 本发明的目的是提供一种高频双面覆铜板。
[0005] 本发明的另一个目的是提供一种所述高频双面覆铜板的制备方法。
[0006] 本发明的再一个目的是提供一种由所述高频双面覆铜板制成的
电路板。
[0007] 为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
[0008] 本发明的第一个方面提供了一种高频双面覆铜板，从上至下依次包括铜箔、低Dk和Df绝缘层、热固高频胶
复合材料组合物层、低Dk和Df绝缘层、铜箔，所述低Dk和Df绝缘层是低介电高分子复合材料组合物(MPI)层或低
热膨胀系数和低逸散因子的
液晶高分子复合材料(LCP)层；所述低介电高分子复合材料组合物(MPI)层是由所述低介电高分子复合材料组合物涂布在铜箔表面经过
烘烤、熟化形成，低介电高分子复合材料组合物(MPI)层的厚度为25-50μm；所述低
热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料(LCP)层是由所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料涂布在铜箔表面经过烘烤、
退火处理形成，所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层的厚度为25-50μm；所述热固高频胶复合材料组合物层的厚度为1～6μm。
[0009] 所述铜箔的厚度为12-18μm。
[0010] 所述铜箔型号为BHFX-92F-HA-V2-12μm，RZ＝0.45(日矿)。
[0011] 所述低介电高分子复合材料组合物(MPI)是由以下重量份的组分制成：
[0012] 二酸酐 20～60份；
[0015] 所述二酸酐为对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐(TAHQ)、3,3',4,4'-联苯四
羧酸二酐(BPDA)、双酚A型二醚二酐(BPADA)，具体结构如下所示：
[0016]
[0017] 所述二胺单体为3,5-二
氨基-1,2,4-三氮唑(DTZ)、对氨基苯
甲酸对氨基苯酯(APAB)、4,4’-二氨基二苯醚(ODA)、1,4-亚苯基双(4-氨基
苯甲酸酯)(ABHQ)、对苯二甲酸二对氨基苯酯(BPTP)，具体结构如下所示：
[0018]
[0019] 所述溶剂为N-甲基吡咯烷
酮(NMP)、N,N-二甲基乙酰胺、丁内酯、N.N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜。
[0020] 所述低介电高分子复合材料组合物(MPI)的固体含量为30wt％，
粘度为30000～60000CPS。
[0021] 所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料(LCP)是由以下重量份的组分制成：100份液晶高分子材料和0.1～30份填充物。
[0022] 所述液晶高分子材料购自日本住友商事株事会社，牌号为VR300。
[0023] 所述填充物为熔融
石英(购自
硅比科(上海)矿业有限公司，牌号为FS06)、改性
铁氟龙(购自旭
化成中国有限公司，牌号为EA-2000)、氢
氧化
铝(购自极东贸易上海有限公司，牌号为H42STV)。
[0024] 所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料(LCP)的固体份为8-30wt％，粘度为1200～2000CPS。
[0025] 所述热固高频胶复合材料组合物是由以下重量份的组分制成：
[0026]
[0027] 优选的，所述热固高频胶复合材料组合物是由以下重量份的组分制成：
[0028]
[0029] 所述硬链改性聚酰亚胺为台湾荒川化学工业股份有限公司的牌号为PIAD130H的产品。
[0030] 所述软链改性聚酰亚胺为台湾荒川化学工业股份有限公司的牌号为PIAD150L的产品。
[0031] 所述交联剂为P-(2,3-环氧丙氧基)-N,N-二(2,3-环氧丙基)苯胺(jer630)、2,2-双(4-氰氧苯基)丙烷(TA)、N,N,N',N'-四环氧丙基-4,4'-二氨基二苯甲烷，均购自三菱瓦斯化学株式会社。
[0032] 所述填充物为熔融石英(购自硅比科(上海)矿业有限公司，牌号为FS06)、改性铁氟龙(购自旭化成中国有限公司，牌号为EA-2000)、氢氧化铝(购自极东贸易上海有限公司，牌号为H42STV)。
[0033] 本发明的第二个方面提供了一种所述高频双面覆铜板的制备方法，包括以下步骤：
[0034] 在单面覆铜板上低Dk和Df绝缘层上涂布热固高频胶复合材料组合物(涂布量：干膜1～6μm)，烘烤(在温度为180℃的条件下烘烤5min)，将两个上述单面覆铜板涂覆有涂层的一面相对叠层放置，经过熟化(温度为180℃保持3h)，获得所述高频双面覆铜板。
[0035] 所述单面覆铜板上低Dk和Df绝缘层是指低介电高分子复合材料组合物制备的单面覆铜板上所述低介电高分子复合材料组合物层或低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料制备的单面覆铜板上所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层。
[0036] 所述低介电高分子复合材料组合物制备的单面覆铜板的制备方法包括以下步骤：将所述低介电高分子复合材料组合物经由涂布工艺，涂布于铜箔(所述铜箔为Cu:BHFX-
92F-HA-V2-12μm，RZ＝0.45(日矿))上，经过烘烤、熟化形成低介电高分子复合材料组合物层，获得单面覆铜板，所述烘烤的条件为140℃，保温15min，然后降至室温；所述熟化的条件：温度为350℃，保温时间为30min。
[0037] 所述低介电高分子复合材料组合物的制备方法包括以下步骤：
[0038] 按照所述配比，将二胺单体溶于溶剂中，然后加入二酸酐搅拌反应，搅拌溶解获得低介电高分子复合材料组合物。
[0039] 所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料制备的单面覆铜板的制备方法包括以下步骤：
[0040] 将所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料经由涂布工艺涂布于铜箔上，所述铜箔型号为BHFX-92F-HA-V2-12μm，RZ＝0.45；经过烘烤(所述烘烤的条件：温度为90℃，保温20min)、退火处理(所述退火处理的温度为300℃，保温3h)形成液晶高分子复合材料层，获得单面覆铜板。
[0041] 所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料的制备方法包括以下步骤：
[0042] 按照所述配比，将液晶高分子材料和填充物均匀搅拌分散，获得低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料。
[0043] 所述热固高频胶复合材料组合物的制备方法包括以下步骤：
[0044] 按照所述配比将硬链改性聚酰亚胺、软链改性聚酰亚胺、填充物搅拌均匀，加入交联剂继续搅拌，获得所述热固高频胶复合材料组合物。
[0045] 本发明的第三个方面提供了一种由所述高频双面覆铜板制成的
电路板。
[0046] 由于采用上述技术方案，本发明具有以下优点和有益效果：
[0047] 本发明提供的高频双面覆铜板具有LOW DK/DF绝缘层即高频MPI与LCP，与接着层的双面线路板用积层体，所述的LOW DK/DF绝缘层即高频MPI与LCP与热固性高频胶接着层搭配低粗糙度的铜箔时可达到高传输的特性。
[0048] 本发明提供的高频双面覆铜板厚度可控制、低电性、拉
力高。
附图说明
[0049] 图1是比较例2和比较例3的生产流程示意图。
具体实施方式
[0050] 为了更清楚地说明本发明，下面结合优选
实施例对本发明做进一步的说明。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。
[0051] 本发明实施例中所用的二胺如表1所示：
[0052] 表1
[0053]
[0054] Acros是北京伊诺凯科技有限公司，士峰是士峰科技股份有限公司的简称。
[0055] 本发明实施例中所用的二酸酐如表2所示：
[0056] 表2
[0057]
[0058]
[0059] 本发明实施例中所用的溶剂如表3所示：
[0060] 表3
[0061]中文名称 英文名称 缩写 CAS 厂商
N,N-二甲基乙酰胺 Dimethylacetamide DMAc 127-19-5 Acros
丁内酯 1-Oxacyclopentan-2-one GBL 96-48-0 Acros
N,N-二甲基甲酰胺 Dimethylforamide DMF 68-12-2 Acros
二甲基亚砜 DIMETHYL SULFOXIDE DMSO 67-68-5 Acros
N-甲基吡咯烷酮 N-methyl-2-pyrrolidone NMP
[0062] 本发明实施例中所用的填充物如表4所示：
[0063] 表4
[0064]中文名称 英文名称 缩写 CAS 厂商
熔融石英 Fused Silica FS06 60676-86-0 硅比科
改性铁氟龙 ― EA-2000 ― 旭化成
氢氧化铝 Aluminum hydroxide H42STV 21645-51-2 极东贸易
[0065] 硅比科是硅比科(上海)矿业有限公司，旭化成是旭化成中国有限公司，极东贸易是极东贸易上海有限公司。
[0066] 本发明实施例中所用的交联剂如表5所示：
[0067] 表5
[0068]
[0069]
[0070] 本发明实施例所用的改性聚酰亚胺如表6所示：
[0071] 表6
[0072]
[0073] 荒川是台湾荒川化学工业股份有限公司。
[0074] 本发明实施例所用的高频PI(聚酰亚胺)型号为：SR#SW(Kaneka)25μm；LCP:CT-Q(Kuraray)25μm；铜:Cu:BHFX-92F-HA-V2(日矿)12～18μm；一般PI:GF 12.5μm(SKC)；热固高频胶:1-6μm(自制)；LCP与MPI:10μm(自制)。
[0075] 实施例1～4
[0076] 按照表7中配比，于500mL反应瓶中分别加入NMP、APAB、ODA、DTZ，待高速搅拌至溶解后，再加入BPDA搅拌反应12小时，搅拌溶解即配置完成低介电高分子复合材料组合物。
[0077] 表7
[0078]
[0079]
[0080] PS:固体份30wt％粘度30000-60000CPS。
[0081] 实施例5～8
[0082] 按照表8中配比，于500mL反应瓶中分别加入NMP、APAB、ODA、DTZ，待高速搅拌至溶解后，再加入BPADA搅拌反应12小时，搅拌溶解即配置完成低介电高分子复合材料组合物。
[0083] 表8
[0084]
[0085] PS:固体份30wt％粘度30000-60000CPS。
[0086] 实施例9～12
[0087] 按照表9中配比，于500mL反应瓶中分别加入NMP、APAB、ODA、DTZ，待高速搅拌至溶解后，再加入TAHQ搅拌反应12小时，搅拌溶解即配置完成低介电高分子复合材料组合物。
[0088] 表9
[0089]
[0090] PS:固体份30wt％粘度30000-60000CPS。
[0091] 一种由实施例1～12制备的低介电高分子复合材料组合物制备的单面覆铜板的制备方法，包括以下步骤：
[0092] 将所述低介电高分子复合材料组合物经由涂布工艺，涂布于铜箔(所述铜箔为Cu:BHFX-92F-HA-V2-12μm，RZ＝0.45(日矿))上，经过烘烤、熟化形成低介电高分子复合材料组合物层，获得单面覆铜板，所述烘烤的条件为140℃，保温15min，然后降至室温；所述熟化的条件：温度为350℃，保温时间为30min。
[0093] 所述单面覆铜板包括铜箔及附在铜箔表面的低介电高分子复合材料组合物层，所述低介电高分子复合材料组合物层是由所述低介电高分子复合材料组合物涂布在铜箔表面经过烘烤、熟化形成。所述低介电高分子复合材料组合物层(高频MPI)的厚度为25-50μm，所述铜箔的厚度为12-18μm。对制备的单面覆铜板测试DK与DF，然后测试剥离强度、热重量损失，最后进行漂
锡测试，漂锡测试在温度340℃条件持续10sec，表示通过。以上测试结果列于表7～9中，根据表7～9中的上述测试结果，可以说明实施例1～12的单面覆铜板性能较好。
[0094] 本发明实施例中所用填充物性能如表10所示：
[0095] 表10
[0096]
[0097] 本发明实施例中所用液晶高分子材料购自日本住友商事株事会社，牌号为VR300，VR300是日本住友商事株事会社提供的LCP胶水，具体如表11所示：
[0098] 表11
[0099]测试项目 单位 VR300
粘度 CPS 300-1200
固体份 ％ 8
热膨胀系数 PPM/℃ 29
介电常数Dk(10GHZ) - 3.4
逸散因子Df(10GHZ) - 0.003
[0100] 实施例13～15
[0101] 按表12所示原料配比，于500mL反应瓶中分别加入液晶高分子材料和填充物FS06，均匀搅拌分散1小时后，即配置完成低CTE&低Df液晶高分子复合材料。制备的产品的固体份为8wt％，粘度为1300-2000CPS。
[0102] 表12
[0103]
[0104] 实施例16～18
[0105] 按表13所示原料配比，于500mL反应瓶中分别加入液晶高分子材料和填充物EA-2000，均匀搅拌分散1小时后，即配置完成低CTE&低Df液晶高分子复合材料。制备的产品的固体份为30wt％，粘度为1300-2000CPS。
[0106] 表13
[0107]
[0108]
[0109] 实施例19～21
[0110] 按表14所示原料配比，于500mL反应瓶中分别加入液晶高分子材料和填充物H42STV，均匀搅拌分散1小时后，即配置完成低CTE&低Df液晶高分子复合材料。制备的产品的固体份为30wt％，粘度为1300-2000CPS。
[0111] 表14
[0112]
[0113] 一种由实施例13～21制备的所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料制备的单面覆铜板的制备方法，包括以下步骤：
[0114] 将所述液晶高分子复合材料经由涂布工艺涂布于铜箔上，所述铜箔型号为BHFX-92F-HA-V2-12μm，RZ＝0.45；经过烘烤(所述烘烤的条件：温度为90℃，保温20min)、退火处理(所述退火处理的温度为300℃，保温3h)形成液晶高分子复合材料层，获得单面覆铜板。
[0115] 所述单面覆铜板包括铜箔及附在铜箔表面的液晶高分子复合材料层，所述液晶高分子复合材料层是由所述液晶高分子复合材料涂布在铜箔表面经过烘烤、退火处理形成，所述液晶高分子复合材料层的厚度为25-50μm，所述铜箔的厚度为12-18μm。对制备的单面覆铜板测试Dk(10GHz)、Df(10GHz)、剥离强度(Kgf/cm)、热重量损失℃(Td5％)、热膨胀系数(PPM/℃)、漂锡测试、
翘曲(CM)，如表12～14所示。
[0116] 从表12～14中数据可以看出，由实施例13～21制备的液晶高分子复合材料制备的单面覆铜板，实施例13～21制备的液晶高分子复合材料中加入粉料(FS06、EA-2000、H42STV)，DK值降低极少，DF降低明显传输损失减少，剥离强度增强耐PCB制备方法不易分层，热重量损失℃(Td5％)增加耐热性增加，热膨胀系数(PPM/℃)降低不容易翘取，漂锡测试差异不大，翘曲(CM)下降工法容易制作。
[0117] 实施例22
[0118] 按照表15中所述配比，于250mL反应瓶中分别加入改性聚酰亚胺PIAD130H、PIAD150L与填充物FS06，均匀搅拌分散2小时，加入交联剂JER630，再搅拌0.5小时即配置完成热固高频胶复合材料组合物，产品的PS:固体份35％，粘度1300-2000CPS。
[0119] 实施例23
[0120] 按照表15中所述配比，于250mL反应瓶中分别加入改性聚酰亚胺PIAD130H、PIAD150L与填充物EA-2000，均匀搅拌分散2小时，加入交联剂JER630，再搅拌0.5小时即配置完成热固高频胶复合材料组合物，产品的PS:固体份35％，粘度1300-2000CPS。
[0121] 实施例24
[0122] 按照表15中所述配比，于250mL反应瓶中分别加入改性聚酰亚胺PIAD130H、PIAD150L与填充物H42STV，均匀搅拌分散2小时，加入交联剂JER630，再搅拌0.5小时即配置完成热固高频胶复合材料组合物，产品的PS:固体份35％，粘度1300-2000CPS。
[0123] 对实施例22～24制备的热固高频胶复合材料组合物测试Dk(10GHz)、Df(10GHz)、剥离强度(Kgf/cm)；剥离强度(Kgf/cm)测试：将实施例22～24制备的热固高频胶复合材料组合物涂布于铜箔上，温度为180℃的条件下烘烤5min，温度为180℃的条件下熟化3h，然后进行剥离强度测试。Dk(10GHz)、Df(10GHz)测试：将实施例22～24制备的热固高频胶复合材料组合物涂布于铜箔上，温度为180℃的条件下烘烤5min，温度为180℃的条件下熟化3h，然后进行蚀刻，留下热固高频胶复合材料组合物膜，裁成测试条进行Dk(10GHz)、Df(10GHz)测试；结果如表15所示。
[0124] 表15
[0125]
[0126] 实施例25～42
[0127] 一种高频双面覆铜板的制备方法，包括以下步骤：
[0128] 在由实施例1～12制备的低介电高分子复合材料组合物制备的单面覆铜板上所述低介电高分子复合材料组合物层或由实施例13～21制备的所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料制备的单面覆铜板上所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层上涂布实施例22～24制备的热固高频胶复合材料组合物(涂布量：干膜1～6μm)，在温度为180℃的条件下烘烤5min，然后在温度为120℃的条件下将两个上述单面覆铜板涂覆有涂层的一面相对叠层放置(时间1秒)，经过熟化(温度为180℃保持3h)，获得所述高频双面覆铜板。
[0129] 制备的高频双面覆铜板，从上至下依次包括铜箔、低Dk和Df绝缘层、热固高频胶复合材料组合物层、低Dk和Df绝缘层、铜箔，所述铜箔的厚度为12-18μm，铜箔型号为BHFX-92F-HA-V2-12μm，RZ＝0.45(日矿)；所述低Dk和Df绝缘层是低介电高分子复合材料组合物(MPI)层或低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料(LCP)层；所述低介电高分子复合材料组合物(MPI)层是由所述低介电高分子复合材料组合物涂布在铜箔表面经过烘烤、熟化形成，低介电高分子复合材料组合物(MPI)层的厚度为25-50μm；所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料(LCP)层是由所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料涂布在铜箔表面经过烘烤、退火处理形成，所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层的厚度为25-50μm；所述热固高频胶复合材料组合物层是涂布所述热固高频胶复合材料组合物后经过烘烤、相对叠层放置、熟化后形成，所述热固高频胶复合材料组合物层的厚度为1～6μm。
[0130] 对制备的高频双面覆铜板测试DK与DF，然后测试剥离强度，最后进行漂锡测试，漂锡测试在温度340℃条件持续10sec，表示通过，如表16～21所示。
[0131] 实施例25是由由实施例1制备的低介电高分子复合材料组合物制备的覆铜板，在所述低介电高分子复合材料组合物层上涂布实施例22制备的热固高频胶复合材料组合物(涂布量：干膜1～6μm)，在温度为180℃的条件下烘烤5min，然后在温度为120℃的条件下将两个上述单面覆铜板涂覆有涂层的一面相对叠层放置(时间1秒)，经过熟化(温度为180℃保持3h)，获得所述高频双面覆铜板。实施例26～42同实施例25类似，在此不再叙述。
[0132] 表16
[0133]
[0134] 表17
[0135]
[0136]
[0137] 表18
[0138]
[0139] 表19
[0140]
[0141]
[0142] 表20
[0143]
[0144] 表21
[0145]
[0146] 比较例1
[0147] 如表16～21所示，将一般PI(聚酰亚胺)涂上相应表格中的热固高频胶复合材料组合物，180℃烘烤5min，温度为120℃的条件下贴上铜箔获得单面覆铜板，然后将两个单面覆铜板PI层一面相对叠层放置(时间1秒)，经过熟化(温度为180℃保持3h)，获得双面覆铜板。
[0148] 对制备的双面覆铜板测试DK与DF，然后测试剥离强度，最后进行漂锡测试，漂锡测试在温度340℃条件持续10sec，表示通过，如表16～21所示。
[0149] 比较例2与3
[0150] 比较例2和比较例3中型号：SR#SW(Kaneka)、型号：CT-Q(Kuraray)是市售购买的膜。将购买的膜放于铜箔上，经过压合获得单面覆铜板，然后将两个上述单面覆铜板有膜的一面相对叠层放置，经过压合(温度为350-400℃)获得双面覆铜板。
[0151] 如图1所示为比较例2和比较例3的生产流程示意图，在设备的前端，设有原膜输入辊01，其上装载有成卷的原膜21，型号为SR#SW(Kaneka)或CT-Q(Kuraray)；在所述原膜输入辊01的上下分别设有第一保护膜22的第一保护膜输入辊02和第二保护膜23的第二保护膜输入辊03，所述第一保护膜22、第二保护膜23可采用Kanaka出品的125NPI；还设有第一铜箔层输入辊04和第二铜箔层输入辊05，所述第一铜箔层输入辊04上装载有成卷的第一铜箔层24，其位于原膜21输入通道的上方；所述第二铜箔层输入辊05上装载有成卷的第二铜箔层
25，其位于原膜21输入通道的下方；所述第一铜箔层24、第二铜箔层25中铜箔均可以是BHFX-92F-HA-V2；所述第一保护膜22、第一铜箔层24、原膜21、连同第二铜箔层25、第二保护膜23以从上到下的顺序排列，并在各自输入辊的驱动下，以相同的线速度放出，最后汇集在一起，经过高温
层压，最后第一铜箔层24、第二铜箔层25分别贴合到所述原膜21的上下两侧，在高温作用下发生融溶反应，形成双面覆铜膜26，最后经收卷辊06收卷，形成双面覆铜膜卷27，交付客户使用；在设备的后端还设有第一保护膜收卷辊07和第二保护膜收卷辊08，其用来对经过高温层压后的第一保护膜22、第二保护膜23进行回收；在生产过程中的一些
位置还会设有导向辊09，在
薄膜的运行方向上进行导向，确保生产的顺利进行；所述高温层压主要利用2个高温压轮对叠合后的膜层进行高温层压，其沿竖直方向上设有上活动高温压轮10、下活动高温压轮11，所述上活动高温压轮10、下活动高温压轮11可根据生产要求进行高度调节，进而来调节上下高温压轮之间形成的层压压力，确保最终经层压后的产品符合要求；所述活动上活动高温压轮10、下活动高温压轮11内部设有加热装置，以使高温压轮外表面产生符合生产要求的高温，在本实施例中，高温层压时要求的温度为300-380℃，可以通过调节上活动高温压轮10、下活动高温压轮11的设定温度来满足生产设定要求。
[0152] 上述实施例中，第一保护膜22、第二保护膜23主要用来保护铜箔的外表面，防止高温层压过程中，划伤铜箔外表面。
[0153] 表16～21中，本发明实施例制备的高频双面覆铜板，采用低介电高分子复合材料组合物制成的单面覆铜板或低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料制备的单面覆铜板和热固高频胶复合材料组合物制成，DF低，适合用于高速高频与大量数据传输，不易产生延迟，拉力较高，在后端制程不意产生分层与爆板。
[0154] 以上所述仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本
专利的技术人员在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述提示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单
修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明方案的范围内。
